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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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第七課:硅片的超聲和兆聲清洗技術(shù)

時間: 2018-09-27
點(diǎn)擊次數(shù): 2607

隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展,集成度不斷提高,器件尺寸不斷減小,對硅拋光片的表面質(zhì)量要求越來越嚴(yán)格。清洗是半導(dǎo)體器件制造過程中最重要的步驟。

1、硅片的清洗工藝原理

硅片經(jīng)過切片、倒角、雙面研磨、拋光等不同的工序加 工后,其表面已受到嚴(yán)重沾污,清洗的目的主要是清除晶片表面的沾污。硅片表面的污染物通常以原子、離子、分子、 粒子或膜的形式以物理吸附或化學(xué)吸附的方式存在于硅片表面。有以下兩種清洗方式:

超聲波是通過蒸氣漩渦來輔助沖洗的。振動在液體中形 成極微小的氣泡而這些氣泡快速地崩潰而產(chǎn)生極微小的擦 洗的動作從而除去顆粒。這一現(xiàn)象稱為氣渦。圖1為超聲清洗效果。

第七課:硅片的超聲和兆聲清洗技術(shù)

▲?圖1 超聲清洗效果

兆聲波的輔助作用是通過另外一種機(jī)理來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)流體力學(xué),固體表面與液體之間有一個靜止或緩慢移動的界面,例如晶片的表面。小的顆粒可被保持在這層界面中而不會接觸化學(xué)清洗液。兆聲波的能量可以消除這一界面,從而 使顆粒得以清洗。另外,一種叫做聲流的現(xiàn)象使得水或清洗 液流過晶片的速度加快,從而提高清洗效率。圖2為兆聲清 洗效果。

第七課:硅片的超聲和兆聲清洗技術(shù)

▲?圖2 兆聲清洗效果

2、超聲清洗技術(shù)

超聲清洗屬物理清洗,把清洗液放入槽內(nèi),在槽內(nèi)作用 超聲波。由于超聲波與聲波一樣是一種疏密的振動波,在傳 播過程中,介質(zhì)的壓力作交替變化。在負(fù)壓區(qū)域,液體中產(chǎn) 生撕裂的力,并形成真空的氣泡。當(dāng)聲壓達(dá)到一定值時,氣 泡迅速增長,在正壓區(qū)域氣泡由于受到壓力擠破滅、閉合。 此時,液體間相互碰撞產(chǎn)生強(qiáng)大的沖擊波。雖然位移、速度 都非常小,但加速度卻非常大,局部壓力可達(dá)幾千個大氣壓,這就是所謂的空化效應(yīng)。

超聲清洗的原理是:在強(qiáng)烈的超聲波作用下(常用的超 聲波頻率為20 kHz到40kHz左右),液體內(nèi)部會產(chǎn)生疏部 和密部,疏部產(chǎn)生近乎真空的空腔泡,當(dāng)空腔泡消失的瞬間, 其附近便產(chǎn)生強(qiáng)大的局部壓力,使分子內(nèi)的化學(xué)鍵斷裂,因 此使硅片表面的雜質(zhì)解吸。當(dāng)超聲波的頻率和空腔泡的振動 頻率共振時,機(jī)械作用力達(dá)到最大,泡內(nèi)聚集的大量熱能, 使溫度升高,促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)的發(fā)生。圖3為超聲清洗示意圖。

第七課:硅片的超聲和兆聲清洗技術(shù)

?圖3 超聲清洗示意圖

超聲清洗主要由超聲空化引起,空化效應(yīng)是主要因素。 氣泡的爆破產(chǎn)生的高壓高溫沖擊波減小了污垢與被清洗件 之間的粘著力,引起污垢的破壞和離;同時氣泡的振動能對 被清洗物表面進(jìn)行擦洗,氣泡還能鉆入裂縫中振動,使污層 脫落。當(dāng)某些固體表面被油粘附時,油被超聲波乳化,迅速 脫離被清洗件表面。超聲空化在被清洗件表面會產(chǎn)生很高的 速度梯度和聲流,能進(jìn)一步削弱或除去邊界層污染,同時超 聲振動還會引起介質(zhì)質(zhì)點(diǎn)的強(qiáng)烈振動,使被清洗件表面受到 強(qiáng)烈的沖擊,使污物迅速脫離表面。

