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引言
? ? ? 硅(Si)在半導(dǎo)體器件制造中的大多數(shù)技術(shù)應(yīng)用都是基于這種材料的特定界面性能。二氧化硅（二氧化硅）可以通過(guò)簡(jiǎn)單的氧化方法在硅表面制備，其特點(diǎn)是高化學(xué)和電穩(wěn)定性。晶體硅在光伏應(yīng)用占主導(dǎo)地位，全球近90%的太陽(yáng)能電池生產(chǎn)是基于多晶和單晶基質(zhì)。發(fā)展具有經(jīng)濟(jì)吸引力的太陽(yáng)能電池的先決條件是減少材料消耗、簡(jiǎn)化技術(shù)工藝和進(jìn)一步提高能源轉(zhuǎn)換效率。本文報(bào)道了利用傳統(tǒng)和新開發(fā)的濕化學(xué)方法獲得的硅基底與紋理表面的形態(tài)、光學(xué)和電子界面性質(zhì)的聯(lián)合監(jiān)測(cè)。通過(guò)結(jié)合無(wú)損、表面敏感技術(shù)、UV-NIR反射率測(cè)量、光譜橢圓偏距(SE)、表面光致發(fā)光(SPV)和PL)測(cè)量，在原位和濕化學(xué)制備步驟中重復(fù)進(jìn)行。
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實(shí)驗(yàn)
? ? ? 使用n型和P型硅(100)晶片，首先處理具有(a)切割和(B)拋光表面的兩種類型的襯底，以去除鋸傷和/或獲得光捕獲紋理，隨后進(jìn)行濕化學(xué)氧化和蝕刻處理，以降低單層范圍內(nèi)制備引起的微觀表面粗糙度。通過(guò)(1)在80℃的堿性氫氧化鉀/異丙醇(KOH/IPA)溶液中的各向異性蝕刻，(2)使用從晶片減薄技術(shù)轉(zhuǎn)移的各向同性紋理蝕刻(TE)獲得不同的表面紋理。
? ? ? 為了研究制備誘導(dǎo)的表面微粗糙度和天然氧化物對(duì)成質(zhì)太陽(yáng)能電池基質(zhì)的影響，應(yīng)用了三種濕化學(xué)表面制備：(i)在RCA處理（HF下降）之后HF1%，(ii)標(biāo)準(zhǔn)的氫終止工藝，包括H2SO4：H2O2（1：1）10min，然后是NH4F48%（NH4F），(iii)特殊的氫終止工藝，包括改進(jìn)的RCA工藝，然后是濕化學(xué)氧化工藝和優(yōu)化的最終氧化物去除(HT)。使用稀釋的HF（1%）溶液進(jìn)行不同的處理時(shí)間(60-600s)和NH4F（48%）去除天然和濕化學(xué)氧化物。為了比較拋光的Si（100）基質(zhì)和紋理基質(zhì)與隨機(jī)分布的金字塔上的Si（111）剖面的刻蝕行為，在同樣的程序中，也對(duì)拋光的Si（111）基質(zhì)進(jìn)行了處理。
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結(jié)果和討論
? ? ? 各向同性和各向異性蝕刻襯底的表面形貌和光學(xué)再凝度：圖1顯示了Si（100)底物(傾斜30°）的掃描電鏡顯微圖。在太陽(yáng)能電池制造中，最好采用堿性或酸性溶液的濕化學(xué)蝕刻工藝來(lái)去除鋸子損傷。此外，在高效太陽(yáng)能電池中利用硅襯底的不同紋理化方案，通過(guò)前表面的多次反射入射、背面吸收的路徑長(zhǎng)度和背面內(nèi)反射的光來(lái)增強(qiáng)抗反射特性。
? ? ? 堿性溶液中的各向同性蝕刻制備的氫氧化鈉或氫氧化鉀用于優(yōu)化單晶硅(100）襯底的光捕獲性能。堿性蝕刻溶液需要大量的能量來(lái)保持蝕刻浴在所需的溫度。另一個(gè)問(wèn)題是反應(yīng)產(chǎn)物氟硅酸鉀(k2sif6)的溶解度有限，這可能是浴液壽命和通量的限制因素。
