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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計,微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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微泡基礎(chǔ)知識及其在半導(dǎo)體清洗中的應(yīng)用

時間: 2021-11-22
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微泡基礎(chǔ)知識及其在半導(dǎo)體清洗中的應(yīng)用

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介紹

小氣泡顯示出與普通氣泡不同的行為。普通氣泡在水中急速浮起,在表面破裂消失。但是,如果成為直徑小于50μm的氣泡,則會慢慢浮起并縮小,最終在水中消失。在水中變小消失(或者看起來消失)的氣泡在這里被稱為微氣泡。微氣泡在水中急劇縮小的原因是,由于它是小氣泡,內(nèi)部的氣體有效地溶解在周圍的水中。氣泡的這種縮小意味著“氣液界面”的變化,具有重要的工程學(xué)意義,即氣泡內(nèi)部壓力的上升和表面電荷的濃縮,以及對發(fā)揮作用的固體表面的洗滌效果的表現(xiàn)。

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臭氧微泡清洗半導(dǎo)體晶片

半導(dǎo)體是支撐現(xiàn)代社會最重要的電子零部件。在該制造中使用了被稱為光刻機(jī)的技術(shù),在該制造中清洗是非常重要的工序之一。一直以來,半導(dǎo)體晶圓的清洗中使用了強(qiáng)力的藥液。其中,在光刻膠(感光性有機(jī)物)的去除中使用了硫酸過水(SPM:硫酸+過氧化氫/150℃)。該藥液雖然發(fā)揮了強(qiáng)力的清洗力,但由于存在廢液處理和安全上的問題,因此在接近室溫的條件下以“水”為基礎(chǔ)進(jìn)行清洗被認(rèn)為是夢想中的技術(shù)。因此,我們一直在推進(jìn)利用微氣泡的半導(dǎo)體晶圓清洗技術(shù)的開發(fā)。

2所示的是用微泡清洗處理非常困難的半導(dǎo)體晶圓的照片。在制造工序中注入非常大量的離子時,在光刻膠的表面附近形成被稱為外殼的硬化層。如果形成這樣的硬化層,除去光刻膠就變得非常困難。即使是強(qiáng)藥液的硫酸過水,除去也不容易。但是,如果利用含有臭氧的微泡,僅用水就能將其除去干凈。當(dāng)然,普通的臭氧水是完全無法比擬的對象,但是利用微氣泡,因此,有可能建立環(huán)境友好的洗滌技術(shù)。

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微泡的特征

為了明確顯示微氣泡的特征,我們對兩個模型進(jìn)行了比較。也就是說,漂浮在空中的“水滴”和漂浮在水中的“氣泡”。這兩者雖然看起來相似,但一個是被空氣包圍的水的塊,另一個是被水包圍的空氣的塊。雖然都是具有氣液界面的存在,但是想著眼于“動態(tài)的變化”這一點(diǎn),對兩者進(jìn)行比較。下小水滴和小氣泡,都是被水和氣體的邊界(氣液界面)包圍的存在,表面張力作用于這些氣液界面。這個表面張力,從宏觀的角度來看,是使其表面變小的作用力??梢灶A(yù)測細(xì)微的水滴和氣泡保持著接近真球的形狀。當(dāng)這個界面帶有縮小的作用力時,結(jié)果被界面包圍的對象被“加壓”。這個內(nèi)壓的上升,用楊氏拉普拉斯的公式來表示。

微小個體的特征是表面積相對于體積變大,即比表面積的增加,這對個體的壽命有很大的影響,即液滴通過蒸發(fā)而消失,氣泡通過溶解而消失。在此,環(huán)境具有重要的意義,與平衡條件的差異成為現(xiàn)象中的主要驅(qū)動力。在此,兩者之間產(chǎn)生了決定性的差異。也就是說,水滴受到周圍狀況的強(qiáng)烈影響,而氣泡通過自身的力量創(chuàng)造出有利于溶解的環(huán)境。

