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發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時(shí)間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化...
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濕法刻蝕對合成石英基板光掩模的應(yīng)用

時(shí)間: 2021-11-30
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濕法刻蝕對合成石英基板光掩模的應(yīng)用

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引言

? ? ? 在作為半導(dǎo)體光刻原版的光掩模中,近年來,與半導(dǎo)體晶圓一樣,圖案的微細(xì)化正在發(fā)展。 在半導(dǎo)體光刻中,通常使用1/4~1/5的縮小投影曝光,因此光掩模上的圖案線寬是晶圓上線寬的4~5倍,雖然要求分辨率比半導(dǎo)體工藝寬松,但近年來,從邊緣粗糙度、輪廓形狀等角度來看,干蝕刻已成為主流。

? ? ??半導(dǎo)體用光掩模是對在合成石英基板上成膜的鉻、氧化鉻、氮化鉻等鉻系薄膜進(jìn)行圖案化的掩模,特別是在尖端光刻用掩模中,現(xiàn)狀是從硝酸鈰系的濕蝕刻劑加工,基本完成了向氯、氧系混合氣體的等離子蝕刻加工的轉(zhuǎn)移。

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實(shí)驗(yàn)

? ? ? 關(guān)于半導(dǎo)體光刻技術(shù),在移位掩模技術(shù)中,多采用大小中最小間距的半數(shù),在世代或技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行討論。 到目前為止,為了實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的技術(shù)節(jié)點(diǎn),主要是通過光刻的短波長化來應(yīng)對,但近年來,圖案的精細(xì)化正在以超過短波長化的速度發(fā)展。

? ? ? 如表1所示,從180nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)開始,晶圓上的解像線寬變得低于曝光波長,在今天的90nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)中,變得不到一半有嗎? 另外,關(guān)于預(yù)定于2007年開始量產(chǎn)的65nm技術(shù)節(jié)點(diǎn),也在繼續(xù)開發(fā)193nm波長下的曝光,現(xiàn)狀是要求形成波長1/3的線寬。

?濕法刻蝕對合成石英基板光掩模的應(yīng)用

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? ? ? 圖1、2簡單表示各自的原理。 其中,半色調(diào)型除了使曝光光透過4%~20%左右并反轉(zhuǎn)相位的半色調(diào)移相器膜代替鉻遮光膜外,其掩模圖案的設(shè)計(jì)、掩模制造方法等都與鉻掩模相近。 因此,從圖案尺寸與曝光波長相等或開始變小的250―180nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)開始實(shí)用化。

? ? ? 一般來說,對于曝光波長形成的線寬足夠大,轉(zhuǎn)印對比度充分的光刻,MEEF為1。 也就是說,掩模的尺寸誤差只在縮小倍率部分小,反映在晶圓上的狀態(tài)。 另一方面,當(dāng)形成的線寬小于曝光波長時(shí),MEEF變大,有時(shí)達(dá)到2-3以上。 也就是說,轉(zhuǎn)印對比度變小,掩模的微小尺寸誤差被放大,成為晶片尺寸的誤差。 因此,尖端光刻對掩模尺寸精度的要求加速增加,成為使掩模制造變得困難、成本上升的一個(gè)主要原因。

? ? ? 圖3顯示的是,對于鉻掩膜和半色調(diào)型·Levenson型的各PSM,對波長:193nm的65nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的MEEF進(jìn)行模擬的結(jié)果。?

? ? ? 為了避免這種側(cè)壁效應(yīng),提出了各種各樣的提案,圖5顯示了具有代表性的三種方法。 第一個(gè)方法是圖5(a)所示的底切法,是使基板挖入的側(cè)壁后退,使其位于遮光鉻正下方的方法。 該結(jié)構(gòu)的特征是鉻呈屋檐狀突出,成為問題的側(cè)壁隱藏在鉻遮光膜下,因此,挖入部分的曝光光不會(huì)降低,挖入部分和非挖入部分的透過光量也不會(huì)有差異。 一般來說,該結(jié)構(gòu)的屋檐強(qiáng)度較弱,在面罩清洗工序等過程中,雖然存在因物理沖擊導(dǎo)致屋檐折斷的危險(xiǎn)性,但如果能使側(cè)壁充分后退,在原理上是最有效的方法。

? ? ? 第二種方法如圖5(b)所示,是通過抵消挖入部分和非挖入部分的透過率差,對掩模數(shù)據(jù)的開口部分尺寸進(jìn)行偏置的方法。 該方法需要返回到掩碼數(shù)據(jù)制作階段的對應(yīng),有時(shí)需要復(fù)雜的數(shù)據(jù)處理。 因此,僅在面罩制造水平上的對應(yīng)是困難的,設(shè)計(jì)者·面罩訂購者的協(xié)助是不可缺少的。

