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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關(guān)模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標:最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應(yīng)用范圍:l 本機臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設(shè)計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J?#160;設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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晶圓基板清洗和干燥的基礎(chǔ)研究

時間: 2021-11-17
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晶圓基板清洗和干燥的基礎(chǔ)研究

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引言

? ? ? CMP裝置被應(yīng)用于納米級晶圓表面平坦化的拋光工藝。 拋光顆粒以各種狀態(tài)粘附到拋光后的晶片表面。必須確實去除可能成為產(chǎn)品缺陷原因的晶圓表面附著物,CMP后的清洗技術(shù)極為重要。在本文中,關(guān)于半導(dǎo)體制造工序之一的CMP后的晶圓清洗工序,通過可視化實驗,從流體工程學(xué)的觀點出發(fā),闡明其機理,以構(gòu)筑能夠在各種條件下提出最佳清洗方法的現(xiàn)象的模型化為目的。因此,我們進行了可視化實驗、流動特性、剪切流動特性、液體置換特性、液滴的蒸發(fā)除去特性等基礎(chǔ)研究。

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實驗

? ? ? 藥液清洗過程:由于CMP后的晶圓表面附著有多個磨粒,因此通過刷子清洗等施加物理外力,使磨粒剝離,通過液流(藥液)排出。由于轉(zhuǎn)數(shù)、流量等條件會受到怎樣的影響,至今還沒有得到確認。因此,對向旋轉(zhuǎn)的晶圓上供給沖洗水時的沖洗水的流動特性進行了可視化觀察。具體來說,我們觀察了將溶解了白色顏料的純凈水供給到旋轉(zhuǎn)的晶圓表面時液膜的擴散方式,調(diào)查了根據(jù)晶圓的種類、旋轉(zhuǎn)數(shù)、供給流量,液膜的擴散狀態(tài)是如何變化的。

? ? ? 通過旋轉(zhuǎn)圓盤上的液流去除晶片附著粒子:通過由晶片的旋轉(zhuǎn)引起的剪切液流來估計可以去除粘附到晶片表面的細顆粒的細顆粒直徑。首先,圖4表示液膜內(nèi)速度分布的定義以及作用于晶圓上微粒子的力的模式圖。結(jié)果顯示,特別是在轉(zhuǎn)數(shù)500 rpm時,Si3N4粒子平均可去除0.15μm。可以認為,這是因為隨著旋轉(zhuǎn)數(shù)的增加,液膜速度變快,對粒子產(chǎn)生了較強的分離力。但是,可以確認半徑50~60 mm附近可除去微粒子的直徑有所增加。可以認為,這也是由于跳水引起的,因為在跳水中流速急劇喪失,作用于粒子的分離力也喪失了。

晶圓基板清洗和干燥的基礎(chǔ)研究?

4 液膜中速度分布的定義及作用于晶片上微粒的力的示意圖

? ? ? 關(guān)于藥液的純水的液體置換過程:為了使實際使用的噴嘴和液體置換特性達到良好的條件,確立了對時間變化的液體置換率進行定量化的測量技術(shù)。有望成為沖洗最優(yōu)化模型的有效手段。首先,將藥液置換為純水的過程進行可視化觀察,從準備將液體置換特性定量化的實驗裝置開始,使用特殊的液體代替實際使用的藥液,在晶圓的整個表面涂上該液體,在各種條件下用純水進行沖洗,并通過特殊的觀察方式成功地將該過程數(shù)值化。其次,將晶圓上的液膜流作為邊界層流,以邊界層理論為基礎(chǔ),將液置換的行為模型化,并與實驗結(jié)果進行了比較。 其結(jié)果證實,使用邊界層理論的模型可以在一定程度上評價液體置換特性。 但是,為了使其與實驗結(jié)果更加一致,除了邊界層理論之外,還暗示了有必要對液體的混合行為進行模型化。

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結(jié)果和討論

? ? ? 離心加速度場硅片上的液滴行為:當(dāng)停止供給清洗液時,在旋轉(zhuǎn)晶片上形成的液膜分裂成液滴,通過離心力除去到晶片外。 但是,分裂的液滴體積變小后,離心力無法除去,殘留在晶圓上。關(guān)于液滴體積、晶圓的種類、離心力(晶圓轉(zhuǎn)數(shù))變化時的液滴的動態(tài)行為及蒸發(fā)行為,還沒有得到充分的見解。到目前為止,我們研究了模擬靜止晶圓上的液滴蒸發(fā)行為的蒸發(fā)模型。因此,以該公式為基礎(chǔ),對模擬實際旋轉(zhuǎn)晶圓上的蒸發(fā)行為的模型公式進行了探討。

