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濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為L(zhǎng)ED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡(jiǎn)便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽(yáng)極和電力線擋板組成的陽(yáng)極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場(chǎng)不均問(wèn)題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來(lái)的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場(chǎng)環(huán)境。通過(guò)進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場(chǎng)。從而通過(guò)改變流場(chǎng)的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過(guò)技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái),可同Run 50片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過(guò)20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無(wú)刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染l 不銹鋼N2過(guò)濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開(kāi)關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂(lè)故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng):?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對(duì)應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問(wèn)題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過(guò)濾器:配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時(shí)間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過(guò)濾器:配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化...
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使用濕法蝕刻的無(wú)硅磨粒切片

時(shí)間: 2021-11-29
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使用濕法蝕刻的無(wú)硅磨粒切片

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引言

為了進(jìn)一步增加太陽(yáng)能電池的普及率,降低太陽(yáng)能電池板的成本變得很重要。在晶體Si系太陽(yáng)能電池板中,Si晶圓的材料成本和制造成本占整個(gè)電池板的成本的比例不少。通過(guò)將金剛石磨粒附著在線材上的金剛石線材進(jìn)行固定磨粒切割的方法正在普及。 切出的Si晶圓表面發(fā)生損傷,切斷槽寬度(卡洛斯)的降低有界限等問(wèn)題。

在這樣的背景下,作為不依靠機(jī)械加工的新Si的切斷技術(shù),正在討論放電加工和電解加工,等離子蝕刻等加工技術(shù)的應(yīng)用1―3)。作為不依靠機(jī)械加工的切片法之一,筆者們開(kāi)發(fā)了利用濕法蝕刻的新切斷技術(shù)“蝕刻援用切片”4)。

該加工技術(shù)的特征是,在蝕刻液(蝕刻劑)中行進(jìn)的金屬絲,通過(guò)與Si錠接觸進(jìn)行相對(duì)運(yùn)動(dòng),以化學(xué)作用為主體進(jìn)行加工。本報(bào)告將利用開(kāi)發(fā)的加工技術(shù)對(duì)單晶Si進(jìn)行加工,并介紹其加工特性和加工面質(zhì)量。

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實(shí)驗(yàn)

由于濕法蝕刻通常是各向同性蝕刻,因此即使在Si表面上施加掩模,蝕刻劑也會(huì)侵入掩模的下部,從而產(chǎn)生底切通常很難進(jìn)行加工。另一方面,在濕法蝕刻中,如果能夠在抑制溝的寬度方向的蝕刻速度的同時(shí),促進(jìn)深度方向的蝕刻速度,就可以實(shí)現(xiàn)各向異性的加工。

? ? ? 因此, 向Si錠提供蝕刻劑, 設(shè)想了用行進(jìn)的金屬絲摩擦鑄錠的加工方法。在Si鑄錠和金屬金屬絲的接觸點(diǎn),通過(guò)產(chǎn)生摩擦熱和引入新鮮的蝕刻劑等,可以提高向深度方向的蝕刻速度。另一方面,通過(guò)蝕刻劑組成的最優(yōu)化,研究了溝寬方向的蝕刻的抑制。

? ? ? 如果能夠?qū)崿F(xiàn)這樣的加工方法,由于是基于化學(xué)作用的材料去除,在金剛石金屬絲切斷時(shí)不會(huì)對(duì)成為問(wèn)題的切斷面產(chǎn)生機(jī)械損傷,可以進(jìn)行加工。另外,與金剛石金屬絲相比,由于可以降低工具金屬絲的負(fù)荷,因此可以通過(guò)使用細(xì)金屬絲來(lái)降低卡洛斯等優(yōu)點(diǎn)。在Si的濕法蝕刻中,多使用KOH和TMAH等的堿溶液,以及硝酸和氫氟酸(氫氟酸)的混合酸--硝基氫氟酸。其中,硝基氫氟酸的晶體方位依賴性小,可以得到實(shí)用的蝕刻速度(最大800μm/min)5)等,因此選擇了本加工技術(shù)中的蝕刻劑

使用濕法蝕刻的無(wú)硅磨粒切片?

4 線速度(運(yùn)行速度)與加工速度的關(guān)系

? ? ? 如圖4所示,隨著鋼絲運(yùn)行速度的增加,加工速度也幾乎成比例地增加,最大可以得到120μm/min的加工速度。根據(jù)上述結(jié)果,決定蝕刻劑的組成為硝酸濃度40 wt%,氫氟酸濃度4 wt%,用不同線徑的線進(jìn)行加工時(shí),顯示的是卡牙線,如圖5所示??ㄑ谰€依賴于線徑,顯示出比線徑大10μm左右的值。

使用濕法蝕刻的無(wú)硅磨粒切片?

