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標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造工藝可以大致分為兩種工藝。一種是在襯底（晶圓）表面形成電路的工藝，稱(chēng)為“前端工藝”。另一種是將形成電路的基板切割成小管芯并將它們放入封裝的過(guò)程，稱(chēng)為“后端工藝”或封裝工藝。在半導(dǎo)體制造的傳統(tǒng)封裝工藝中，襯底（晶圓）被研磨到指定的厚度，然后進(jìn)行芯片分離（劃片、切割工藝）。

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工藝流程1：各設(shè)備加工（單機(jī)）

（每一步均由獨(dú)立設(shè)備執(zhí)行）

保護(hù)膠帶（背面研磨用BG膠帶）層壓在晶圓表面的電路上，晶圓背面研磨至指定厚度，然后從晶圓表面去除保護(hù)膠帶。接下來(lái)，將切割膠帶（用于切割）安裝到晶圓背面，并將晶圓從表面切割成芯片。切割膠帶可防止芯片在切割后飛散。

工藝流程 2：部分使用在線設(shè)備進(jìn)行加工

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ??（部分使用內(nèi)聯(lián)系統(tǒng)處理）

? ? ? ?在硅半導(dǎo)體制造中，Φ300 mm 晶圓正日益成為提高生產(chǎn)力的主流。此外，晶圓被減薄到大約 100 μm，用于高規(guī)格封裝。由于減薄的大直徑晶圓有很高的晶圓級(jí)破損風(fēng)險(xiǎn)，因此在加工過(guò)程中需要采取各種預(yù)防措施。
? ? ? 例如，如果在晶圓減薄后需要進(jìn)行拋光工藝以去除磨削損傷，則能夠使用砂輪進(jìn)行磨削和干拋光的多重加工設(shè)備降低了晶圓轉(zhuǎn)移過(guò)程中晶圓級(jí)破損的風(fēng)險(xiǎn)。通過(guò)顛倒BG膠帶去除和切割膠帶安裝的順序，也可以有效降低總是用膠帶支撐晶片的風(fēng)險(xiǎn)。將研磨功能和膠帶安裝/移除功能集成到一個(gè)在線系統(tǒng)中，降低了晶圓轉(zhuǎn)移的頻率并降低了晶圓級(jí)破損的風(fēng)險(xiǎn)。在這些加工方法中，切割是在研磨（拋光）之后進(jìn)行的（與工藝流程 1 相同）。

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