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介紹

????隨著器件尺寸的迅速縮小和實現(xiàn)極其光滑表面的嚴格要求，在前端和后端工藝中，使用化學機械拋光(CMP)對各種薄膜進行全局表面平坦化的需求越來越大。在化學機械拋光過程中，拋光墊材料和晶片表面在漿料的存在下緊密接觸。在化學機械拋光過程結束時，漿料顆粒仍然留在晶片表面，如果不去除，它們會導致各種類型的缺陷(劃痕、腐蝕點等)。這影響了集成電路的功能化。在某些情況下，這些缺陷也可能是由拋光墊和金剛石圓盤修整器引起的。其他常見的污染物包括有機殘留物和金屬雜質。

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作用力

范德華力是粒子粘附到任何基底上的最重要的力之一。這些力是由于原子核周圍電子的位置所形成的分子間的瞬時偶極相互作用而產(chǎn)生的。偶極相互作用有三種類型，即永久偶極-永久偶極(基索姆相互作用)、永久偶極-誘導偶極(德拜相互作用)和誘導偶極-誘導偶極相互作用(倫敦力)，它們共同對范德華力做出貢獻。范德華力取決于相互作用的粒子、基底和介質的組成、它們之間的分離距離以及粒子和基底的表面粗糙度和幾何形狀。

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化學機械拋光后清洗工藝的類型

? ? ? 在不同類型的濕法清洗方法中，批量清洗由于其低擁有成本已經(jīng)使用了很長時間，因為它通常一次處理25個晶片的盒子。濕式批量清洗由幾個步驟組成，指定不同的浸沒槽，其中包含不同的化學品。該技術包括將晶片依次浸入包含在不同浴槽中的不同清洗溶液中。這種清洗方法允許化學溶液在晶片的兩側均勻接觸。此外，使用該技術可以獲得對溶液溫度的良好控制。

? ? ? 批量清洗的最后一步是干燥過程，這通常是通過將晶圓置于異丙醇(IPA)-水的高溫混合物中來進行的。應該提到的是，在每個化學處理步驟之后，在單獨的浸沒槽中進行去離子水沖洗過程。

單晶片清洗? 略

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總結

化學機械拋光后清洗是化學機械拋光后的一個關鍵步驟，因為它可以有效去除顆粒和其他污染物，從而提高集成電路制造中的器件成品率。本文中描述的研究強調(diào)了控制單個晶片(刷洗和兆頻超聲波清洗)和浸沒清洗中工藝變量的重要性，以實現(xiàn)高的PRE，而不會在表面上引起任何缺陷。通過對各種研究的討論，強調(diào)了二氧化硅、鎢和銅膜的化學機械拋光后清洗中使用的不同化學制劑和成分在顆粒去除中的作用。后化學機械拋光工藝的發(fā)展必須不斷進步，以應對化學機械拋光結束時出現(xiàn)的挑戰(zhàn)和更嚴格的表面清潔要求。?

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