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? ? ? ? 硅基電子元件的開發(fā)與生產要求材料在所有階段的化學表征,從原材料,最后是成品。分析工作包括測定兩者的體積濃度和空間分布雜質和攙雜劑的厚度和成分的測定沉積在硅等上的薄膜?,F代要求的高可靠性半導體產品需要廣泛的控制程序。經常必須測定極低濃度的雜質。因此低檢測限和污染自由度是該標準的關鍵要求分析工作。需要和使用許多不同的分析技術。在這幾種核分析技術是很重要的。中子(NAA),帶電粒子活化分析(CPA)、核反應分析
(NRA)、瞬變伽馬活化分析(PGAA)和盧瑟福后向散射光譜學(RBS)是最常用的方法。所涉及的分析問題是困難的和質量要求高。常是非核的定量校準技術是很困難的。很少,如果有的話,參考資料是公正的分析方法的準確性存在控制。該局與國家標準局合作召開了會議這次顧問會議的目的如下。1.?概述分析化學的要求電子工業(yè)和所使用的分析技術。2.?探討核分析技術在這一領域的作用。3.討論國際組織質量控制的必要性所用的分析方法。該報告包含三個報告討論分析的必要性硅電子化學,分析技術的應用和分析標準,并對質量需求的討論進行總結報告控制。對分析化學的需求硅電子科技。
摘要
? ? ? ? 對原材料質量控制的分析和缺陷特性的廣泛需求討論了硅器件制造的材料、工藝和環(huán)境一般。重點是使核分析化學家熟悉電子工業(yè)在痕量表征方面存在的挑戰(zhàn)。繼續(xù)分析方法的發(fā)展,新認證的機會被引用標準參考資料,國際合作共同發(fā)展接受的分析方法。還提到了可能適合由國際原子能機構發(fā)起的合作項目。
介紹
? ? ? ?微量元素分析和缺陷表征是傳統(tǒng)的科學在微電子工業(yè)中很重要。從早期的發(fā)展階段從目前的外延技術發(fā)展到器件制造的區(qū)域精煉硅生產結構,原材料的特性,過程和完成器件對于超大規(guī)模集成(VLSI)技術的發(fā)展至關重要。例如,在生產過程中存在大量的質量控制輸入需求,嚴格的質量控制是為了盡量減少化學品加工過程中雜質的負面影響,以及環(huán)境中的污染物。需要進行化學和物理分析在制造和制造設備生命周期的所有階段產品從開發(fā)到加速壽命測試以及隨后的失效現場操作。在開發(fā)階段,需要對特征進行選擇優(yōu)化材料,并建立規(guī)范。以確保選定的商業(yè)上可獲得的材料堅持既定的指導方針,補充分析在生產前已做好準備。保證原材料及加工適當質量的試劑是事先選擇的,防止可預測的,在生產過程中不可接受的產品良率損失。此外,在線監(jiān)控化學密集型制造過程的敏感步驟潛在的經濟災難性過程中斷的實時警告有害雜質和反應副產品的積累硅器件制造的環(huán)境控制非常好在本報告中不討論。需要分析方法重點對原材料、試劑和過程化學品進行質量控制。
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本文還講述了原材料,1C加工試劑和化學品,其他重要的特性描述需求等問題
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