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發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時(shí)間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化...
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太陽能電池硅晶圓污染的清潔

時(shí)間: 2021-11-15
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太陽能電池硅晶圓污染的清潔

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引言

隨著可再生能源推廣擴(kuò)大政策,太陽能電池用硅片的產(chǎn)量正在增加。硅太陽能電池制作過程中發(fā)生的最大問題之一是與制造過程中使用的化學(xué)物質(zhì)的反應(yīng)以及固化引起的化學(xué)物質(zhì)殘留。太陽能電池用硅晶片,單晶及多結(jié)晶都在制造,考慮到制造成本,對共晶污染度處理得比較寬容。太陽能電池領(lǐng)域的工藝污染結(jié)果包括晶片表面的變質(zhì)和微細(xì)粒子物質(zhì)的殘留,統(tǒng)稱為STAIN(STAIN),被區(qū)分為主要污染。本文分析了在硅太陽能電池制造中用作基板的156 mm硅晶片的制造過程中,導(dǎo)致產(chǎn)品不良和性能下降的晶片表面污染源,并對去除這種污染的臭氧水清洗進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。污染物是由晶片切割球晶中使用的漿料及清洗液中包含的有機(jī)物和從燒結(jié)絲分離出來的微粒形成的,可以通過臭氧水清洗工藝去除。應(yīng)用該技術(shù),可以廉價(jià)、高效、環(huán)保地制造太陽能電池用晶片。

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實(shí)驗(yàn)

臭氧功能水的制備:為了制造臭氧功能水,首先要制造大量臭氧氣體,必須將制造的臭氧氣體高濃度溶解到超純水中。臭氧(O3)是不穩(wěn)定氣體上的物質(zhì),主要由放電產(chǎn)生,氧化反應(yīng)后顯示出被自然減半消滅的特性。這種性質(zhì)具有化學(xué)性質(zhì),可應(yīng)用于親環(huán)喇叭超精密清洗方法。清潔領(lǐng)域需要高濃度臭氧,因此主要使用在能效、穩(wěn)定性、控制便利性方面具有優(yōu)良特性的無聲放電(silent discharge)型臭氧發(fā)生裝置。為了生成高濃度臭氧,本方法制作并使用了具有特殊結(jié)構(gòu)的無放電型臭氧發(fā)生器,如圖7所示,將電極表面涂層為油田鏈氧化鋁(Al2O3)。電極的放電間隙在3毫米以下以超細(xì)間隔對向,施加1~ 2kHz、5~20kV范圍內(nèi)脈沖形式的交流高電壓,放電空間出現(xiàn)了淡藍(lán)色的放電。這時(shí),放電空間內(nèi)存在的氧氣結(jié)合在一起,產(chǎn)生臭氧氣體。

太陽能電池硅晶圓污染的清潔?

7 無聲放電臭氧發(fā)生器的結(jié)構(gòu)

以制作的臭氧水清洗裝置為基礎(chǔ),進(jìn)行了硅太陽能電池清洗的工藝。在本清洗裝置中,洗滌液或漿料對晶片表面的有機(jī)污染物在洗滌池內(nèi)通過臭氧水的強(qiáng)氧化反應(yīng)去除,素英絲對鐵或鉻等刨花板安裝在洗滌器外部的超聲波將被消除。清洗實(shí)驗(yàn)中使用了實(shí)際太陽能電池晶片制造工藝中使用的被漿料污染的6英寸單晶晶片。臭氧水供應(yīng)將濃度為10 ~ 70 ppm,臭氧水和超聲波清理時(shí)間改為0 ~ 10分鐘,進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。圖13是臭氧水濃度為50ppm,清洗時(shí)間為10分鐘,清洗良好的晶片表面SEM照片,如圖14所示,除了硅和碳外,還存在一些氧氣。其中氧氣被分析為在清洗過程中被臭氧氧化生成的SILICON表面,可以很容易地被10:1 HF處理(dip)去除。

