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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關(guān)模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應(yīng)用范圍:l 本機臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設(shè)計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J?#160;設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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通過濕蝕刻對玻璃表面進行微細加工

時間: 2021-11-29
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通過濕蝕刻對玻璃表面進行微細加工

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引言

由于玻璃材料具有耐用性,光滑性,高絕緣性和透明性的特點,近年來,除了顯示器,光學(xué)元件和記錄介質(zhì)外,人們對其應(yīng)用于MEMS(微機電系統(tǒng))和類似TAS(微全分析系統(tǒng))等新領(lǐng)域的期望越來越高。 此外,還研究了許多將玻璃材料與金屬等不同種類的材料接合以制造新功能元件的方法。 特別是多成分玻璃表面的性質(zhì)與帕爾克有很多不同,最表面的組成、硅烷醇基等官能基、水分和有機物的吸附等因素對表面的耐候性、耐化學(xué)性、與異種材料的粘著性、包括加工性在內(nèi)的機械特性等有各種各樣的影響。 因此,在新功能材料中控制或改性表面性質(zhì)是重要課題之一。

基本原理是利用了在加載壓力的情況下,在玻璃表面形成壓縮層后,該部位的耐酸性,特別是腐植酸引起的耐蝕刻性發(fā)生較大變化的現(xiàn)象。 在本方法的要素技術(shù)中,有機械加工工藝和化學(xué)方面的玻璃表面的改質(zhì)這2個方面。 在本綜述中,筆者等人將從迄今為止的研究中,首先從表面改質(zhì)的觀點,介紹壓力加載引起的玻璃表面化學(xué)性質(zhì)的變化,并結(jié)合實驗結(jié)果,然后闡述其在微細加工中的應(yīng)用。

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實驗

在此,首先對鋁硅酸鹽類玻璃的結(jié)果進行說明。 圖1顯示的是,對于含有堿金屬氧化物、堿土金屬酸化物及微量氧化物等的各種鋁硅酸鹽類玻璃,關(guān)注作為主要成分且形成玻璃骨架的SiO*和AkOia, 在沒有加載壓力的部位,隨著SiO―AU0S的減少,蝕刻速度顯著增大。

?通過濕蝕刻對玻璃表面進行微細加工

1(SiOi-AU0*)蝕刻速率與玻璃成分之間的關(guān)系

結(jié)果表明,在不施加壓力的區(qū)域,在用富硅酸蝕刻后,玻璃表面附近(幾納米)的SiO2以外的組分顯著減少,而在施加壓力的區(qū)域,這種現(xiàn)象幾乎不發(fā)生B)。如圖2的簡單示意圖所示,在不施加壓力的普通鋁硅酸鹽玻璃中,已知除SiO2以外的相對較弱的耐酸組分在酸性水溶液中選擇性地洗脫12-14)。因此,當(dāng)作為網(wǎng)狀物的Al離子洗脫時,剩余的SiO2層不能保持玻璃結(jié)構(gòu),并且其耐化學(xué)性顯著降低。因此,氟離子(主要是H町)很容易侵蝕和蝕刻。

?通過濕蝕刻對玻璃表面進行微細加工

2 腐植酸蝕刻時產(chǎn)生的玻璃成分的選擇性洗脫(示意圖)

如上所述,在鋁硅酸鹽玻璃的蝕刻中,含Al離子在酸性氣氛下的選擇性洗脫是決定蝕刻速度的重要因素,蝕刻速度的成分依賴性的產(chǎn)生。 另一方面,這種選擇性洗脫在壓力施加部分沒有發(fā)生的事實被認為是,在該部分,選擇性洗脫不再是決定蝕刻速度的因素,而是氟離子對SiO2網(wǎng)絡(luò)的攻擊變得占主導(dǎo)地位,導(dǎo)致蝕刻速度的降低和組成依賴性的降低。 通過加載壓力抑制選擇性溶出的原因還不清楚,但可以推測,玻璃表面被局部壓縮9),其結(jié)果是網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的各分子間的結(jié)合性發(fā)生了變化。