? ? ? 第三種方法是圖5(c)所示的雙溝槽法。 這是以減少非挖入部分的透過光量為目的,在將非挖入部分·挖入部分的透過光間的相位差維持在180度的情況下,將兩部分追加挖掘特定深度的方法。 但是,遺憾的是,已知該方法依賴于圖案形狀(節(jié)距·開口部尺寸等),需要調(diào)整挖入深度。 因此,有必要對每個(gè)設(shè)計(jì)的深度進(jìn)行最優(yōu)化,當(dāng)各種設(shè)計(jì)混合在掩模上時(shí),有時(shí)無法對所有的圖案進(jìn)行理想的解像。 因此,雙溝槽目前只停留在特定的器件上。

? ? ? 在不加入底切的狀態(tài)下,預(yù)計(jì)約28nm的尺寸差通過加入底切而變小,在140nm左右的底切中,轉(zhuǎn)錄尺寸差消失。 該底切的寬度根據(jù)光刻的條件和圖案布局而變化,大約在100nm到150nm左右。 但是,對于65nm技術(shù)節(jié)點(diǎn),可以設(shè)想掩模上的最小鉻線寬為200―260nm左右。 在這種情況下,由于屋檐的強(qiáng)度問題,可能會(huì)出現(xiàn)難以加入上述100―150nm的底切的情況。 現(xiàn)在,掩膜廠商和掩膜用戶之間,為了減少底切量,開始研究在圖案數(shù)據(jù)的間隔寬度上加入偏差。 這是從掩模制造的優(yōu)越性出發(fā),延長底切結(jié)構(gòu)的壽命,通過底切結(jié)構(gòu)(圖5(a))和尺寸偏差(圖5(b))的融合來應(yīng)對的想法。 在下一章以后,將對底切結(jié)構(gòu)在掩模制造觀點(diǎn)上的優(yōu)越性進(jìn)行說明。

? ? ? 關(guān)于光掩模,由于其原版的性質(zhì),具有不允許轉(zhuǎn)彎缺陷的特征。 當(dāng)然,構(gòu)建不發(fā)生缺陷的掩模制造工序是最重要的,但考慮到成本方面,特別是尖端的光掩模,在發(fā)生缺陷時(shí),通過修正缺陷部分,實(shí)現(xiàn)了無缺陷化。但是,在光掩模中發(fā)生的圖案缺陷大致可分為白色缺陷和黑色缺陷。 前者是本來應(yīng)該有圖案的地方的遮光膜欠缺時(shí)的缺陷,另外,后者是本來應(yīng)該是透過部的地方殘留遮光膜時(shí)的缺陷。

? ? ? 各向同性蝕刻的濕法蝕刻產(chǎn)生缺陷的概率降低。 即使被加工表面被微小的剩余異物覆蓋,蝕刻劑也會(huì)繞到,導(dǎo)致缺陷。這是不可能的。 另外,在我們采用的干法蝕刻后進(jìn)行濕法蝕刻的方法中,還具有使干法蝕刻形成的微小玻璃缺陷不受濕法蝕刻的影響的優(yōu)點(diǎn)。 因此,很大程度上抑制了難以修正的缺陷的發(fā)生。對于挖入玻璃類型的Levenson型相移掩模,蝕刻沒有終點(diǎn)是其最大的特征。

? ? ? 此外,目前,為了滿足相位差規(guī)格,在Levenson型相移掩模的蝕刻方面,出現(xiàn)了不是一下子進(jìn)行規(guī)定的蝕刻,而是中途從蝕刻裝置中取出一次,測量當(dāng)時(shí)的蝕刻深度后,以計(jì)算出的蝕刻速率進(jìn)行追加蝕刻的情況。 另外,在180度前暫時(shí)停止蝕刻,一點(diǎn)一點(diǎn)地反復(fù)追加,達(dá)到所希望的深度采取這樣的方法。 在這種情況下,從追加蝕刻的穩(wěn)定性等方面來看,濕法蝕刻是有利的,能夠?qū)崿F(xiàn)更高精度的相位差控制(中心值控制)。

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結(jié)果和討論

? ? ? 總結(jié)本文介紹了半導(dǎo)體光掩模中,濕蝕刻技術(shù)不可或缺的Levenson型相移掩模的現(xiàn)狀。 結(jié)合濕法蝕刻的各向同性和干法蝕刻的各向異性,對于此前在平面上發(fā)揮功能的光掩模,導(dǎo)入立體結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)了能夠延長光刻壽命的掩模。 目前,這種結(jié)構(gòu)的Levenson型相移掩模已經(jīng)在量產(chǎn)水平上用于部分用戶的特定器件,對于65nm技術(shù)節(jié)點(diǎn),其適用范圍將會(huì)擴(kuò)大。


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