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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關(guān)清洗設備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關(guān)模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標:最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統(tǒng)設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J皆O備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J?#160;設備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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堿性預蝕刻對金屬氫化物合金的影響

時間: 2021-09-27
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堿性預蝕刻對金屬氫化物合金的影響

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摘要?

? ? ? 本文通過內(nèi)阻、x射線衍射、掃描電子顯微鏡、電感耦合等離子體和交流阻抗測量,研究了AB5、AB2、A2B7和c14相關(guān)的體中心立方(體心立方)金屬氫化物對堿性蝕刻(110?C下45%氫氧化鉀2小時)的響應。結(jié)果表明,蝕刻的稀土基AB5和A2B7合金表面覆蓋著氫氧化物/氧化物(重量增加),而過渡金屬基AB2和BCC-C14合金表面被腐蝕并滲成電解質(zhì)(減重)。以C14為主的AB2、La-onlyA2B7和sm基A2B7在堿性蝕刻過程中內(nèi)阻降低最大。高la含量的蝕刻A2B7合金內(nèi)阻最低,建議用于鎳/金屬氫化物電池的高功率應用。

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介紹

? ? ? 金屬氫化物(MH)合金,或儲氫合金,是一組能夠以固態(tài)形式儲存氫的金屬間合金(IMCs。其關(guān)鍵應用之一是可充電鎳、金屬氫化物(Ni/MH)電池,廣泛應用于消費電子產(chǎn)品以及固定和運輸儲能領(lǐng)域。各種各樣的金屬間化合物已被用作/被提議用作鎳氫電池負極的活性材料,如A2B、AB、AB2、AB3、A2B7、A5B19、AB5、體心立方(BCC)固溶體及其組合。這些金屬間化合物主要由過渡金屬組成,有些可能含有稀土元素。對于幾種新的MH合金,特別是最近發(fā)現(xiàn)的電化學性能得到改善的超晶格A2B7基合金,更新比較結(jié)果非常重要。

? ? ? 一些預活化工藝,如表面氟化、堿浴、酸蝕刻、機械合金化等。以縮短活化過程并改善MH合金的電化學性能。在這些過程中,堿性浴在溶解天然氧化物方面非常有效,從而形成嵌入催化鎳簇的多孔氧化物表面,并增加表面反應面積。過去,我們使用這種技術(shù)來制備用于研究活化表面的合金,而不經(jīng)歷電化學形成循環(huán)。


實驗裝置

? ? ? 采用真空感應熔煉和電弧熔煉兩種方法制備MH合金。首先將獲得的錠氫化,然后研磨并篩分成200目大小的粉末。為了制造電極,粉末被直接壓制在1 cm × 1 cm的膨脹鎳基底上,沒有任何粘合劑或?qū)щ娊饘俜勰?。每個電極的粉末負載量在70至100毫克之間。在45重量%的氫氧化鉀中,在110℃下對電極組件進行氫氧化鉀蝕刻(活化)實驗2小時。蝕刻過程后,取出電極,用去離子水沖洗,干燥,并測試。利用鈴木-松坎多通道壓力-濃度-溫度系統(tǒng)測量了氣相中氫-氫的相互作用?;罨筮M行不同溫度下的多氯三聯(lián)苯測量,包括在2.5兆帕H2壓力下,在室溫和300℃之間的2小時熱循環(huán)。


結(jié)果和討論

? ? ? 表1總結(jié)了每種合金的成分和制備方法 。b和C是TM基AB2合金,分別具有主要的C14和C15結(jié)構(gòu)。d是一種Laves相相關(guān)的BCC固溶體MH合金,由主BCC相和C14及TiNi副相組成,并在中等速率下顯示出高容量,適用于電動汽車應用。合金E–H是含稀土和鎂的A2B7基超晶格合金,主要用于高性能消費類鎳氫電池。圖1和圖2分別比較了本研究中8種合金在30℃和室溫下前10次電化學循環(huán)中測量的PCT等溫線和半電池放電容量。這些合金的容量總結(jié)在表1中。

? ? ? 每種合金的四個電極都經(jīng)過了半電池電化學測試。圖3和圖4中繪制了在不同速率和三個內(nèi)阻下測量的合金A(原樣)、合金B(yǎng)(原樣和蝕刻)和合金E(原樣和蝕刻)的電容示例.隨著放電電流的增加,電壓下降得非???,導致測量的容量顯著下降。蝕刻的C14 AB2合金(B)顯示出最高的放電容量,最高可達2℃。在R的比較中,蝕刻后的E顯示出最低的電阻,一般來說,無論是否被蝕刻,HRD能力都在A2B7 (E) > AB5 (A) > AB2 (B)的數(shù)量級。

? ? ? 從蝕刻合金表面獲得的掃描電鏡顯微照片如圖8所示.對于稀土基合金,只檢測到鋁(A、F和H)和極少量的鎂(E、F和G)。在鈦基合金中,鈦、釩和鋯的濃度較高。TM基合金溶液中的鎳含量遠高于re基合金,而前者的成分中鎳含量較低。這是額外的證據(jù),表明當TM基合金通過熱氫氧化鉀附著時,它們經(jīng)歷優(yōu)先浸出,并且re基合金在相同情況下形成被動氫氧化物層。

? ? ? 為了證實掃描電鏡和電感耦合等離子體分析的結(jié)果,進行了XRD,在圖10中繪制了本研究中每種合金氫氧化鉀蝕刻前后獲得的結(jié)果圖案。所有稀土基MH合金(A,E–H)在腐蝕后均出現(xiàn)稀土(OH)3峰。只有腐蝕的硼顯示出氧化鋯相,兩種AB2合金(硼和碳)都含有金屬鎳作為腐蝕后的產(chǎn)物。d顯示了一小部分由TM(主要是V [11])高水平氧化產(chǎn)生的氫儲存而形成的部分氫化物(α相)。

?堿性預蝕刻對金屬氫化物合金的影響

2 原樣合金的電化學全容量活化行為?


結(jié)論

? ? ? 本文結(jié)合電化學測試結(jié)果和微觀結(jié)構(gòu)分析,有以下發(fā)現(xiàn):通過氫氧化鉀蝕刻的高速率能力(減少R)的改善在具有小La含量的C15 AB2 (C)中最突出,其次是兩種含有鎂的A2B7合金(E和F),然后是C14 AB2 (A)和一種含有鎂但不含鋁(G)的A2B7。氫氧化鉀蝕刻降低了標準無鎂AB5 (A)和富釩BCC-C14 (D)合金的高速率性能(增加R),而A2B7 MH合金中的鎂含量對氫氧化鉀蝕刻反應良好,鑭也有助于通過蝕刻降低表面電荷轉(zhuǎn)移電阻。多相合金中的BCC相對氫氧化鉀腐蝕更穩(wěn)定,在電化學環(huán)境中是惰性的。高溫腐蝕會增加表面BCC相的密度,阻礙電化學反應,這解釋了氫氧化鉀腐蝕后D合金高功率性能嚴重退化的原因。


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