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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為L(zhǎng)ED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡(jiǎn)便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽(yáng)極和電力線擋板組成的陽(yáng)極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場(chǎng)不均問(wèn)題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來(lái)的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場(chǎng)環(huán)境。通過(guò)進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場(chǎng)。從而通過(guò)改變流場(chǎng)的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過(guò)技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái),可同Run 50片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過(guò)20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無(wú)刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染l 不銹鋼N2過(guò)濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開(kāi)關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂(lè)故障碼功能: 門(mén)鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng):?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對(duì)應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問(wèn)題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過(guò)濾器:配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時(shí)間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動(dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過(guò)濾器:配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化...
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等離子清洗技術(shù)

時(shí)間: 2016-03-23
點(diǎn)擊次數(shù): 256

?一、概述:
  電子工業(yè)清洗是一個(gè)很廣的概念,包括任何與去除污染物有關(guān)的工藝,但針對(duì)不同的對(duì)象,清洗的方法有很大的區(qū)別。目前在電子工業(yè)中已廣泛應(yīng)用的物理化學(xué)清洗方法,從運(yùn)行方式來(lái)看,大致可分為兩種:濕法清洗和干法清洗。濕法清洗已經(jīng)在電子工業(yè)生產(chǎn)中廣泛應(yīng)用,清洗主要依靠物理和化學(xué)(溶劑)的作用,如在化學(xué)活性劑吸附、浸透、溶解、離散作用下輔以超聲波、噴淋、旋轉(zhuǎn)、沸騰、蒸氣、搖動(dòng)等物理作用下去除污漬,這些方法清洗作用和應(yīng)用范圍各有不同,清洗效果也有一定差別。CFC清洗在過(guò)去的清洗工藝中,從清洗效力及后續(xù)工序上都占有很重要的地位,但由于其損耗大氣臭氧層,而被限制使用。對(duì)于替代工藝,在清洗過(guò)程中,不可避免的存在需后續(xù)工序的烘干(ODS類清洗不需烘干,但污染大氣臭氧層,目前限制使用)及廢水處理,人員勞動(dòng)保護(hù)方面的較高投入,特別是在電子組裝技術(shù),精密機(jī)械制造的進(jìn)一步發(fā)展,對(duì)清洗技術(shù)提出越來(lái)越高的要求。環(huán)境污染控制也使得濕法清洗的費(fèi)用日益增加。相對(duì)而言,干法清洗在這些方面有較大優(yōu)勢(shì),特別是以等離子清洗技術(shù)為主的清洗技術(shù)已逐步在半導(dǎo)體、電子組裝、精密機(jī)械等行業(yè)開(kāi)始應(yīng)用。因此,有必要了解等離子清洗的機(jī)理及其應(yīng)用工藝。


