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引言
半導體生產(chǎn)過程中，蝕刻工藝是非常重要的工藝。蝕刻工藝中使用的方法通常有浴式和枯葉式兩種。浴式是用傳統(tǒng)的方法，在藥液浴中一次性加入數(shù)十張晶片進行處理的方法。但是隨著半導體技術(shù)的發(fā)展，開發(fā)出了一張?zhí)幚砭目萑~式。在常溫的藥液中，浴式的均勻度在3%以上，而每葉式的均勻度在1%以下，非常優(yōu)秀。另外，與浴式相比，枯葉式的超純用量少1/15左右，在Cu工藝等擔心金屬污染的工藝中處理晶片一張，從而防止反向污染?？萑~式是一次性展示晶片時噴射書藥液的方法。這時噴射噴嘴可以從偉珀中心向邊框方向來回轉(zhuǎn)動，通過boom swing均勻地冷卻。
本方法將batch和batch結(jié)合起來，用沒有boom swing的方法評價了蝕刻工藝。在進行蝕刻工藝時，以消除boom swing為基礎(chǔ)，用晶片上有板的結(jié)構(gòu)制作了枯葉式裝置，進行了蝕刻評價。在沒有Boom Swing的枯葉式結(jié)構(gòu)中，將常溫的藥液從晶片中央噴射出來進行了蝕刻評價，并進行了評價，以了解使用高溫藥液時的結(jié)果果。使用高溫藥液時，出現(xiàn)了口感不均勻的問題。對此時發(fā)生的問題進行了這一理論考察，并在理論計算結(jié)果的基礎(chǔ)上，改進了高溫藥液的噴射方法。
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實驗
利用枯葉式裝置，用晶片上有板的詞組制作了裝置，進行了評價。圖2是有桌面制作的枯葉式裝置的外觀。晶片的旋轉(zhuǎn)最高可達2000RPM，使用晶片的大小為300 mm。?
評價中使用的晶片在Si上方使用了10000A增強Si6膜，Sit >膜的蝕刻所用的藥量為DIW和HF 49%混合成100:1的DHF(DHF)。上板和晶片的間隔為2毫米，藥液的流量為0.6L/min。這個流量取決于晶片的轉(zhuǎn)速。在100RPM以下的速度下，0.6 L/min的流量在上部板和晶片之間沉積藥液，適合沿邊界方向擴散。藥液的溫度在常溫和高溫時進行了蝕刻評價，蝕刻前后的膜厚測定為K-MAC ST-6000。
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結(jié)果和討論
首先，在室溫下將DHF集中噴射60秒0.6L/min的藥液時，對刻蝕量的分布進行了評價。圖6是刻蝕量的分布圖。圖6(a)為藥液集中噴射時刻蝕量的分布。邊框部分的蝕刻量很大，這是Lins工藝中DIW從中間供給的原因，所以我認為邊框部分的蝕刻時間變長的原因?？涛g最多的部分的值約為每分鐘45A，最少的部分的值約為每分鐘28A，平均刻蝕量約為每分鐘35A，刻蝕量的均勻度約為21%。
圖6(c)是圖3(b)的多孔板，沿直徑有40個藥液粉砂孔的結(jié)果。平均蝕刻量約為28A，比中央噴射的值少約7A，但蝕刻均勻度約為15%，比中央噴射的21%提高了約6%的均勻度。圖6(d)為57℃DHF，是多孔頂板蝕刻的結(jié)果。蝕刻最多的部分約為79.6A，最少的部分為73A，平均蝕刻量為每分鐘76A，均勻度約為4.3%。
從中央噴射的結(jié)果與蝕刻結(jié)果不相容來看，平均蝕刻量約少10A，但均勻度從18%提高到4%，提高了14%。圖7(a)是從中昂噴射53℃藥液時的溫度分布模擬結(jié)果與實際蝕刻結(jié)果的比較。通過計算溫度和刻蝕量的關(guān)系，晶片中央的刻蝕量為22℃時，為28A，為53℃時，為99A，因此隨著31℃溫度的上升，71A刻蝕量增加了。假設(shè)全度和刻蝕量的關(guān)系是線性的，那么根據(jù)1℃的OLALAGE，可以看到2.3A的刻蝕量增加了。如果將該值代入模擬的溫度分布，則假想的食角量的分布將按圖7(a)計算。從圖7(a)來看，計算出的值和實際刻蝕量的分布呈現(xiàn)出相似的方面。圖7(b)也是用同樣的方法計算，與模擬結(jié)果進行比較的結(jié)果。
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圖7 溫度分布模擬與二氧化硅薄膜刻蝕結(jié)果的比較
總結(jié)
本研究是考察在枯葉式方法中，沒有boom swing的肝硬結(jié)構(gòu)是否可以蝕刻。以無Boom swing的枯葉式方法，了解了進行蝕刻工藝時的蝕刻量和蝕刻量的分布情況。另外，不僅了解了一種常溫的藥液，還了解了使用高溫藥液時的食死量和食死量的分布情況。高溫下的結(jié)果無法比較，因為沒有在傳統(tǒng)的batch式和boom swing式的單張式上進行評價的結(jié)果。
本方法觀察到，在蝕刻SiO2膜時，藥液的溫度作為中約翰因素，為了用高溫藥液使食角量的分布均勻，采用了多孔噴射藥液的方法。SiO2膜的食角量分布與模擬結(jié)果中藥液的溫度分布相似。從現(xiàn)有batch式的設(shè)備中進行評價的結(jié)果與進行boom swing的枯葉式相比是不充分的結(jié)果，但如果制作優(yōu)化藥液噴射孔的設(shè)備進行蝕刻工藝，則認為比前面的實驗結(jié)果取得了更好的結(jié)果。評價結(jié)果表明，使用這種方法，在進行濕式蝕刻方面會有多種優(yōu)點。
第一，不需要Boom swing，所以結(jié)構(gòu)變得簡單了。第二，可以減少可能產(chǎn)生晶片污染的因素。第三，可以一次吃兩面。第四，如果只對基板的反面進行蝕刻，晶片下面的板和晶片之間會隨著藥液的填充而冷卻，因此敵人可以有效地使用少量藥液。最后，我們認為在解決今后的干燥問題上也有很多應(yīng)用。