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外延片清洗機(jī)-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06

在LED外延及芯片制造領(lǐng)域，濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納（江蘇）CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝，現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封，具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制，功能強(qiáng)大，操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ；18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（regal-bio.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn)，在6＂（150mm）晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成，一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、Ｎ２保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體，二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下：從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出，采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場不均問題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射，實(shí)現(xiàn)攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu)，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證，鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu)，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。華林科納（江蘇）CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理，由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)，該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有：①結(jié)構(gòu)簡單；②工藝參數(shù)控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng)，目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用，產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo)：最...

雙腔甩干機(jī)

發(fā)布時(shí)間： 2016 - 06 - 22

雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái)，可同Run 50片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下. 2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì)，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨，並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l 控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...

枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE

發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07

枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長：單片式清洗裝置的優(yōu)點(diǎn)（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對(duì)應(yīng)）例：附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…（例）1%DHF的情況 20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個(gè)客戶可以定制）液體濺射（塵埃強(qiáng)制除去）（推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。

自動(dòng)供酸系統(tǒng)（CDS）-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07

自動(dòng)供酸系統(tǒng)（CDS）-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶（自動(dòng)切換）、配兩臺(tái)泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動(dòng)化與親和力。在...

單片清洗機(jī)CSE

發(fā)布時(shí)間： 2018 - 01 - 23

單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納（江蘇）CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕去膠金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2'-12'；可處理晶圓材料：硅砷化鎵磷化銦氮化鎵碳化硅鈮酸鋰鉭酸鋰等；主要應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路聲表面波器件微波毫米波器件 MEMS 先進(jìn)封裝等設(shè) 備名稱CSE-單片清洗機(jī)類型單片式適用領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時(shí)間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短（相較于槽式清洗機(jī)）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠(yuǎn)低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小更多的單片（枚葉）式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導(dǎo)體官網(wǎng)，關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096，18913575037

氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06

氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能。控制模式：手動(dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶（自動(dòng)切換）、配兩臺(tái)泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動(dòng)化...

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第四課：詳解濕法刻蝕與清洗的基本藥液

時(shí)間: 2018-09-13

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大家知道濕法刻蝕中清洗時(shí)所需的基本藥液有哪幾種嗎？

首先是刻蝕液，刻蝕液主要有磷酸、氫氟酸、緩沖刻蝕劑（BOE）、鋁刻蝕劑（M2）、硝酸等。

1、磷酸刻蝕液

磷酸刻蝕液由純磷酸和去離子水組成，工作溫度為 160攝氏度。主要功能是用來刻蝕氮化硅膜及其下面的氧化膜。其對(duì)氮化硅膜的刻蝕速率是55A/Min,對(duì)氧化膜的刻蝕速率是1.7-10A/Min。該刻蝕液的反應(yīng)速率主要取決于反應(yīng)溫度和溶液中水的含量。

其反應(yīng)機(jī)理如下：

Si₃N₄?+ 6H₂O -----> 3SiO2 + 4NH₃（需要用 H₃PO₄作催化劑）

晶圓在磷酸刻蝕液反應(yīng)槽里反應(yīng)后必須被傳送到熱的去離子水槽里進(jìn)行清洗，否則易受到熱應(yīng)力的破壞而造成破片。

2、氫氟酸刻蝕液

氫氟酸刻蝕液主要用來刻蝕氧化膜。根據(jù)濃度不同可分為CHF、 LHF、 DHF等。CHF 是濃度為 49%的氫氟酸刻蝕液，主要用來刻蝕Poly以及氮化物，其反應(yīng)速度很快，很難用其來刻蝕掉特定的厚度，因此只能用在過刻蝕的情況。 LHF 是 CHF用水稀釋后的產(chǎn)物，其中氫氟和水的比例為50：1。該刻蝕液刻蝕速度穩(wěn)定，晶圓生產(chǎn)上常用其刻蝕特定厚度的氧化膜。 DHF 是 LHF 進(jìn)一步稀釋后的產(chǎn)物，其中氫氟酸和水的比例為 100：1。由于其濃度較低，所以其刻蝕速率很低，主要用來刻蝕晶圓表面的自然氧化膜。

3、緩沖刻蝕劑

緩沖刻蝕劑又叫作 BOE(全稱 Buffered Oxide Etch),是NH4F和 HF 以及表面活化劑的混合物，主要用來刻蝕晶圓上深槽里的氧化膜。根據(jù) NH4F 和HF 濃度比例的不同可分為MB、 LB、 DB。 MB 里NH4F 與 HF的比例是 10：1， LB 里 NH4F 與 HF的比例是130：1， DB里 NH4F 與HF 的比例是 200：1。

