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發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為L(zhǎng)ED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡(jiǎn)便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽(yáng)極和電力線擋板組成的陽(yáng)極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場(chǎng)不均問(wèn)題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來(lái)的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場(chǎng)環(huán)境。通過(guò)進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場(chǎng)。從而通過(guò)改變流場(chǎng)的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過(guò)技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái),可同Run 50片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過(guò)20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無(wú)刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染l 不銹鋼N2過(guò)濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開(kāi)關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂(lè)故障碼功能: 門(mén)鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng):?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對(duì)應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問(wèn)題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過(guò)濾器:配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時(shí)間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動(dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過(guò)濾器:配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化...
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可選擇性去除氧化鋁的濕式蝕刻法

時(shí)間: 2021-11-13
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可選擇性去除氧化鋁的濕式蝕刻法

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蝕刻是一類用于受控去除材料的常見(jiàn)工藝。氧化鋁的蝕刻在各種應(yīng)用中被發(fā)現(xiàn),包括制造微器件,特別是薄的薄膜磁性結(jié)構(gòu),更特別是磁頭。有各種類型的蝕刻工藝;然而,它們通常都包括將反應(yīng)物輸送到表面、表面反應(yīng)和從表面輸送產(chǎn)物的共同作用。

幾個(gè)特征被用來(lái)描述蝕刻工藝的能力。蝕刻速率是蝕刻材料厚度隨時(shí)間的減少。更快的蝕刻速率通常是有利的,但必須與控制去除材料總量的能力相平衡。希望整個(gè)表面和表面之間的蝕刻均勻。蝕刻過(guò)程的各向同性也被考慮。由蝕刻工藝引起的選擇性和損害的特征通??刂颇姆N類型的蝕刻工藝用于特定的應(yīng)用。表面通常由一種以上的材料組成,其中只有一種材料需要蝕刻。待蝕刻的材料被稱為蝕刻材料。底層和周圍材料指的是結(jié)構(gòu)中不被蝕刻的其余部分。選擇性通常被定義為蝕刻材料的蝕刻速率與結(jié)構(gòu)中不被蝕刻的其他部分的蝕刻速率之比。損害往往與選擇性直接相關(guān)。如果可以實(shí)現(xiàn)完美的選擇性,那么只有蝕刻材料會(huì)被去除,而其他材料不會(huì)發(fā)生蝕刻。如果選擇性差,那么對(duì)其他材料的蝕刻很可能是廣泛的,因此被描述為損壞。腐蝕過(guò)程的部件和結(jié)構(gòu)中的材料之間的不相容性(通常是化學(xué)性質(zhì)的)也可能導(dǎo)致?lián)p壞,例如導(dǎo)致結(jié)構(gòu)腐蝕。

選擇性是蝕刻工藝中的一個(gè)重要考慮因素,因?yàn)樾枰^(guò)蝕刻來(lái)確保蝕刻材料的完全去除。過(guò)蝕刻指的是需要繼續(xù)蝕刻,即使蝕刻工藝已經(jīng)充分去除蝕刻材料以暴露下層。需要過(guò)蝕刻,因?yàn)樵诘湫偷谋砻嫔?,由于以下原因,表面層存在圖案或形貌蝕刻材料厚度的變化,例如由于抗蝕劑掩模的使用。當(dāng)你向下蝕刻穿過(guò)蝕刻材料層時(shí),當(dāng)較薄的區(qū)域被清除時(shí),較厚的區(qū)域會(huì)有殘留的材料。繼續(xù)蝕刻,直到所有區(qū)域,無(wú)論是厚的還是薄的,都清除了蝕刻材料。因此,當(dāng)蝕刻材料層被完全去除時(shí),未被蝕刻的周圍材料和底層可能被拋出,并且蝕刻可能已經(jīng)進(jìn)一步發(fā)生在底層中。發(fā)生在周圍材料和底層中的蝕刻量以及與蝕刻相關(guān)的損傷取決于蝕刻過(guò)程的選擇性。期望高選擇性以避免周圍材料和底層的蝕刻和/或損壞。

