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摘要

? ? ? ?本文提供一種保護(hù)涂層，描述了半導(dǎo)體沉積室中使用的保護(hù)涂層的方法。在優(yōu)選實(shí)施例中，CVD室設(shè)備免受等離子體蝕刻清洗。在氮化硅的CVD之前，腔室設(shè)備首先涂上發(fā)射率穩(wěn)定層，如氮化硅。然后這一層被表面氧化。在序列中的不同底物上重復(fù)沉積氮化硅后，將腔室清空晶圓，并進(jìn)行等離子體清洗過(guò)程。等離子清洗優(yōu)選選擇氧氮化硅保護(hù)涂層。在等離子體清洗過(guò)程之后，再應(yīng)用發(fā)射率穩(wěn)定層氧化，并且可以重新開(kāi)始多個(gè)沉積循環(huán)。

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介紹

? ? ? ?根據(jù)本文的一個(gè)方面，用于等離子體蝕刻處理的含氧氮硅涂層的半導(dǎo)體反應(yīng)器。根據(jù)本文的另一方面，提供了一種制備晶片支架的方法。該方法包括將晶片支架導(dǎo)入腔室，在晶片室中為晶片支架的氮化硅涂層，并在處理晶片之前氧化晶片支架上的初級(jí)氮化硅涂層。在所示的實(shí)施例中，基座是碳化硅涂覆石墨緩沖器，反應(yīng)器配置用于氮化硅沉積。氮化硅的初級(jí)涂層由熱CVD形成，并且優(yōu)選地具有a。初級(jí)氮化硅涂層包括流動(dòng)的從由氧、一氧化氮和一氧化二氮組成的組中選擇的氧源。氧化優(yōu)選形成氧化硅約5A和200A之間的氧化硅。

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實(shí)驗(yàn)

?優(yōu)選實(shí)施例的方法雖然優(yōu)選實(shí)施例是在單襯底、水平流動(dòng)冷鏈的背景下提出的反應(yīng)器，應(yīng)當(dāng)理解為的某些方面將應(yīng)用于其他類型的反應(yīng)器。所示的單通水平流設(shè)計(jì)使反應(yīng)物氣體能夠發(fā)生層流，這反過(guò)來(lái)促進(jìn)了順序處理，同時(shí)使反應(yīng)物相互作用和與炭表面相互作用的微小相互作用。如上所述，等離子體蝕刻清洗過(guò)程已被發(fā)現(xiàn)優(yōu)先攻擊半導(dǎo)體室和組件的各個(gè)區(qū)域。為了提供針對(duì)腔室和不太容易被清洗過(guò)程的自由基化學(xué)物質(zhì)攻擊的部件的涂層，優(yōu)選實(shí)施例提供了保護(hù)涂層。本文會(huì)詳細(xì)所述提供了氧氮硅涂層和使用這種涂層的方法。

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總結(jié)

? ? ??本文講述了一種制備用于沉積的基板支架的方法，在化學(xué)氣相分解室中提供底板支架和在基板支架的碳化硅表面涂上氮化硅的一層涂層；以及在基板處理之前在基板支架上氧化主基板涂層。其中在襯底支架上涂覆主涂層還包括化學(xué)蒸汽。另一種沉積氮化硅的方法，是在緩沖器上提供氧化的氮化硅涂層，在涂覆的緩沖器上按順序在多個(gè)基質(zhì)上沉積氮化硅，并在沉積后從緩沖器中等離子體清洗氮化硅。處理半導(dǎo)體基質(zhì)的方法，是通過(guò)在基板上提供發(fā)射率穩(wěn)定涂層并在處理基質(zhì)之前氧化發(fā)射率穩(wěn)定涂層來(lái)制備基底，加載到涂層和氧化的基板上，沉積一層材料到基底和至少部分基質(zhì)上；沉積后從基質(zhì)中除去基底，并從基體中等離子體清洗沉積材料。其中發(fā)射率穩(wěn)定涂層還包括氮化硅。在等離子體清洗之前，將基質(zhì)材料層沉積到基質(zhì)上，并從受體上去除基質(zhì)重復(fù)5到1000次。其中等離子體在沉積物厚度大于約2um之前進(jìn)行清洗。

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