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濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發(fā)展,濕法設備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統(tǒng)潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統(tǒng)集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統(tǒng)結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關清洗設備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結構方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結構本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應用,產(chǎn)品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標:最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統(tǒng)設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注華林科納(江蘇)半導體官網(wǎng),關注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J?#160;設備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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半導體制造系統(tǒng)自動濕蝕站調度的優(yōu)化方法

時間: 2021-11-04
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半導體制造系統(tǒng)自動濕蝕站調度的優(yōu)化方法

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引言

近年來,復雜半導體制造設備的高效運行吸引了越來越多的研究興趣。該行業(yè)如今正處于增長擴張期,這些市場的特點是高度科技化和充滿活力。這種現(xiàn)狀迫使晶圓制造工廠集中精力向客戶提供高質量、價格合理的產(chǎn)品,同時縮短交貨時間和加工時間。因此,開發(fā)高效的短期調度策略成為達到競爭力的潛在替代方案,靈活地響應高要求市場和客戶的要求。自動濕法蝕刻站是現(xiàn)代半導體生產(chǎn)系統(tǒng)的關鍵部分,它必須同時處理許多復雜的約束和有限的資源。該站由一系列連續(xù)的化學和水浴以及共享的自動化批次轉移系統(tǒng)組成,其中必須嚴格遵循混合中間存儲策略,以避免非常昂貴的晶圓污染。

這項工作解決了半導體工業(yè)中最關鍵的階段之一,自動濕法蝕刻站(AWS)的短期調度問題。開發(fā)了一種高效的基于MILP的計算機輔助工具,以實現(xiàn)順序化學和水浴的活動與有限的自動化晶片批次轉移設備之間的適當同步。主要目標是找到最佳的集成計劃,最大限度地提高整個過程的生產(chǎn)率,而不會產(chǎn)生晶圓污染。

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實驗

典型的晶圓制造工廠包括四個主要階段:制造、探測、組裝或包裝以及最終測試。濕法蝕刻是在晶片制造階段進行的最復雜的操作之一。它利用晶片批次在預定順序的連續(xù)化學浴和水浴中的自動轉移,在化學浴中有嚴格和確定的暴露時間(見圖1)。像機器人一樣,自動化材料處理設備被用作在連續(xù)浴槽之間轉移批次的共享資源。浴槽之間的轉移時間是確定的。機器人不能在預定的傳送時間內保持一批晶片,也不能一次搬運一批晶片。此外,化學浴遵循零等待存儲策略,而水浴則允許本地存儲。

?半導體制造系統(tǒng)自動濕蝕站調度的優(yōu)化方法

1 自動濕法蝕刻站工藝方案

浴槽一次只能處理一批,過度暴露在化學物質中會嚴重損壞或污染晶圓。這種操作限制被稱為零等待和本地存儲策略,在具有混合中間存儲策略的串行流多產(chǎn)品過程中成為自動濕法蝕刻站。因此,通過應用混合中間存儲策略,自動倉庫調度問題在物料處理和加工約束之間提供了復雜的相互作用。

在這項工作中,假設N個批次(i=1,2,…,N)必須按照預先定義的配方進行處理,這些配方指示了要訪問的浴池的順序。此外,該問題考慮單個機器人可用,這假設所有批次在所有浴槽中必須遵循相同的順序(j=0,1,2,…,M+1)。因此,機器人的材料運動控制調度采用中心相關性。

要面對的問題對應于在M個槽中的N個作業(yè)的調度,在具有ZW/LS/NIS策略的串行流多產(chǎn)品中,共享資源具有有限的晶片移動能力。

這項工作提出了一個嚴格的MILP數(shù)學公式的發(fā)展和應用,以AWS調度問題。它為在給定時間范圍內執(zhí)行的處理操作提供了最佳順序和時間,同時確定了機器人的詳細拾取和傳送活動程序,主要目標是最大限度地減少完成所有晶圓批次所需的時間。

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結果和討論

我們對應于考慮四個連續(xù)浴槽NxM=[4x8]和八個晶片批次的AWS調度問題。表1顯示了每個槽中每個晶片批次的處理時間以及預定的轉移時間。為了分析傳輸時間對調度決策的重要性和影響,傳輸時間比原始案例研究大10倍。

半導體制造系統(tǒng)自動濕蝕站調度的優(yōu)化方法?

1 槽j中的晶片批次處理時間和連續(xù)槽之間的轉移時間

我們測試了一個額外的解決策略,其中整個問題以順序方式解決,這里稱為RCURM。中心思想是首先使用URM模型解決問題,然后固定由URM模型獲得的生產(chǎn)順序,并通過ORM公式解決詳細的機器人調度。表2總結了模型統(tǒng)計數(shù)據(jù)。這里值得注意的是,URM模型僅明確考慮了預定義的轉移時間,假設機器人將始終可以執(zhí)行轉移操作。在更受限制的情況下,ORM模型還考慮了單個轉移移動設備的順序使用,這強制實施了洗澡時間表和機器人活動的適當同步。通過查看最佳甘特圖,我們可以很容易地觀察到,在兩個問題實例的解決方案中都做出了相同的排序決策。

?半導體制造系統(tǒng)自動濕蝕站調度的優(yōu)化方法

2 模型統(tǒng)計和計算成本

因此,使用無限或單一機器人模型的事實將對排序決策產(chǎn)生直接影響。?

通過分析模型統(tǒng)計數(shù)據(jù),值得注意的是ORM和URM模型所需的二元變量和約束數(shù)量之間的顯著差異。模型大小的巨大差異主要是由于額外的排序約束和二元決策變量,這些變量需要包含在MILP公式中,以管理ORM固有的限制。

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總結

我們提出了一種新的MILP連續(xù)時間公式,用于半導體工業(yè)中AWS過程的短期調度。與典型的調度問題相反,該模型能夠按照嚴格的中間存儲策略同時生成生產(chǎn)活動和轉移操作的詳細調度。此外,還證明了所提出的模型可以很容易地用于以順序方式解決整個問題,即首先制定生產(chǎn)活動的時間表,然后假設在第一步中定義的固定生產(chǎn)順序來求解轉移操作的時間表。在所有的問題實例中,案例研究都是用很少的計算工作量得到最優(yōu)解決的。未來的工作將集中于使用基于MILP的高效分解策略解決工業(yè)規(guī)模的問題。


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