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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發(fā)展,濕法設備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統(tǒng)潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統(tǒng)集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統(tǒng)結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關清洗設備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結構方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結構本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標:最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統(tǒng)設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J皆O備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注華林科納(江蘇)半導體官網(wǎng),關注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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用于異質結太陽能電池應用的Na2CO3溶液的硅片紋理化

時間: 2021-10-25
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用于異質結太陽能電池應用的Na2CO3溶液的硅片紋理化

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引言

? ? ? 在太陽能電池工業(yè)中,最常見的紋理化方法之一是基于氫氧化鈉或氫氧化鉀的水溶液和異丙醇(IPA)。然而,IPA是有毒的,而且相對昂貴,因此人們正在努力取代它。在過去的幾年中,硅異質結(SHJ)太陽能電池由于晶體硅的良好性能和薄膜技術的多功能性而引起了光伏行業(yè)的興趣。這些SHJ太陽能電池是通過將薄膜非晶態(tài)或微晶硅沉積在碳硅晶片上而形成的。其主要特點是轉換效率高、開路電壓高、溫度系數(shù)。這些太陽能電池的性質使它們的界面占主導地位。

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實驗

? ? ? 紋理化過程首先在硅晶片上進行了分析。一旦確定了紋理化的最佳條件,該工藝將應用于其他類型的基板,FZ晶片厚度為255-305mm,CZ晶片厚度為280-320mm。晶片直徑為100mm,但樣品尺寸為40mm40mm。在紋理化過程之前,樣品在超聲波浴中用乙醇清洗。然后,樣品在室溫下在1wt%HF:DIW(18.2Mocm電阻率DIW稀釋)溶液中蝕刻,以去除天然氧化物。最后用DIW沖洗。在紋理化過程中,晶片浸在一個包含紋理化溶液的蓋容器中。這種溶液以前已經(jīng)使用帶有不銹鋼溫度傳感器的數(shù)字控制熱板在測定溫度下加熱。當蝕刻時間結束后,從溶液中取出樣品,用DIW沖洗,以停止化學反應。

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結果和討論

? ? ? 使用中等濃度(10wt%)的拋光FZ單晶晶圓樣品進行碳酸鈉溶液處理。溫度在60~901C之間,所有試驗的處理時間均保持在30min。結果發(fā)現(xiàn),70的溫度足夠高,足以充分紋理表面。然而,當溫度升高到90時,形成紋理表面的金字塔的大小增加了。因此,90被認為是最佳溫度,盡管處理過的表面還沒有均勻的紋理。為了在90下獲得良好的均勻性,蝕刻時間變化為20~60min。

? ? ? 對碳酸鈉濃度的影響。通過改變5~30wt%的濃度來評估碳酸鈉濃度的影響。隨著濃度的增加,乍一看就觀察到表面明顯惡化。反應變得更加強烈,并產生了許多粘附在樣品表面的大氣泡。這些氫氣泡在表面充當掩膜,抑制結構化反應。因此,表面不均勻,并表現(xiàn)出較寬的明亮區(qū)域,其中紋理化過程不成功。在使用碳酸鈉溶液的第一次測試中獲得的最佳表面上進行的半球反射測量得到的21.5%平均值在400到1100nm之間。這些值顯著高于使用IPA堿性溶液得到的值。

? ? ? 碳酸氫鈉在碳酸鈉溶液中的影響。我們制備了一組不同的na2co3/nahco3水溶液,其中碳酸氫鈉濃度保持在4wt%,而鈉濃度則在5~25wt%之間變化。根據(jù)上述測定方法,蝕刻時間和溫度分別保持在30min和90℃。碳酸氫鈉的加入確實導致了粘附在晶圓表面的氣泡尺寸的減少,即使在碳酸鹽濃度高達25wt%的情況下,也能產生徹底的均勻紋理外觀。掃描電子顯微鏡結果表明,在5wt%的濃度下,樣品表面沒有完全蝕刻。隨著碳酸鈉濃度的增加,較大的錐體結構的數(shù)量和大小也在增加。碳酸鈉/碳酸氫鈉溶液紋理的樣品與碳酸鈉溶液紋理的樣品的半球形反射率降低。因此,可以認為碳酸氫鹽離子在調節(jié)蝕刻反應中起著重要的作用。

? ? ? 我們研究了nahco3/na2co3濃度的比值對錐體密度和形態(tài)的影響。樣品用紋理溶液蝕刻,其中濃度從0.16到0.53的比例變化。用0.16和0.27之間的低比例溶液蝕刻的樣品的錐體形態(tài)有明顯的改善(即較平坦的小面和較少圓形的頂部)。當比值為0.27 (4 wt%NaHCO3/15wt%碳酸鈉)時,形態(tài)學效果最佳。 然而,當用較高比例(r?0.40–0.55)的蝕刻溶液處理時,觀察到其紋理表面的形態(tài)明顯惡化。如前所述,在碳酸鈉紋理溶液中加入碳酸氫鈉會增加hco3h的種類,從而改善了錐體的形態(tài)。相反,這種添加也導致了氫氧根濃度的降低,根據(jù)pH測量結果確定(25wt%碳酸鈉溶液為610–3mol/l,25wt%na2co3/4wt%碳酸氫鈉溶液為110–4mol/l)。

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總結?

? ? ? 本研究研究了碳酸鈉和NaHCO3/na2co3水溶液中/100S拋光FZ和粗糙(如切割)和拋光CZ硅晶片的紋理化情況。結果表明,僅含碳酸鈉的水溶液不可能獲得均勻和完全紋理的表面。必須添加中等數(shù)量的碳酸氫鈉,以實現(xiàn)完全具有更高質量的紋理表面。因此,可以認為碳酸氫鹽離子在調節(jié)蝕刻反應中起著重要的作用。應確保溶液中存在足夠的碳酸鹽2-離子,以避免形成二氧化硅,從而鈍化表面,防止蝕刻過程。

? ? ? 基于4wt%碳酸氫鈉和25wt%碳酸鈉的水溶液能夠同時蝕刻拋光的FZ和切割和拋光的CZ硅片。三種硅晶片的400-1100nm之間的平均半球反射率為13-16%。當適的arc沉積在紋理晶片上時,這些值平均下降到5%。這些結果可以被認為是足夠低的SHJ太陽能電池應用。當晶圓垂直浸入紋理溶液中時,結果大大改善。此外,QSSPC測量表明,這些具有碳酸氫鈉/碳酸鈉混合物紋理的硅晶圓的表面質量良好,因為其適用在SHJ太陽能電池中。


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