5 線徑和線牙線的關(guān)系

? ? ? 整個(gè)加工槽中卡牙線基本固定,從圖5插入圖的切面觀察來(lái)看如圖所示,即使在溝的入口部也不會(huì)擴(kuò)大,具有高長(zhǎng)寬比。如上所述,盡管使用了一般為各向同性蝕刻的氟硝酸,但在開(kāi)發(fā)的加工技術(shù)中卻變成了各向異性蝕刻,實(shí)現(xiàn)了高長(zhǎng)寬比的加工。

? ? ? 氟硝酸的Si蝕刻,如下式所示,通過(guò)硝酸對(duì)Si表面的氧化(式(1))和氟酸對(duì)氧化膜的溶解(式(2))進(jìn)行反應(yīng)。Si+4HNO3→3SiO2+4NO+2H2O(1)SiO2+6HF→H2SiF6+2H2O(2)硝酸濃度高。 氫氟酸濃度低的蝕刻劑中, Si的氧化速度足夠大, 氫氟酸對(duì)氧化膜的溶解速度較小,這就是限速過(guò)程。因此,導(dǎo)線接觸部以外的蝕刻速度(也就是溝寬方向的蝕刻速度)變小。另一方面,在導(dǎo)線和Si的接觸點(diǎn),可以預(yù)想到Si表面生成的氧化膜會(huì)通過(guò)與導(dǎo)線的摩擦而被除去。另外,在與導(dǎo)線的接觸點(diǎn),會(huì)產(chǎn)生摩擦熱,氧化膜的溶解速度會(huì)增加。在蝕刻過(guò)程中,Si表面生成的NO氣體和H2SiF6等反應(yīng)生成物會(huì)妨礙蝕刻。在導(dǎo)線的附近,由于導(dǎo)線的運(yùn)動(dòng),蝕刻劑會(huì)被攪拌,而在遠(yuǎn)離導(dǎo)線的部分,蝕刻劑會(huì)滯留,反應(yīng)生成物不會(huì)被除去,蝕刻速度會(huì)顯著降低。

因此,相對(duì)于加工槽的寬度方向的蝕刻速度度小到可以忽略不計(jì),與此相對(duì),深度方向的蝕刻速度足夠大,可以認(rèn)為實(shí)現(xiàn)了各向異性的蝕刻。另一方面,如果提高氫氟酸濃度,氧化膜的去除速度就會(huì)提高,鋼絲摩擦點(diǎn)以外的蝕刻速度也會(huì)變大,結(jié)果導(dǎo)致了卡洛斯的增大

為了在本技術(shù)中改善加工面粗糙度, 對(duì)蝕刻劑組成進(jìn)行了探討。在Si的氟硝酸蝕刻中, 通過(guò)在稀釋劑(氫氟酸和硝酸以外的成分)中添加醋酸, 有報(bào)告指出可以改善表面粗糙度。如果用光學(xué)顯微鏡觀察各個(gè)加工面的話, 在不添加醋酸的情況下,觀察到了大小為數(shù)十μm的橢圓形結(jié)構(gòu)。這是用氟硝酸進(jìn)行Si蝕刻時(shí)所看到的典型結(jié)構(gòu),有報(bào)告稱其起因是蝕刻劑中的活性反應(yīng)種(亞硝基鎓離子,NO+)不均分布在Si表面7)。

隨著醋酸濃度的增加,該橢圓形結(jié)構(gòu)的大小變小,在醋酸濃度最高的蝕刻劑中幾乎沒(méi)有觀察到。這是因?yàn)樘砑哟姿嵋种屏宋g刻劑中反應(yīng)種的不均分布。另外,評(píng)價(jià)了向蝕刻劑中添加醋酸對(duì)加工特性的影響的結(jié)果,加工速度以及碳牙線是醋酸濃無(wú)論程度如何,都顯示出基本恒定的值,確認(rèn)了添加醋酸不會(huì)對(duì)加工特性產(chǎn)生不良影響。

如上所述,通過(guò)在蝕刻劑的稀釋液中使用醋酸,可以改善加工表面粗糙度,而不會(huì)使加工特性惡化,并且可以獲得與金剛石線加工表面基本相同的表面粗糙度。

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結(jié)果和討論

在本報(bào)告中,介紹了利用濕法蝕刻的新Si切片法。與以往的機(jī)械加工切片不同,最大的特征是可以在無(wú)損傷的情況下進(jìn)行加工。另一方面,提高加工速度和處理含有氫氟酸的有害蝕刻劑成為課題?,F(xiàn)在,通過(guò)賦予某種能量,試圖解決上述課題。


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