緩沖刻蝕劑與SiO₂氧化膜的反應(yīng)機(jī)理為：

SiO₂?+ 2HF₂- + 2H₃O+ ?SiF₄?+ 4H₂O

SiF₄?+ 2HF? H₂SiF₆

SiF₄?+ 2NH₄F? (NH₄)₂SiF₆

4、鋁刻蝕劑

鋁刻蝕劑即 M2，是磷酸、硝酸和醋酸的混合物，它們的比例為70:2:12。其反應(yīng)溫度為 75攝氏度，主要用在鈷制程選擇性的刻蝕過程中。其中,硝酸作為氧化劑，將AL生成AL₂O₃，磷酸再將AL₂O₃生成AL(OH)₃。

接著是清洗液，濕法清洗所用的清洗液主要有硫酸清洗液、 SC1清洗液、 SC2 清洗液等。

1、硫酸清洗液

硫酸清洗劑是硫酸和雙氧水的混合物，其濃度比為 5:1，反應(yīng)溫度為 125 攝氏度。其功能是去除晶圓表面的光阻殘留物或有機(jī)物。反應(yīng)機(jī)理是：

H₂SO₄?+ H₂O₂----->HO-(SO₂)-O-OH + H₂O

HO-(SO₂)-O-OH + -(CH₂)n -----> CO₂?+ H₂

2、SC1清洗液

SC1 清洗液是氨水、雙氧水以及水的混合物，三者體積比例為1:2:50。其反應(yīng)溫度為 25攝氏度，功能是去除晶圓上的微粒雜質(zhì)以及聚合物。清洗機(jī)理是氧化和電性排斥，如圖1所示。

第四課：濕法刻蝕與清洗所需的物質(zhì)

▲圖1 SC1清洗原理圖

3、SC2清洗液

SC2 清洗液是鹽酸、雙氧水和水的混合物，三者的體積比例為1:1:50。 SC2清洗液的主要功能是清除晶片上的金屬離子。其清洗機(jī)理是其能提供一個(gè)低 PH值的環(huán)境，堿性的金屬離子，金屬氫化物將能溶于SC2 清洗液里。

由于 SC1 呈堿性，所以在 SC1 清洗液里，較易發(fā)生金屬附著現(xiàn)象。而在 SC2 呈酸性，故在 SC2溶液里不容易產(chǎn)生這種現(xiàn)象，并且后者比較容易清除晶圓外表的金屬。而且雖然 SC1清洗液能去除 Cu 等金屬，卻很難去除晶片表面的自然氧化膜附著。

SC2 擁有非常強(qiáng)的氧化能力和絡(luò)合能力，能與氧以前的任何金屬物質(zhì)反應(yīng)生成能很容易被誰清洗掉的鹽離子。同時(shí)氧化后的金屬離子可與氯離子反用產(chǎn)生一種可溶性的絡(luò)合物并能被去離子水去除[15]。 SC2清洗的相關(guān)化學(xué)方程式如下：

Si+H₂O₂-->SiO₂+H₂O?????????Zn+HCl-->ZnCl₂+H₂

Fe+HCl-->FeCl₂+H₂? ? ? ? ? ??Mg+HCl-->MgCl₂+H₂

然后是去離子水

在晶圓生產(chǎn)中，晶圓在酸槽里清洗完后，都要先進(jìn)入水槽里清洗，然后才能進(jìn)入下一酸槽進(jìn)行再清洗。水槽里的水必須要求是去離子水。為了更好的清洗雜質(zhì)，去離子水中往往要加入超聲波。同時(shí)水槽溫度也分常溫和高溫兩種，水槽排水方式也有快速下排和上部溢水兩種方式。

最后就是異丙醇

異丙醇（ IPA)是一種碳三脂肪族單元醇，是重要的溶劑。異丙醇可作為溶劑和清洗去除劑。異丙醇作為清洗去除劑，分好多級(jí)別。其中在中、大規(guī)模的集成電路的生產(chǎn)工藝及分立器件的生產(chǎn)工藝中常常使用 MOS 級(jí)的異丙醇,而在一些超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)工藝中常常使用的是BV-III級(jí)的異丙醇。

在濕法刻蝕和清洗工藝中，異丙醇主要用在晶片清洗機(jī)的干燥系統(tǒng)里。晶片被自動(dòng)傳到清洗機(jī)的干燥系統(tǒng)后，先要被浸入干燥系統(tǒng)的水槽里。水槽里裝有流動(dòng)的去離子水，該去離子水能把晶片上的被清洗后仍殘留的少許雜質(zhì)沖洗去除到。之后水槽里的水會(huì)被排走，然后干燥系統(tǒng)會(huì)輸出大量的霧化的高溫異丙醇。這些異丙醇能把晶片上的水分置換出去。然后干燥系統(tǒng)會(huì)輸入大量的高溫氮?dú)?，這些氮?dú)鈺?huì)將異丙醇排除干燥系統(tǒng)內(nèi)部，從而達(dá)到清洗并干燥晶片的效果。

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