在空氣中或有氧存在的加熱的化學(xué)品清洗池中均可產(chǎn)生氧化反應(yīng)。通常在清洗池中生成的氧化物，盡管很薄(10~20nm)，但其厚度足以阻止晶圓表面在以后的工藝過程中發(fā)生正常的化學(xué)反應(yīng)。這一薄層氧化物隔離了晶圓表面與導(dǎo)電的金屬層之間的接觸。

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有氧化物的硅片表面具有吸性，而沒有氧化物的硅片表面具有憎水性。氫氟之間的接觸。酸是去除氧化物的首選酸。在初始氧化之前，當(dāng)晶圓表面只有硅時(shí)，將其放入盛有氫氟酸 (49%)的池中清洗，以去除氧化物。

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在以后的工藝中，當(dāng)晶圓表面覆蓋著之前生成的氧化物時(shí)，用水和氫氟酸的混合溶液可將圓形的孔隙中的薄氧化層去除。這些溶液的強(qiáng)度從 100:1 到 10:(HO:HF)變化。強(qiáng)度的選擇取決于晶圓上氧化物的多少，因?yàn)樗蜌浞岬娜芤杭瓤蓪⒕A上孔中的氧化物刻蝕掉，又可將表面其余部分的氧化物去除。既要保證將孔中的氧化物去除，同時(shí)又不會(huì)過分地刻蝕其他的氧化層，就要選擇一定的強(qiáng)度。典型的稀釋溶液是 1:50 到 1:100。

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如何處理硅片表面的化學(xué)物質(zhì)一直以來是清洗工藝所面臨的挑戰(zhàn)。一般地，柵氧化前的清洗用稀釋的氫氟酸溶液，并將其作為最后一步化學(xué)品的清洗。這叫做HF 結(jié)尾。HF 結(jié)尾的表面是憎水性的，同時(shí)對(duì)低量的金屬污染是鐘化的。然而，憎水性的表面不容易被烘干，經(jīng)常殘留水印。另一個(gè)問題是增強(qiáng)了顆粒的附著，而且還會(huì)使電鍍層脫離表面。

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多年來，RCA 的配方經(jīng)久不衰，至今仍是大多數(shù)爐前清洗的基本清洗工藝。隨著工業(yè)清洗的需求，化學(xué)品的純度也在不斷地進(jìn)行改進(jìn)。根據(jù)不同的應(yīng)用，SC-1 和 SC-2 前后順序也可顛倒。如果晶圓表面不允許有氧化物在，則需加入氫氟酸清洗這一步。它可以放在 SC-1和 SC-2之前進(jìn)行，或者在者之間，或者在 RCA 清洗之后。

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晶圓表面金屬離子的去除曾是一個(gè)問題。這些離子存在于化學(xué)品中，并且不溶于大多數(shù)的清洗和刻蝕液中。通過加入一種整合劑，如乙烯基二胺乙酸，使其與這些離子結(jié)合，從而阻止它們?cè)俅纬练e到晶圓上。在最初的清洗配方的基礎(chǔ)上，曾有過多種改進(jìn)和變化。SC一1 稀釋液的比例為1:1:50 (而不是 1:1:5)，SC-2 的稀釋液的比例為 1:1:60 (而不是 1:1:6)這些溶液被證明具有與比它們更濃的溶液配方同樣的清洗效果。稀釋液減少了化學(xué)品的使用和處理而具有成本優(yōu)勢(shì)。

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RCA 濕法清洗取得成功的一個(gè)重要原因是超純水和化學(xué)品的可用性。新的清洗方法，如現(xiàn)場(chǎng)化學(xué)品生成，比以前提供了更高級(jí)別的純度，產(chǎn)生了更有效的清洗效應(yīng)。RCA 清洗生成大量的化學(xué)蒸氣，為防止化學(xué)蒸氣進(jìn)入凈化間，增加了凈化間排放系統(tǒng)的負(fù)載。溶液的另一個(gè)問題是它具有隨時(shí)間推移改變?nèi)芤航M分的效應(yīng)。