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殘留物清除

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殘留物去除通常發(fā)生在蝕刻或注入步驟之后。由于光致抗蝕劑是一種含有長鏈聚合物的有機材料，當沒有其他物質(zhì)存在時，氧化很容易，聚合物從表面的去除也就完成了。然而，當存在來自先前處理的殘留物時，必須在晶片被送至下一步驟之前將其去除。殘渣去除的難度取決于之前的處理；抗蝕劑的烘焙通過耗盡溶劑使其硬化，紫外(UV)曝光使抗蝕劑交聯(lián)(參考)，蝕刻耗盡抗蝕劑的溶劑并蝕刻抗蝕劑，同時在表面上沉積聚合物(參考)，離子注入使抗蝕劑交聯(lián)并脫氫，在抗蝕劑的外表面附近產(chǎn)生“外殼”。

殘余物必須被去除，并且通常與光致抗蝕劑掩模的等離子體剝離相結(jié)合。殘余物既含有有機(通常含氟)材料，也含有無機(通常含硅)材料。例如，在蝕刻柵極疊層之后，除了保留在蝕刻區(qū)域中的不想要的柵極氧化物之外，通常使用一系列SPM和HF來去除蝕刻和剝離殘留物。

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預(yù)氧化清洗

由于在器件制造區(qū)域發(fā)現(xiàn)的大氣污染，有機薄膜薄層存在于晶片表面。有機蒸汽會從聚合物部件中釋放出來，例如晶片載體和建筑材料。雖然這些污染水平很低，但是晶片接受的處理對這些低水平很敏感，例如，在熱處理之前必須清潔表面。在許多制造領(lǐng)域，SPM清洗步驟是RCA預(yù)熱清洗過程的一部分。

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SPM后沖洗和干燥?

粘性SPM很難從晶圓表面去除，需要大量沖洗。表面的吸濕硫殘留物會吸收水分并產(chǎn)生顆粒缺陷。有效的沖洗對于防止任何殘留化學(xué)物質(zhì)殘留在晶片表面至關(guān)重要。本技術(shù)指南涵蓋了沖洗。SPM處理后的干燥取決于晶片表面。對裸露的硅表面進行SPM處理會產(chǎn)生一個薄的氧化物層，稱為化學(xué)氧化物，具有自限性，通常小于1.0-1.2納米，不是化學(xué)計量的二氧化硅，而是二氧化硅。因此，在SPM處理后，硅表面是親水的，可以用各種技術(shù)干燥，表面張力梯度干燥在本技術(shù)指南中討論。

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SPM前和后處理

在SPM工藝之后，可以使用其他化學(xué)浴來獲得期望的表面調(diào)節(jié)結(jié)果。SPM后的SC-1(表面處理–1，H2SO4:H2O2::H2O)處理通常用作清除有機薄層的清理步驟，或用于顆粒清除功能。SC-1可以用在專用浴池的同一個濕工作臺上，也可以用在單獨的濕工作臺上。本技術(shù)指南的RCA清潔部分討論了SC-1.. 在SPM工藝之前或之后，使用基于HF的配方從側(cè)壁去除含硅聚合物和碳氟聚合物，特別是在柵極蝕刻工藝之后。此外，極低濃度的氟化氫被添加到表面等離子體處理中，以改變晶片表面的潤濕特性，從而使化學(xué)物質(zhì)在清洗后有效地從晶片中排出。

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化學(xué)過濾和再加工

對于H2SO4和H2O2，根據(jù)所用過濾器的類型，帶有過濾器的化學(xué)分配系統(tǒng)可以將顆粒水平降低10-500倍。

從再處理器出來的顆粒數(shù)小于6個/毫升(> 0.5米)，小于0.007個/毫升(> 1米)。再處理器可用于H2SO4，通常使用蒸餾，結(jié)合過濾和離子交換樹脂從化學(xué)物流中去除污染物。MTS H2SO4再處理器在H2O和殘余H2O2被熱消除后，使用真空蒸餾塔純化H2SO4。MTS再處理器可以安裝在化學(xué)品分配系統(tǒng)中。

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