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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關(guān)模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應(yīng)用范圍:l 本機臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設(shè)計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J?#160;設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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硝酸濃度對多孔氧化鋅薄膜刻蝕工藝能的影響

時間: 2021-11-01
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硝酸濃度對多孔氧化鋅薄膜刻蝕工藝能的影響

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引言?

? ? ? 本文用濕化學(xué)腐蝕法制備多孔氧化鋅的研究。通過射頻磁控濺射在(111)擇優(yōu)取向的p型硅上沉積ZnO薄膜。在本工作中使用的蝕刻劑是0.1%1%硝酸(HNO)溶液,ZnO在不同時間被蝕刻,并通過X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)和光致發(fā)光(PL)光譜進行表征,以允許對它們的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)進行檢查。XRD結(jié)果表明,當(dāng)薄膜在不同的氫氮濃度下刻蝕不同的時間時,ZnO的強度降低。上述觀察歸因于氧化鋅的溶解。掃描電鏡圖像顯示,氧化鋅薄膜的厚度隨著刻蝕時間的延長而減小,這是氫氮溶液各向同性刻蝕的結(jié)果。光致發(fā)光發(fā)射強度最初隨著蝕刻時間的增加而增加。然而,隨著樣品的進一步蝕刻,由于表面-體積比的降低,光致發(fā)光光譜顯示出強度降低的趨勢。結(jié)果表明,1.0%HNO有顯著改變氧化鋅表面形貌的能力。

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實驗

刻蝕前將沉積的氧化鋅樣品切成1厘米× 1厘米的片。在目前的研究中,使用了濃度為0.1%和1%的HNO。如表1所示,樣品以不同的蝕刻時間浸入蝕刻劑中。蝕刻過程后,用蒸餾水沖洗樣品,并在氮氣流下干燥,以去除樣品表面上的任何化學(xué)殘留物。

XRD、SEM和PL光譜對制備的多孔氧化鋅樣品進行了表征,以分別考察其結(jié)構(gòu)性能、表面形貌和截面結(jié)構(gòu)以及光學(xué)性能。XRD測量在2θ-ω掃描模式下進行,也稱為相位分析。在這種掃描模式下,XRD-PA測量是在30°到40°范圍內(nèi)掃描獲得的,其中ω軸和2(2θ)以耦合的方式移動,使得只有來自平行于樣品表面的晶面的衍射光束被檢測到。為了進行掃描電鏡表征,使用掃描電鏡獲得樣品的圖像。在圖像中,樣品的表面形態(tài)圖像是在10000倍放大倍數(shù)和10千伏加速電壓下拍攝的。然后將樣品分成兩份,在相同的加速電壓下獲得放大20000 ×至30000×的橫截面圖像。

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結(jié)果和討論

為了清楚生長和刻蝕的氧化鋅薄膜的表征結(jié)果,結(jié)果分幾個部分逐步討論。

x射線衍射表征:1顯示了沉積在磷硅(111)上的生長和蝕刻的氧化鋅薄膜的XRD光譜。對于所有樣品,在34.3℃處可以清楚地觀察到對應(yīng)于氧化鋅(002)的強烈峰。該峰表明本研究中使用的ZnO薄膜源于纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。XRD光譜中的主要ZnO(002)峰也表明本研究中使用的ZnO薄膜具有沿(002)面的優(yōu)選取向。除了氧化鋅(002)峰之外,還檢測到對應(yīng)于氧化鋅(101)的次峰(大約36.08)。

1顯示,當(dāng)薄膜在不同的HNO蝕刻時,ZnO(002)的強度降低;不同時期的濃度。衍射峰強度的降低歸因于氧化鋅(002)的溶解,這隨著蝕刻時間的增加而降低了薄膜厚度。蝕刻過程后薄膜的結(jié)晶度也可能影響衍射峰的強度。在0.1% HNO溶液中腐蝕120秒后,ZnO薄膜中ZnO(002)的強度突然下降。

