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在SOG旋轉/烘烤/固化步驟之間應至少間隔一段時間。大多數SOG用戶“指定”在SOG沉積、烘烤和最終固化后不超過兩個小時。與大多數晶圓廠加工一樣，建議將晶圓儲存在干燥的環(huán)境中(濕度< 40%)、干燥箱或氮氣吹掃的機柜中。如果較長的等待時間不可避免，可以使用旋涂時使用的標準烘焙方法(沒有分配步驟)重新烘焙晶片。這種重新烘焙將趕走晶圓閑置時可能吸收的任何水分。在下一個工藝順序之前，應該讓晶圓冷卻。不建議使用冷卻板，因為它可能會導致開裂。如果必須使用冷板，它應該處于室溫。
沉積的SOG薄膜緩慢地進入和離開高溫固化爐是至關重要的。這防止了當彼此接觸的具有不同熱膨脹系數的材料發(fā)生快速熱變化時可能發(fā)生的破裂。建議從300℃開始逐漸固化。SOG以比推薦值低得多的轉速旋轉，或者一個SOG的多個涂層可以產生超過推薦厚度的薄膜，并且在固化過程中容易破裂。這種趨勢隨著晶片表面形貌變得更加嚴重而增加。通常，當需要更厚的膜時，可以找到替代的SOG來滿足需要。在最熱的烘烤之后，冷卻晶片可以被放置在冷卻板上，該冷卻板不工作或者被設置在室溫。設定為“冷”的真正冷卻板會過快冷卻晶圓，導致應力和開裂。?
當需要更厚的膜時(通常通過掃描電鏡檢查確定)，可以采取兩種方法:1)沉積多層(通常是雙層)SOG，或(2)使用同一產品系列的較厚SOG。較低的第一烘烤板溫度(推薦溫度為80℃)允許溶劑更緩慢地離開SOG，允許SOG更大的流動，并因此提供更好的平面化。較長的擴散周期會導致仍然含有溶劑的SOG向邊緣移動，降低平面度，并產生邊緣珠。更短的傳播周期（2-6或甚至低至1秒）。在3000轉/分鐘時，隨后停止(即10秒鐘)導致一些形貌上更好的平面化。雖然SOG被設計成在3000轉/分或接近3000轉/分時具有高旋轉周期，但是旋轉過快會降低平面化，因為離心力不允許SOG均勻地填充間隙。?
在圓滿完成目視檢查和順序檢查后，應在SOG線上安裝一瓶IPA。
1.從SOG管線中分配IPA，其數量應確保管線和分配頭沖洗良好。根據需要清潔分配頭。
2.使用標準旋涂烘焙配方(在分配步驟中關閉SOG分配)，使用新移液器手動分配新打開的SOG。對測試晶片進行顆粒計數。規(guī)格范圍內的計數表明顆粒不是來自SOG材料。
3.使用生產配方，用異丙醇(而不是SOG)旋涂測試晶片。通過對晶片進行顆粒計數來確定涂布機的清潔度。
4.如果顆粒計數高，再次用異丙醇沖洗涂布機更長時間，并重復測試晶片顆粒計數。
5.如果顆粒數極高(幾百個)，則更換新的SOG線。沖洗新管路并重復步驟4。
6.當系統清潔時，使用SOG進行第一次顆粒計數。
在旋轉涂布機上安裝一個新的SOG瓶，并用SOG沖洗生產線。使用標準旋轉烘烤涂層配方旋轉涂覆測試晶片并進行顆粒計數。這將表明一個成功沖洗的系統、清潔的SOG和一個準備進行生產鑒定的系統。