蝕刻工藝可分為兩大類:濕法蝕刻和干法蝕刻。濕法蝕刻在液相或液體環(huán)境中進(jìn)行,其中蝕刻材料從固體轉(zhuǎn)化為可溶于液體的形式用于去除。相比之下,干法蝕刻是在真空中進(jìn)行的,在真空中,待去除的材料或“蝕刻材料”被轉(zhuǎn)化為氣體形式,從而到達(dá)表面。與干法蝕刻相比,濕法蝕刻通常更簡(jiǎn)單、更便宜、更快。一般過(guò)程是將待蝕刻的物品放入盛有濕蝕刻劑的容器中。傳統(tǒng)濕蝕刻劑的主要成分是:氧化劑,例如過(guò)氧化氫或硝酸;溶解氧化表面的酸或堿,例如硫酸或氫氧化銨;和輸送反應(yīng)物和產(chǎn)物的魯?shù)辖橘|(zhì),例如水或乙酸。蝕刻完成后,移除并清潔物品。濕法蝕刻可以作為批處理來(lái)執(zhí)行,因此可以快速處理大量的項(xiàng)目,并且是可再現(xiàn)的。濕蝕刻的控制是通過(guò)調(diào)節(jié)蝕刻時(shí)間(例如在槽中的時(shí)間)和蝕刻速率來(lái)實(shí)現(xiàn)的,蝕刻速率與槽的溫度和組成有關(guān)。由于效率的原因,濕法蝕刻優(yōu)于干法蝕刻,但由于選擇性差和某些材料的損壞,其應(yīng)用受到限制。?

對(duì)于氧化鋁的蝕刻,傳統(tǒng)的濕法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)。主要問(wèn)題是氧化鋁通常要在同樣含有過(guò)渡金屬的結(jié)構(gòu)上蝕刻。傳統(tǒng)的氧化鋁濕法蝕刻劑,如:乙二胺四乙酸、濃酸和濃堿,在氧化鋁和過(guò)渡金屬之間的選擇性都很差。選擇性差會(huì)導(dǎo)致結(jié)構(gòu)金屬部分的損壞和腐蝕。氧化鋁蝕刻材料下面的金屬底層暴露出來(lái),并且經(jīng)常受到損害,影響到在這些金屬底層上進(jìn)行的后續(xù)連接。此外,應(yīng)用于結(jié)構(gòu)以控制蝕刻發(fā)生位置的抗蝕劑材料在酸性蝕刻環(huán)境中經(jīng)常失效,對(duì)結(jié)構(gòu)產(chǎn)生不利影響。此外,純度是所有電子材料加工中的關(guān)鍵問(wèn)題。高腐蝕性物質(zhì),如酸和其他反應(yīng)性很強(qiáng)的物質(zhì)很難凈化。?

氧化鋁的選擇性蝕刻是制造微器件的一個(gè)持續(xù)問(wèn)題。通過(guò)干法蝕刻進(jìn)行物理去除是當(dāng)前的選擇方法,但由于氧化鋁和過(guò)渡金屬之間的選擇性差而導(dǎo)致的殘留問(wèn)題,這種方法并不理想。因此,持續(xù)需要一種用于去除氧化鋁的有效蝕刻工藝,該工藝具有改進(jìn)的選擇性,以避免對(duì)結(jié)構(gòu)中其它材料的損壞,尤其是防止對(duì)由于去除蝕刻材料而暴露的金屬層的損壞。

新型濕法蝕刻劑在過(guò)渡金屬存在下選擇性蝕刻氧化鋁,通常稱為氧化鋁,氧化鋁和其它過(guò)渡金屬之間的相對(duì)蝕刻速率至少為10比1。新型濕蝕刻劑的化學(xué)性質(zhì)允許在先前通過(guò)傳統(tǒng)干蝕刻進(jìn)行的制造步驟中使用濕蝕刻。新型濕法蝕刻劑包含一種或多種絡(luò)合劑,其與氧化鋁離子形成絡(luò)合物,并進(jìn)一步穩(wěn)定溶液中的那些絡(luò)合物。絡(luò)合劑在限定的酸堿度范圍內(nèi)的作用提供了氧化鋁的選擇性去除。絡(luò)合劑可以選自:腈基三乙酸、腈基三乙酸鹽、檸檬酸和檸檬酸鹽。通常,總絡(luò)合劑濃度小于0.5M就足夠了。新型含水濕蝕刻劑的一個(gè)實(shí)施方案利用濃度比為約1∶1的腈三乙酸三鈉鹽和檸檬酸鈉作為絡(luò)合劑。?