?掃描電鏡表征:2顯示了表面形態(tài)圖像生長的多孔氧化鋅薄膜。圖2(a)表明,生長的氧化鋅樣品包含葉狀顆粒形狀。當(dāng)氧化鋅樣品在0.1%和1.0% HNO溶液中蝕刻時,蝕刻劑傾向于侵蝕片狀氧化 鋅顆粒上的薄區(qū)域或尖銳區(qū)域,形成顆粒和空隙,它們是多孔結(jié)構(gòu)的一部分。然而,由于蝕刻劑濃度和蝕 刻時間的不同,樣品的表面特征也不同。對于在0.1% HNO蝕刻的氧化鋅樣品,如圖2b~2d,當(dāng)氧化鋅薄膜被蝕刻60s時,空隙開始形成。然而,隨著蝕刻時間分別增加到120和 180秒,觀察到樣品表面有輕微變化。濃度較低,限制了氧化鋅薄膜多孔表面的進一步發(fā)展。樣品表面形成的大部分空隙是淺空隙。僅觀察到代表深空隙形成的一小部分黑斑。各向同性蝕刻被認(rèn)為發(fā)生在蝕刻過程中,在此過程中蝕刻的發(fā)生是非定向和非選擇性的。蝕刻劑將氧化鋅層向下蝕刻到襯底的能力受到低化學(xué)濃度的阻礙。同樣,在各向同性蝕刻效應(yīng)下,氧化鋅層厚度將隨著蝕刻時間而減小。

?HNO的腐蝕行為和機理:所有的氧化鋅薄膜在經(jīng)歷濕化學(xué)蝕刻后都顯示出一定程度的表面形態(tài)變化。由于多孔結(jié)構(gòu)的產(chǎn)生,HNO的使用傾向于降低氧化鋅薄膜層的平均厚度。因此,必須在這兩個主題之間找到折衷方案,以便在提供足夠的平均薄膜厚度的同時生產(chǎn)多孔氧化鋅。

?光致發(fā)光表征:3顯示了在不同濃度的HNO溶液中蝕刻的生長氧化鋅和氧化鋅樣品的光致發(fā)光光譜。圖3(a)至3(b)中所示的峰是位于約380納米處的氧化鋅的光致發(fā)光帶邊發(fā)光峰。如該圖所示,在0.1%和1.0% HNO溶液中蝕刻的所有樣品隨著蝕刻時間的增加表現(xiàn)出相似的行為。光致發(fā)光光譜的強度最初隨著蝕刻時間的增加而增加,這是因為氧化鋅層的表面積與體積之比的增加。然而,隨著樣品被長時間蝕刻,光致發(fā)光光譜的強度開始降低。這種行為是因為表面與體積比的降低,這導(dǎo)致了PL帶邊強度的降低。

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總結(jié)

0.1%和1.0% HNO溶液中通過濕法化學(xué)刻蝕制備了多孔氧化鋅薄膜。XRD光譜顯示,本研究中使用的ZnO樣品具有纖鋅礦結(jié)構(gòu),具有ZnO(002)擇優(yōu)取向。隨著氧化鋅層被蝕刻,發(fā)現(xiàn)氧化鋅(002)和氧化鋅(101)的強度水平降低。這種行為歸因于(002)以及(101)在蝕刻過程中。表面形貌和截面掃描電鏡圖像顯示,刻蝕過程中的各向同性刻蝕機制促進了氧化鋅樣品表面形貌的變化。光致發(fā)光表征表明,在0.1%和1.0% HNO溶液中蝕刻的樣品表現(xiàn)出相似的行為;即光致發(fā)光峰的強度最初隨著蝕刻時間的增加而增加,但隨后當(dāng)樣品被蝕刻一段延長的時間后強度降低。這種行為是由于表面體積需要更長的蝕刻時間。結(jié)果表明,1.0% HNO可以顯著改變氧化鋅薄膜的表面形貌,提高其表面體積比。


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