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? ? ? 圖1 Si（100）底片(傾斜30°）（1、2）、（b2）拋光，并應(yīng)用紋理化（c1、2)、各向異性標(biāo)準(zhǔn)堿性蝕刻劑氫氧化鉀/IPA和(d1、2)各向同性紋理蝕刻技術(shù)
? ? ? 在圖2中，200至1200nm波長(zhǎng)的反射光譜分別通過(guò)UV-NIR反射率測(cè)量（曲線1），拋光（曲線4）的各向同性蝕刻（曲線2）和切割基板（曲線3）。在>1050nm處反射率的急劇增加是晶片背面的作用。利用硅的n、k(dd)色散光譜和光學(xué)厚(d)板的反射率公式可以很容易地計(jì)算出來(lái)。硅在>1050nm處是透明的，因此兩個(gè)界面（正面和背面）都有助于提高反射率。低于1050納米的硅被吸收，因此只檢測(cè)到前表面的反射率。
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圖2
? ? ? 通過(guò)原位PL測(cè)量來(lái)監(jiān)測(cè)制備誘導(dǎo)的表面電子性能：為了降低界面態(tài)的密度，需要進(jìn)行濕式化學(xué)處理來(lái)去除受損的表面，并降低結(jié)構(gòu)基質(zhì)上的微粗糙度。制備誘導(dǎo)的微粗糙度和表面態(tài)的能量分布分別是由兩種不同的化學(xué)過(guò)程引起的：表面的濕化學(xué)氧化以及氧化硅層和底層硅襯底表面的最終蝕刻。圖4顯示了現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量的PL強(qiáng)度(IPL)的時(shí)間依賴性。在所有基質(zhì)上，通常可以區(qū)分三相，它們與氧化物稀釋(I)、氧化物去除和h終止(II)以及h端硅表面的蝕刻攻擊(III)有關(guān)。在氧化物蝕刻的初始階段，IPL沒(méi)有發(fā)生變化。初始時(shí)間后，由于氧化物的去除導(dǎo)致IPL增加，導(dǎo)致IPL值最高，隨后蝕刻導(dǎo)致的IPL減少導(dǎo)致h端表面缺陷。通常情況下，PL光譜在RT處很寬，因此我們?cè)?130nm(1.1eV)處測(cè)量IPL，這是Si的帶隙能量。
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總結(jié)
? ? ? 研究發(fā)現(xiàn)，太陽(yáng)能電池應(yīng)用的紋理硅（100）基底的表面電子性質(zhì)主要受表面處理兩步的影響：首先，光捕獲結(jié)構(gòu)的晶體表面結(jié)構(gòu)，其次是濕化學(xué)平滑程序?qū)υ悠教购徒Y(jié)構(gòu)表面積的有效性，以及天然和濕化學(xué)氧化物的徹底去除。堿性蝕刻劑，如KOH-IPA，通過(guò)各向異性蝕刻在硅（100）上提供高度紋理的表面。到目前為止，酸基紋理蝕刻通過(guò)各向同性蝕刻產(chǎn)生粗糙的表面，比堿性過(guò)程表現(xiàn)出更少的光吸收，但產(chǎn)生更高的表面微粗糙度，導(dǎo)致較高的重組損失。
? ? ? 結(jié)果表明，原位光致發(fā)光和離位SPV的聯(lián)合測(cè)量可以作為一種靈敏的工具，用于分析濕化學(xué)處理硅表面上的制備誘導(dǎo)態(tài)密度。因此，研究了每個(gè)濕化學(xué)蝕刻工藝的HF處理時(shí)間，以完成天然氧化物的去除，并避免制備引起的表面微粗糙度的增加。結(jié)果表明，通過(guò)軟沉積，優(yōu)化后的硅襯底表面狀態(tài)可以保持并轉(zhuǎn)變?yōu)閺?fù)合差的非晶硅/碳硅異質(zhì)界面。