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微泡帶電

當(dāng)考慮微泡的效果時,內(nèi)部壓力的增加是一個關(guān)鍵字,其具有產(chǎn)生“過飽和”的效果。然而,已經(jīng)發(fā)現(xiàn),存在比壓力更重要的因素,這是氣泡的電特性。實際上,該特性也是由“界面”產(chǎn)生的效果,并且是導(dǎo)致界面縮小的微泡中非常獨(dú)特的結(jié)果的根源。圖3表示電泳單元中微氣泡的移動軌跡。在兩側(cè)配置電極,斷斷續(xù)續(xù)地切換正負(fù)時,氣泡在Z字形運(yùn)動的同時上升。通過分析該運(yùn)動,可以讀取氣泡所具有的電學(xué)特征。

也就是說,蒸餾水中的微氣泡帶負(fù)電,澤塔電位的值大致為―35mV(圖4)。zeta電位是通過電泳法求得的數(shù)值,是滑動面的數(shù)值,在微泡的情況下,可以認(rèn)為與氣液界面的電位沒有太大的差異。

試著進(jìn)行了如下的實驗。蒸餾水中的微氣泡的zeta電位是圖4所示的值,試著在這個水中添加了少量的酒精。其結(jié)果,即使添加甲醇和乙醇,zeta電位也不會有太大的變化。但是,如果添加丙醇和丁醇,這個電位量就會開始劇烈波動(參照圖5)。由于酒精本身沒有帶電荷,所以這個結(jié)果被認(rèn)為是意料之外的現(xiàn)象。但是,這個結(jié)果在考慮氣泡帶電的基礎(chǔ)上成為了重要的指標(biāo)。

微泡基礎(chǔ)知識及其在半導(dǎo)體清洗中的應(yīng)用?

5 向蒸餾水中加入0.5%丙醇時微泡的ζ電位

甲醇和乙醇是與水完全混合的物質(zhì)。與此相對,碳基稍長的丙醇和丁醇雖然在某種程度上能溶于水,但也帶有疏水性的性質(zhì)。其結(jié)果是,酒精分子有聚集在氣液界面的傾向。如前所述,水分子的集團(tuán)形成了結(jié)構(gòu)。一般認(rèn)為,酒精的存在多少會對該結(jié)構(gòu)產(chǎn)生影響。特別是當(dāng)丙醇和丁醇聚集在界面上時,氣液界面本來具有的水分子的結(jié)構(gòu)就會受到很大的破壞。雖然沒有向杯子中的水中添加帶電粒子(離子類),但微氣泡的zeta電位發(fā)生劇變的現(xiàn)象表明,水電離產(chǎn)生的H+和OH―的分布對氣液界面的帶電起到了重要的作用。另外,水的結(jié)構(gòu)很有可能與該分布有很大的關(guān)系。

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氧微氣泡引起的光刻膠的變化

為了進(jìn)一步探討這個機(jī)理,我們利用氧的微氣泡實施了伴隨結(jié)殼的光刻膠的除去試驗。但是,在這種情況下,除去是不可能的。即使是SPM也是很難處理的對象,雖然被認(rèn)為是理所當(dāng)然的結(jié)果,但是發(fā)現(xiàn)了有趣的現(xiàn)象。其照片如圖9所示。含有氧微氣泡的超純水,雖然向一定方向流動,但是在光刻膠的圖形中,水流從正面碰撞的側(cè)面的光刻膠上發(fā)現(xiàn)了變化??梢哉J(rèn)為,由于氣泡的縮小過程,成為電荷塊的微氣泡,可能對光刻膠產(chǎn)生了某種作用。

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總結(jié)

在最初,我們期待著伴隨微氣泡作用的化學(xué)效果。當(dāng)然,這是通過活性物質(zhì)的生成等伴隨著很大的作用,在半導(dǎo)體的清洗中也是不可忽視的影響因素。但是,考慮到臭氧微氣泡的剝落情況和氧微氣泡的效果,我們認(rèn)為微氣泡的物理效果和電荷特性也是不可忽視的。特別是作為微氣泡的特征,動態(tài)變化是重要的原因,在其過程中,例如表面電荷的濃縮被認(rèn)可。在完全消失的時候,雖然也會產(chǎn)生羥基自由基等活性物質(zhì),但其遷移過程中的靜電效應(yīng)也可能在清洗中起著重要的作用。

這種機(jī)理的探討,與清洗的技術(shù)相關(guān)聯(lián),期待著有很大的突破。事實上,通過實施簡單的方法,成功地將利用微氣泡的光刻膠的去除速度提高了5倍左右。


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