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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發(fā)展,濕法設備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統(tǒng)潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統(tǒng)集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關清洗設備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應用,產(chǎn)品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標:最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統(tǒng)設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注華林科納(江蘇)半導體官網(wǎng),關注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J?#160;設備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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RCA清洗系統(tǒng)及清洗液自適應預測溫度控制

時間: 2021-11-16
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RCA清洗系統(tǒng)及清洗液自適應預測溫度控制

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引言

? ? ? 在半導體制造工序的硅晶圓的清洗中,RCA清洗法被很多企業(yè)使用。RCA清洗方法是清洗硅片的行業(yè)標準方法,其中清洗溶液的溫度控制對于穩(wěn)定的清洗性能很重要,但它涉及困難,許多清洗溶液顯示非線性和時變的放熱化學反應,由于清洗系統(tǒng)具有處理腐蝕性清洗溶液的特殊設備,系統(tǒng)具有長而波動的時間滯后等。在這里,我們首先提出了一個系統(tǒng)的熱模型,其中通過DSC(差分掃描量熱法)方法,我們分析了清洗溶液的放熱化學反應,如SPM(硫酸/過氧化氫混合物)、APM(氨/過氧化氫混合物)和HPM(鹽酸/過氧化氫混合物)。

? ? ? 為了控制解的溫度,我們使用自適應預測控制器,其中使用自適應方法來處理非線性和時變的放熱反應,預測方法是為了克服時間滯后上的問題。進一步,設計了限制超調(diào)和消除穩(wěn)態(tài)誤差的目標軌跡,并引入了一種新的虛擬采樣方法,以減少所需的內(nèi)存大小和計算時間。我們展示了該熱模型的有效性,并通過計算機模擬和對實際系統(tǒng)的控制,驗證了該控制器的性能。

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實驗

在進行模擬實驗以及實機實驗之前,使用與圖3表示特性的SPM相對應的控制對象模型,以控制區(qū)間8000秒為1次試行,進行了共計5次的控制模擬實驗。據(jù)此,進行了離散模型M的更新,以該更新后的M為初始值,進行了下述的模擬實驗以及實機實驗。在此,由于第2次試行以后得到了與下述結(jié)果相同程度的控制性能,因此可以認為M在第1次試行結(jié)束時基本收斂。并且,在全部試行中,如果不使T1的值增大到一定程度以上,則控制量為控制量引起了容許誤差范圍以上的超調(diào)。另一方面,在使用了同定速度比本方法更快的神經(jīng)網(wǎng)絡的模型切換型適應同定方法的實驗中,即使不使用T1也能得到充分的控制性能。本文中說明的適應同定在第2次試驗中控制性能得到了改善,其有效性得到了確認,但是可以說在各試驗中其適應速度趕不上放熱反應。

對圖3表示特性的控制對象模型進行控制的結(jié)果如圖5(a)所示。這里的計算使用開始控制的t=454秒以后的數(shù)據(jù)進行,需要注意的是,之前的圖中的數(shù)據(jù)沒有意義。另外,在t=5000秒時,作為干擾,強制改變了液體溫度和液體的性質(zhì)。這是為了調(diào)查與此相同程度的溫度下降(約4℃)在硅晶圓浸入清洗液時產(chǎn)生的應答。為了進行比較,在同圖(b)中顯示了以前在實機中使用的PID控制器的控制結(jié)果。該修正PID為了更快地使液溫上升,在控制開始后的一段時間內(nèi)操作量變?yōu)樽畲?,之后如果液溫進入設定值的某個附近內(nèi),就開始PID控制。在此,PID的各增益的值不能用通過自動調(diào)諧,求得的值很好地控制,從該值出發(fā),反復試驗所得。

?RCA清洗系統(tǒng)及清洗液自適應預測溫度控制

5 (a)T1=2100和T2=6000控制的SPM響應,(b)KP=0.12、KI=0.000042、KD=0.10修改的PID控制器

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結(jié)果和討論

將提案算法編入實機,對SPM進行了實驗。根據(jù)用戶的要求,在實機的工作環(huán)境中,有可能改變硫酸和過氧化氫水的混合比,有可能改變控制開始時間,有可能清洗配管內(nèi)的情況,也有可能不清洗配管內(nèi)的情況,在各種情況下,SPM混合后的水化熱導致初期發(fā)熱發(fā)生變化。

另外,本實驗系統(tǒng)是簡易的,室溫和濕度等不太穩(wěn)定,這些會對模型的熱傳遞率κO(為了模型簡略化,在該值中包含了蒸發(fā)產(chǎn)生的散熱等)產(chǎn)生影響?;谝陨系睦碛?,在該實機實驗中,將這些變動值設定為模型進行模擬,設定了具有一定程度安全富余的控制參數(shù)值。該實驗結(jié)果如圖6所示。在此,操作量p在控制開始后的一段時間內(nèi)保持最大值,但一旦(t=716秒附近)變小,之后又回歸到最大值。在此,p變小是因為在該實驗中,在混合后的水化熱發(fā)生結(jié)束之前,即在液溫與室溫(23.7℃)相同時開始控制,因此由于水化熱而急劇上升的液溫比目標軌道高。

?RCA清洗系統(tǒng)及清洗液自適應預測溫度控制

6 APC控制的T1=2614和T2=2400對真實RCA系統(tǒng)的響應

但是,如果直接使用控制開始時設定的目標軌道的話,到整定為止的時間會變長,所以如果液溫比目標軌道高出某一溫度以上的話,就會判斷產(chǎn)生了水化熱的現(xiàn)象,使目標軌道初始化,這樣就會發(fā)生向最大輸入的回歸。液溫在達到θB=130℃之前其上升變得緩慢,之后再次變快。這個變得緩慢的部分是因為目標軌道抑制放熱反應的機構(gòu)起作用的緣故,再次變快的部分是因為固定偏差的修正機構(gòu)起作用的緣故。這些影響作為t=2135~3000秒的區(qū)間中的操作量p的小山狀的變化也表現(xiàn)出來。

另外,不能得到順利控制該實驗系統(tǒng)的修正PID控制器的參數(shù)值,這是因為該實驗系統(tǒng)的參數(shù)如上所述發(fā)生變動,而且對于非線性時變系統(tǒng),確定PID增益的方法非常困難。

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總結(jié)

在本文中,提出了基于RCA清洗系統(tǒng)的熱模型以及適應識別和預測控制的清洗液的溫度控制法,通過模擬和實驗確認了其性能。通過使用提出的熱模型進行模擬,回避了手工操作的實際液體處理所伴隨的危險性和非再現(xiàn)性等,敘述了可以近似地求出清洗系統(tǒng)的舉動。另一方面,對于非線形時變系,逐步確定線形參數(shù)的本文的適應法,在最初的幾次試行的控制中,控制性能得到了改善,確認了其有效性,但是在各試行中,適應速度趕不上放熱反應,洗凈槽溫度發(fā)生了容許誤差范圍以上的超調(diào)。因此,導入了使目標軌道逐漸接近設定值的方法,該方法決定目標軌道的參數(shù)的選定很重要,需要充分考慮動作條件等進行設定。


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