? ? ? 靜態(tài)晶圓上的蒸發(fā)模型公式:通過對靜止晶圓上的液滴蒸發(fā)過程的觀察,可以觀察到晶圓膜種類不同,液滴的蒸發(fā)形態(tài)也不同。有接觸半徑恒定的CCR蒸發(fā)過程和接觸角恒定的CCA蒸發(fā)過程,如圖7。接觸半徑恒定的CCR蒸發(fā)過程與晶圓的接觸半徑恒定,高度減小,蒸發(fā)進行,接觸角恒定的CCA蒸發(fā)過程與晶圓的接觸角恒定,液滴整體縮小,蒸發(fā)進行。

? ? ? 在此,對液滴為部分球形時的蒸發(fā)模型式內(nèi)容進行說明??紤]到靜止晶圓上的液滴,如圖8所示的部分球形的情況,假設(shè)液滴表面由于蒸發(fā)水蒸氣經(jīng)常處于飽和狀態(tài),考慮到水蒸氣在氣氛中準穩(wěn)定地擴散,液滴的蒸發(fā)進行,以擴散方程式為基礎(chǔ)求出了蒸發(fā)速度。

該模型式的第一項表示液滴表面整體的蒸發(fā),第二項表示液滴端部的蒸發(fā)效果,與實驗結(jié)果非常一致。

晶圓基板清洗和干燥的基礎(chǔ)研究

8 定義蒸發(fā)模型和每個變量

? ? ? 旋轉(zhuǎn)晶圓上的液滴行為和蒸發(fā)模型式:使用圖9所示的實驗裝置,觀察了離心加速度作用于液滴時液滴的移動行為。將晶圓固定在直徑800 mm的旋轉(zhuǎn)臺上,滴下液滴。使旋轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)數(shù)連續(xù)變化,使用設(shè)置在旋轉(zhuǎn)臺上的照相機,從液滴垂直方向及水平方向兩個方向觀察液滴的動向。根據(jù)晶圓膜的不同,離心加速度場中液滴行為的不同。定義了作用于液滴和晶圓間的相互作用能量,構(gòu)筑了計算出離心力可除去的最小液滴體積的公式。結(jié)合結(jié)果,構(gòu)筑了求旋轉(zhuǎn)晶圓上殘留液滴蒸發(fā)壽命的理論模型。該模型采用了向晶圓上形成的氣流邊界層傳達物質(zhì)的效果。其結(jié)果證實,本文中構(gòu)筑的模型能夠在一定程度上定量預(yù)測旋轉(zhuǎn)晶圓上液滴的蒸發(fā)壽命。

? ? ? 晶圓端部液滴行為的觀察:在晶圓端部附著有液滴的情況下,通過晶圓旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力,對能否除去液滴進行了基礎(chǔ)研究。在代表性膜種的晶圓上,在晶圓端部附著各種大小的液滴的基礎(chǔ)上,一邊提高旋轉(zhuǎn)數(shù),一邊觀察液滴有無飛散。結(jié)果表明,液滴體積越大,即使在較低的旋轉(zhuǎn)數(shù)下,液滴也會飛散。另外,還顯示了膜種類和端部形狀對飛散特性的影響,明確了不能完全地飛散除去液滴,會有部分殘留。

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總結(jié)

? ? ? 本文以實驗得到的數(shù)據(jù)為基礎(chǔ),準確地提取對現(xiàn)象有用參數(shù),以工學(xué)理論為基礎(chǔ)構(gòu)建的現(xiàn)象模型化的提案和由此導(dǎo)出的模型式,對于半導(dǎo)體清洗、干燥技術(shù)來說,也是非常有意義的結(jié)果。

? ? ? 從宏觀角度(旋轉(zhuǎn)晶圓上的液流等觀察對象較大的主題)出發(fā)的研究,正在逐漸向微觀角度(通過液流除去微粒子、液置換等對象較小的主題)的研究轉(zhuǎn)移。像這樣,通過從宏觀的觀點到微觀的觀點,按順序進行研究,我們切身感受到現(xiàn)象得到了切實的整理,正在穩(wěn)步地取得成果。


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