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摘要

該研究顯示了去離子 (DI) 沖洗和氧化物 HF 濕蝕刻工藝對硅襯底的影響 光刻工藝。在互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 器件的制造過程中，我們在 DI 沖洗步驟后發(fā)現(xiàn)晶圓中心出現(xiàn)故障，稱為 Si 凹坑。我們試圖通過在 CMOS 制造中使用硅晶片并分析由 DI 沖洗引起的摩擦電荷的影響來找出 Si 凹坑的機制。該實驗的關(guān)鍵參數(shù)是每分鐘轉(zhuǎn)數(shù) (rpm) 和時間。觀察到超過 10 秒的孵育時間對于形成 Si 凹坑，并且沖洗時間比 rpm 對 Si 凹坑的形成更有效。通過使用等離子體密度監(jiān)測器測量充電水平，研究了 Si 凹坑的形成機制和優(yōu)化的沖洗工藝參數(shù)。

關(guān)鍵詞 光刻、DI 沖洗、摩擦充電、Si 坑、PDM。

簡介

隨著現(xiàn)代半導體工業(yè)的發(fā)展，超大規(guī)模集成（VLSI）制造工藝也在以非?？斓乃俣劝l(fā)展，集成電路的集成度進一步提高，電路的線寬越來越大。也變得很好。半導體制造工藝可以基于CMOS（互補金屬氧化物半導體）工藝集成來解釋。

光刻，今天被用作一種形成圖案的方法，用于制造幾乎所有的集成電路。半導體制造工藝重光工藝起到蝕刻掩膜的作用，形成所需的膜結(jié)構(gòu)，或形成掩膜的工藝，將適量的離子注入所需的區(qū)域?；旧?，它與采取a的工藝幾乎相同如圖，在晶圓上經(jīng)過抗蝕劑涂布→曝光→顯影三步過程?？刮g劑涂覆工藝是在硅片上涂上PR（光刻膠）的工藝，曝光工藝使一定波長的光通過涂在硅片上的光刻膠，使用圓形掩模使PR（光刻膠）感光在半導體設(shè)計中完成的形狀。是公平的 在顯影過程中，將感光水溶液噴灑在曝光的抗蝕劑上，使受光的PR選擇性熔化。

實驗方法

在本研究中，TEL 的涂料和顯影劑被用作進行顯影劑配方實驗的設(shè)備，它在關(guān)鍵工藝參數(shù)中發(fā)揮作用。該設(shè)備具有用于施加抗蝕劑的涂層器部分，以及以非接觸方式將熱能施加到晶片上的烘烤部分，用于軟烘烤、PEB（曝光后烘烤）和 PDB（顯影后烘烤）工藝，并增強附著力. 它由為此目的涂抹HMDS（六甲基二硅氮烷）的粘合部分和從曝光區(qū)域去除抗蝕劑并干凈地去除異物以形成最終圖案的顯影劑部分組成。特別是，執(zhí)行顯影過程的顯影單元是本研究的關(guān)鍵部分，它具有恒溫恒濕控制系統(tǒng)，可始終保持 23oC 和 45% 的 2.38% TMAH（氫氧化四甲銨）水溶液.5)。

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硅片缺陷檢測場???????略

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結(jié)果和考慮

10、20 在 500、1000 和 2000 rpm 確定 Si 坑的主要因素 并在對共 9 個樣品進行 40 秒的 DI 清洗后，通過脫釉和缺陷檢查觀察到 Si 凹坑的形成，結(jié)果如圖 3 所示。2 提出?？梢钥闯?，當進行 10 秒的 DI 清洗時，無論轉(zhuǎn)速如何，都完全沒有出現(xiàn) Si 凹坑。這可以估計是由于 DI 水和晶片之間發(fā)生碰撞而導致的摩擦電荷較少，從而導致出現(xiàn) Si 凹坑。

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