壓力的加載對硅鋁酸鹽類玻璃的耐酸性產(chǎn)生了顯著影響,但我想簡單介紹一下除此之外的玻璃。 例如,已知SiO2比例高的所謂鈉鈣基玻璃,耐酸性(蝕刻速度)的變化幾乎不發(fā)生8)^,那么,多孔硅酸鹽基玻璃和石英玻璃等SiO2比例更高的組成如何? 如上所述,在這些玻璃中,隨著壓力加載,蝕刻速度的變化得到確認的oSiO2比率高的玻璃,當(dāng)然不會發(fā)生選擇性的溶出,或者顯著減少。如上所述,已經(jīng)清楚的是,施加壓力不僅對物理現(xiàn)象(例如壓縮)產(chǎn)生很大影響,而且對化學(xué)因素(例如蝕刻速率的變化)產(chǎn)生很大影響。接下來,從將這種現(xiàn)象應(yīng)用于精細加工技術(shù)的角度進行解釋。

3的(a)(b)顯示了筆者等人提出的微加工方法的原理和工藝10)。 從這個圖可以看出,過程非常簡單。 首先,準(zhǔn)備符合目的的玻璃,根據(jù)需要進行研磨和清洗等處理后,用金剛石等壓頭在玻璃表面上進行局部壓縮(高密度化)程度的負荷掃描。接著,用富二酸類水溶液對該玻璃進行蝕刻,如前所述,由于高密度化部位的蝕刻速度降低,殘留為凸?fàn)睿诓AЩ灞砻娴娜我馕恢眯纬砂纪菇Y(jié)構(gòu)體成為可能。 但是,其加工性不一樣,從壓力加載時的形狀變化和壓力加載部與非壓力加載部的蝕刻速度比等方面來看,存在適合本加工技術(shù)的組成。 ?關(guān)于壓力加載。

如圖3的(c)所示,通過。x―用NC控制工作臺,可以在玻璃表面直接描繪各種圖案。 從該程序可知,在本加工方法中,圖案寬度方向的精度是根據(jù)用于壓力加載的壓頭及定位制度來決定的。 ?而且,最近也確認了通過激光照射也可以進行同樣的蝕刻速度變化。 因此,與機械施加壓力相比,更高密度的部分被更深地放置在玻璃的深處

4顯示的是蝕刻量與壓力加載部位高度的關(guān)系。 如圖所示,壓力施加部位的高度幾乎與蝕刻量成比例地增大。 本來,可以推測加載壓力的影響在玻璃的深度方向上有分布,但對蝕刻速度變化的影響是一定的,從高度控制的觀點來看是有利的。 作為蝕刻液,基本上使用的是基于腐植酸的蝕刻液。 正如根據(jù)上述機理所設(shè)想的那樣,蝕刻的化學(xué)因素會影響蝕刻速度的變化。 更具體地說,已經(jīng)明確了通過促進選擇性溶出,蝕刻速度比大幅增大。 例如,通過改變蝕刻液的pH值即使這樣,其程度也可以發(fā)生很大變化。 到目前為止,通過優(yōu)化組成和蝕刻條件,已確認壓力加載部非壓力加載部的蝕刻比可以調(diào)整到1:10 0以上。

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討論和總結(jié)

本綜述從玻璃表面的耐化學(xué)性變化和在微細加工中的應(yīng)用的觀點出發(fā),闡述了利用富二酸對玻璃的蝕刻速度隨著壓力的加載而發(fā)生變化的現(xiàn)象的原理和特征。 正如文章開頭所提到的那樣,微細加工法還有很多其他的種類,各有各的優(yōu)良特點。 此次介紹的技術(shù)也是微細加工技術(shù)或表面改性技術(shù)的一種,另外,通過與包括樹脂和金屬在內(nèi)的各種異種材料的組合,期待能帶來新的應(yīng)用和發(fā)展。


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