該新型濕法蝕刻劑包括緩沖水溶液,其酸堿度在約9至約10之間,優(yōu)選在9.3至9.7之間,最優(yōu)選約9.5。酸堿度的選擇基于氧化鋁離子和目標(biāo)金屬的溶解度特性。過(guò)渡金屬和金屬合金,如:鎳鐵、鎳釩、金、鉑、釕和銅,在感興趣的酸堿度范圍內(nèi)的水溶液中通常表現(xiàn)出兩種行為之一。要么金屬不受腐蝕(如釕),要么表現(xiàn)出鈍化(如鎳、鐵和銅)。鈍化是指表面在與濕蝕刻劑接觸時(shí)涂上一層金屬氧化物。金屬氧化物層保護(hù)金屬不與濕蝕刻劑進(jìn)一步反應(yīng),從而用作阻擋層。因此,過(guò)渡金屬層的任何進(jìn)一步蝕刻(如果有的話)只會(huì)非常緩慢地發(fā)生。

新型濕蝕刻劑還可以包括一種或多種潤(rùn)濕劑。在濕法蝕刻中,待蝕刻的物品從空氣中開(kāi)始,然后放入含水環(huán)境中。氣泡可能會(huì)被截留在小特征中,從而阻礙均勻蝕刻。潤(rùn)濕劑防止或減少氣泡的形成。合適的潤(rùn)濕劑必須在感興趣的酸堿度范圍內(nèi)對(duì)水溶液穩(wěn)定。通過(guò)實(shí)驗(yàn),新型濕法蝕刻劑在整個(gè)晶片上顯示出均勻的蝕刻速率,從而增加了對(duì)蝕刻過(guò)程的控制。新型濕蝕刻劑的一個(gè)建議應(yīng)用是制造磁頭。磁頭的制造包括在晶片上重復(fù)應(yīng)用金屬和介電材料的加法、減法和圖案化工藝。晶片隨后被切割成單個(gè)頭部,用于安裝到諸如硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的設(shè)備中。完整的磁頭是一種分層結(jié)構(gòu),包含磁活性特征和導(dǎo)電特征,這些特征依賴于絕緣體層,例如氧化鋁,以便正確操作。磁活性特征和導(dǎo)電特征通常由過(guò)渡金屬和金屬合金組成,包括但不限于:銅、金、鉑、釕、鈷、鎳、鐵、鎳鐵合金、鎳釩合金及其合金。包括磁頭在內(nèi)的結(jié)構(gòu)內(nèi)的磁電路和電路的完成,需要通過(guò)蝕刻絕緣體來(lái)控制減法,最常見(jiàn)的是氧化鋁。?

2示出了示例磁頭的橫截面。磁頭包括讀取器部分和寫(xiě)入器部分。寫(xiě)入器由兩個(gè)磁極組成,即頂部磁極和底部磁極,它們?cè)诖蓬^的空氣軸承表面處通過(guò)寫(xiě)入間隙彼此分開(kāi)。此外,兩個(gè)磁極在遠(yuǎn)離空氣軸承表面的區(qū)域通過(guò)背通路彼此連接。分別由頂部和底部磁極以及反向通路產(chǎn)生的磁通路徑通常稱為磁芯。位于兩極之間的是由電絕緣層封裝的一層或多層導(dǎo)電線圈。為了將數(shù)據(jù)寫(xiě)入磁性介質(zhì),使時(shí)變電流或?qū)懭腚娏髁鬟^(guò)導(dǎo)電線圈。寫(xiě)電流在磁芯中產(chǎn)生時(shí)變磁場(chǎng)。磁介質(zhì)以預(yù)定距離通過(guò)磁頭的空氣軸承表面,使得介質(zhì)的磁表面通過(guò)磁寫(xiě)場(chǎng)。寫(xiě)入電流被改變,從而改變磁寫(xiě)入場(chǎng)的強(qiáng)度和方向。

本方法總體上涉及氧化鋁蝕刻工藝的改進(jìn)。該新型濕法蝕刻溶液將絡(luò)合劑與酸堿度控制相結(jié)合,以提高在過(guò)渡金屬存在下蝕刻氧化鋁的選擇性。新型濕法蝕刻劑與非選擇性常規(guī)干法蝕刻工藝相比,在制造薄膜磁性結(jié)構(gòu)的過(guò)程中,提供了氧化鋁中特征的改進(jìn)蝕刻。


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