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摘要

? ? ? 封裝小型化這一永無(wú)止境的趨勢(shì)將半導(dǎo)體工業(yè)推向了技術(shù)的邊緣。因此，有必要開(kāi)發(fā)新技術(shù)，以滿足對(duì)先進(jìn)和先進(jìn)工藝能力的需求。

? ? ? 這篇論文是關(guān)于在圣卡蘭巴開(kāi)發(fā)和安裝強(qiáng)大的50μm晶圓減薄和切割能力的挑戰(zhàn)。隨著硅片被磨得越薄，它對(duì)機(jī)械應(yīng)力和振動(dòng)越敏感。傳統(tǒng)的機(jī)械切割工藝在切割過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量的機(jī)械應(yīng)力和振動(dòng)，這往往會(huì)導(dǎo)致背面切屑和模具裂紋問(wèn)題。背面碎屑作為骰子背面的斷裂點(diǎn)，顯著降低其模具強(qiáng)度。這一難題通過(guò)使用一種突破性的技術(shù)——磨削前切割（DBG）得到解決。

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介紹

? ? ? 傳統(tǒng)工藝包括晶圓貼帶、晶圓背磨、脫模和晶圓安裝，然后是晶圓鋸。

? ? ? 晶圓制備工藝從背面研磨開(kāi)始，或者在晶圓包帶過(guò)程中將BG帶層壓到晶圓的活動(dòng)面上。BG膠帶起到保護(hù)作用，以防止在下一個(gè)工藝步驟中損壞或劃傷晶圓的活動(dòng)面。在晶圓背面研磨時(shí)，BG膠帶起到緩沖作用，并確保晶圓在整個(gè)加工過(guò)程中都被正確抽真空。一旦達(dá)到目標(biāo)晶圓厚度，晶圓隨后進(jìn)入晶圓安裝過(guò)程。研磨后的晶圓安裝在切割帶或切割模附膜（DDAF）和環(huán)形框架上。最后，機(jī)械晶片鋸切或切割。?

? ? ? 機(jī)械晶圓鋸工藝使用刀片作為研磨機(jī)，可以分離骰子。刀片主要由磨粒和粘合劑組成。粘合劑所含的磨料用于切割模具。?

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結(jié)果和分析? ?

? ? ? 氣泡、晶須，評(píng)估結(jié)果可歸納為焊盤污染。氣泡見(jiàn)表4。在BG膠帶和半切工藝之間存在空氣后，使用可能影響最終晶圓厚度和顯微鏡的高功率測(cè)量晶圓監(jiān)測(cè)頂面碎屑。另一方面，氣泡會(huì)造成模具裂紋。晶須是指晶須、鍵合墊污染以及使用高倍半切割區(qū)域觀察到的BG帶殘留在條件邊緣的安裝情況，這可能是晶片安裝過(guò)程后的外來(lái)顯微鏡。最后，焊盤污染是討論的重點(diǎn)。

? ? ? 在晶圓反磨過(guò)程中，達(dá)到了目標(biāo)厚度。如圖14所示，從晶片背面和整個(gè)DAF上未觀察到裂紋跡象良好的晶片層壓條件，沒(méi)有氣泡和模具側(cè)壁跡象。DBG工藝后模具飛出。圖17顯示了與傳統(tǒng)晶圓鋸切工藝相比，所有DAF（7μm至30μm）層壓條件。結(jié)果在前幾頁(yè)上，DBG顯著增加，因此，DAF厚度沒(méi)有明顯改善。DAF層壓條件不同。

圖14?顯示DBG工藝結(jié)果的模具背面和側(cè)面照片

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圖17?晶圓安裝條件

結(jié)論

? ? ? 基于實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)，進(jìn)行了切割前研磨工藝的開(kāi)發(fā)。半切劃片應(yīng)保持主軸轉(zhuǎn)速為40至50k rpm，以實(shí)現(xiàn)良好的頂面劃片響應(yīng)。部分切割深度、晶圓厚度和背面削片顯示穩(wěn)定的工藝，規(guī)格為+/-2.5μm。在BG膠帶層壓過(guò)程中，為了消除晶須、氣泡和污染，工藝應(yīng)使用BG膠帶E-1，與E-2相比，其在紫外線前的附著力更低。此外，BG膠帶E-1必須在室溫下層壓，以達(dá)到最佳狀態(tài)。最后，晶片層壓顯示從7μm到30μm DAF厚度沒(méi)有顯著影響。因此，DBG工藝可提供獲得50μm最終厚度的無(wú)缺陷工藝。

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