超聲清洗的效果與超聲條件(如溫度、壓力、超聲頻率、 功率等)有關(guān),而且提高超聲波功率往往有利于清洗效果的 提高。該技術(shù)多用于去除硅片表面附著的大塊污染和顆粒, 但隨著粒子尺寸的減小,清洗效果下降,對于小于1um的 顆粒的去除效果并不太好。為了增加超聲波清洗效果,有時 在清洗液中加入表面活性劑。但表面活性劑和其他化學(xué)試劑 一樣,也存在污染。無機(jī)物被除去后,化學(xué)試劑本身的粒子 卻留下了。同時由于聲波能的作用,會對硅片造成損傷。

超聲清洗是半導(dǎo)體工業(yè)中廣泛應(yīng)用的一種清洗方法,它 具有以下特點(diǎn):

(1)清洗效果好;

(2)操作簡單;

(3)對于復(fù)雜的器件和容器也能清除;

(4)噪音較大;

(5)換能器易壞。

3、兆聲清洗技術(shù)

兆聲是指頻率在500kHz?499GHz范圍內(nèi)的聲波。

兆聲清洗的原理是主要由于聲壓梯度、粒子速度及聲流 的作用,而空化效應(yīng)是次要的,由高能頻振效應(yīng)并結(jié)合化學(xué) 清洗劑的化學(xué)反應(yīng)對硅片進(jìn)行清洗的。圖4為兆聲清洗系統(tǒng)示意圖。

第七課:硅片的超聲和兆聲清洗技術(shù)

▲?圖4 兆聲清洗系統(tǒng)示意圖

兆聲清洗是用0.8?1.0MHz的聲波去除晶片上的顆粒, 由換能器發(fā)出波長為1um、頻率為0.8兆赫的高能聲波, 通過兆聲振板傳遞到清洗液中,清洗液分子在這種聲波的推 動下作加速運(yùn)動,最大瞬時速度可達(dá)到30cm/s。由于頻率 太高,聲波在清洗液中很難發(fā)生空化效應(yīng),清洗時不形成超 聲波清洗那樣的氣泡,而是利用高頻聲波能量在清洗液中形 成的高速微水流連續(xù)沖擊晶片表面,使物體表面附著的表面 小于0.2um污染物和細(xì)小顆粒被強(qiáng)制除去并進(jìn)入到清洗液 中。這種清洗的特點(diǎn)是清洗方向性強(qiáng),清洗時一般將零件表 面置于與聲束平行的方向(見圖5)。

第七課:硅片的超聲和兆聲清洗技術(shù)

▲?圖5?

物空冷器(A-53101/A~H)而言,采用10#鋼換熱管的設(shè)備 總價約400萬元人民幣,采用復(fù)合鋼管換熱管的設(shè)備總價約 450萬元人民幣,而如采用INCONLOY825換熱管的設(shè)備總價 約5000萬元人民幣。

可見,直接投資可一次性節(jié)約4550萬元人民幣,若使 用壽命達(dá)三年以上,則直接經(jīng)濟(jì)效益為:(400*3-450)/3=250 萬元人民幣/年。從減少非計(jì)劃停車和消除安全隱患方面來 看,意義更加重大,間接經(jīng)濟(jì)效益可達(dá)1000萬元/年。

而對于整個工業(yè)系統(tǒng)來說,這種復(fù)合鋼管的成功應(yīng)用, 必將因其在節(jié)約一次性投資和直接經(jīng)濟(jì)效益上的明顯優(yōu)勢, 從而在設(shè)計(jì)、選材策略方面,發(fā)生重大變化,為我國國民經(jīng) 濟(jì)的發(fā)展,做出巨大的貢獻(xiàn)。

兆聲清洗的顆粒去除度與聲波流的空穴作用、氣體溶解 度和振蕩效應(yīng)都有關(guān)系。為了達(dá)到清洗目的,也常使用表面 活性劑,使粒子不再沉淀在表面上。

兆聲清洗能同時起到機(jī)械擦片和化學(xué)清洗兩種方法的 作用。兆聲清洗不但保持了超聲清洗的優(yōu)點(diǎn),而且克服了它 的不足。這種方法避免了因空化作用而造對某些物體表面的 損傷;同時在兆聲清洗過程中,無機(jī)械移動部件,因此可減 少在清洗過程本身所造成的沾污。

兆聲清洗技術(shù)已成為拋光片清洗的一種有效方法,它具 有以下的特點(diǎn):

(1)去除小于0.2um的微小顆粒;

(2)避免了空化現(xiàn)象可能引起的對物件表面的損傷;

(3)高密度的能量提供高效的清洗效果;

(4)線性方向的高速流動可以防止雜質(zhì)重新附著在物 件表面。

4、超聲和兆聲清洗技術(shù)的比較

第七課:硅片的超聲和兆聲清洗技術(shù)

▲超聲和兆聲清洗技術(shù)的比較



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