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結(jié)果和總結(jié)

清洗實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,經(jīng)過5分鐘以上的工序,清洗效果良好的詩篇中沒有觀察到SEM和PARICLEL等殘留物作為六安,SEM測量中也沒有觀察到10㎡以上的異物,從而確認(rèn)了臭氧水對太陽能電池晶片的清洗過程是有效的。但是,臭氧水濃度低于50ppm,清潔時(shí)間低于5分鐘,臭氧水處理時(shí)間不足,留下斯特恩的晶片中,如圖15所示,留下了10㎡以上的異物,EDS分析結(jié)果顯示,如圖16所示,檢測出了大量碳和氧成分。這說明異物是有機(jī)物團(tuán)。超聲波或松下時(shí)間不超過5分鐘。由于羅清洗時(shí)間不足,殘留微細(xì)物質(zhì)的晶片上殘留了如圖17所示的粒子形式的異物,分析結(jié)果顯示,如圖18所示,檢測出了少量的鐵和鉻成分。這說明異物是索英絲碎片。另外,在實(shí)際清洗實(shí)驗(yàn)中,比起Megasonic方式,Particle的超聲波方式更有效。為了更有效地去除燒結(jié)過程中的電線成分——金屬粒子,今后還需要探討氫功能水清洗過程。

?太陽能電池硅晶圓污染的清潔

18 硅片表面微粒EDS分析結(jié)果

綜合以上結(jié)果來看,利用本方法制作的清潔裝置,通過5分鐘以上的臭氧水和超聲波三程,獲得了良好的清潔特性。通常的清洗過程需要10分鐘以上的工序時(shí)間,這可以用優(yōu)秀的結(jié)果來評價(jià)。

另一方面,臭氧水和超聲波產(chǎn)生的清洗過程基本上只有晶片表面形成氧化膜的程度變化。但是使用太強(qiáng)的超聲波,薄厚度的晶片會(huì)受到?jīng)_擊而損壞,因此需要注意點(diǎn)。

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總結(jié)

通過鋼絲燒結(jié)制造的太陽能電池用晶片表面上,還殘留著漿料中包含的冷卻劑或清潔劑產(chǎn)生的大量有機(jī)物,還包括部分索英絲碎片。本方法制作了高濃度臭氧發(fā)生場值和高濃度臭氧溶解功能水制造裝置,并組成了將它們與超聲波裝置相結(jié)合的臭氧水清洗裝置,進(jìn)行了太陽能電池用晶片清洗實(shí)驗(yàn)。用改進(jìn)臭氧腳產(chǎn)生的一般平板放電方式的基因組修飾的結(jié)構(gòu)電極的無性放電型臭氧發(fā)生器。

使用后,通過提高臭氧發(fā)生效率,可以從氧氣流量1[l/min]產(chǎn)生高達(dá)13.7[wt%]的高濃度臭氧。為了生成功能水,臭氧和超純水的接觸方法也擺脫了傳統(tǒng)的簡單接觸方式,應(yīng)用了微氣泡化多次重復(fù)的螺旋結(jié)構(gòu),OOJON很容易溶解在純水上,獲得了高達(dá)70ppm的高濃度OOJON功能水。利用該裝置進(jìn)行了清洗實(shí)驗(yàn),結(jié)果表明,在5分鐘以下的清洗條件下,觀察到了斯特恩或法蒂赫,但在此以上情況下,顯示出了良好的清洗特性。

通過本方法將臭氧水應(yīng)用于太陽能電池用硅晶片的制作工藝中,清洗工藝中有效去除了晶片表面的殘留有機(jī)物和微粒,證實(shí)了臭氧基陵水清洗工藝的適用性。該工藝既經(jīng)濟(jì)又環(huán)保,因此如果今后應(yīng)用于太陽能電池用晶片量產(chǎn)線,可望取得良好的結(jié)果。


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