二、等離子體清洗機(jī)理
  等離子體是正離子和電子的密度大致相等的電離氣體。由離子、電子、自由激進(jìn)分子、光子以及中性粒子組成。是物質(zhì)的第四態(tài)。
  通常情況下,人們普遍認(rèn)為的物質(zhì)有三態(tài):固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)。區(qū)分這三種狀態(tài)是靠物質(zhì)中所含能量的多少。氣態(tài)是物質(zhì)的三個(gè)狀態(tài)中最高的能量狀態(tài) 。
  給氣態(tài)物質(zhì)更多的能量,比如加熱,將會(huì)形成等離子體。當(dāng)?shù)竭_(dá)等離子狀態(tài)時(shí),氣態(tài)分子裂變成了許許多多的高度活躍的粒子。這些裂變不是永久的,一旦用于形成等離子體的能量消失,各類粒子重新結(jié)合,形成原來(lái)的氣體分子。
  等離子體技術(shù)在本世紀(jì)六十年代起就開(kāi)始應(yīng)用于化學(xué)合成、薄膜制備、表面處理和精細(xì)化工等領(lǐng)域,在大規(guī)模或超大規(guī)模集成電路工藝干法化、低溫化方面,在近年來(lái)也開(kāi)發(fā)應(yīng)用了等離子體聚合、等離子體蝕刻、等離子體灰化及等離子體陽(yáng)極氧化等全干法工藝技術(shù)。等離子清洗技術(shù)也是工藝干法化的進(jìn)步成果之一。
  與濕法清洗不同,等離子清洗的機(jī)理是依靠處于“等離子態(tài)”的物質(zhì)的“活化作用”達(dá)到去除物體表面污漬的目的。從目前各類清洗方法來(lái)看,可能等離子體清洗也是所有清洗方法中最為徹底的剝離式的清洗。
  干法工藝與濕法清洗的主要區(qū)別如下:
  就反應(yīng)機(jī)理來(lái)看,等離子體清洗通常包括以下過(guò)程:
??? a.無(wú)機(jī)氣體被激發(fā)到等離子態(tài)。
??? b.氣相物質(zhì)被吸附在固體表面。
??? c.被吸附基團(tuán)與固體表面分子反應(yīng)生成產(chǎn)物分子。
??? d.產(chǎn)物分子解析形成氣相。
??? e.反應(yīng)殘余物脫離表面。
  氣體被激發(fā)到等離子態(tài)有多種方式,如激光、微波、電暈放電、熱電離、弧光放電等多種方式,在電子清洗中,主要是低壓氣體輝光等離子體。一些非聚合性無(wú)機(jī)氣體(Ar2、N2、H2、O2等)在高頻低壓下被激發(fā),產(chǎn)生含有離子、激發(fā)態(tài)分子,自由基等多種活性粒子,一般在等離子清洗中,可把活化氣體分為兩類,一類為惰性氣體的等離子體(如Ar2、N2 等);另一類為反應(yīng)性氣體的等離子體(如O2、H2 等)。這些活性粒子能與表面材料發(fā)生反應(yīng),其反應(yīng)過(guò)程如下:?
電子--氣體分子--激發(fā)----激發(fā)態(tài)分子--------清洗(浸蝕、濺射) 離解 自由基 離子 中性分子
??? 在這一過(guò)程中等離子體能有效地使材料表面層中產(chǎn)生大量自由基,這種作用在高分子表面特別明顯。在半導(dǎo)體領(lǐng)域,反應(yīng)性等離子體的研究很早就十分活躍。如,CF4和O2混合的等離子體清洗。我們可以通過(guò)控制CF4的流量來(lái)控制反應(yīng)的進(jìn)度。
??? 以輝光放電氫等離子體為例:
??H2+hv+e
??H2+e*→H2*+e
??2H·+e
??H2+2e
??H2+e
??H·+H++2e·
??? 同樣對(duì)于氧氣、水、和有機(jī)物也有如下反應(yīng):
??O2 →2O·
??H2O→OH·+H·
??CH4→CH3·+H·
??R1R2→R1·+R2·
  等離子清洗技術(shù)的最大特點(diǎn)是不分處理對(duì)象的基材類型,均可進(jìn)行處理,如金屬、半導(dǎo)體、氧化物和大多數(shù)高分子材料(如:聚丙烯、聚脂、聚酰亞胺、聚氯乙烷、環(huán)氧、甚至聚四氟乙烯)等原基材料都能很好地處理,并可實(shí)現(xiàn)整體和局部以及復(fù)雜結(jié)構(gòu)的清洗。清洗的重要作用之一是提高膜的附著力,如在Si襯底上沉積Au膜,經(jīng)Ar等離子體處理掉表面的碳?xì)浠衔锖推渌廴?,明顯改善了Au的附著力。等離子體處理后的基體表面,會(huì)留下一層含氟化物的灰色物質(zhì),可用溶液去掉。同時(shí)有利于改善表面沾著性和潤(rùn)濕性。在清洗過(guò)程中經(jīng)等離子體表面活化形成的自由基,能夠進(jìn)一步加成特定官能團(tuán),這種特定官能團(tuán)的引入,特別是含氧官能團(tuán),對(duì)改善材料的沾著性和濕潤(rùn)性能起著明顯的作用。實(shí)驗(yàn)表明:不僅引入氧的等離子體,而且,Ar,N等的等離子體同樣能導(dǎo)入含氧的官能團(tuán)。如:-OH、-OOH等,最典型的是當(dāng)高分子材料與氧等離子體接觸時(shí),在剛生成的自由基位置羥基化或羧基化。其反應(yīng)為:
??R·+O·→RO·
??R·+O2→ROO·
  針對(duì)不同的等離子體,可能都會(huì)有一定種類的副產(chǎn)物出現(xiàn),如四氟化碳與氧的等離子體在和聚合物發(fā)生反應(yīng)裂解成水蒸汽、二氧化碳、和少量氫氟酸,這些氫氟酸是反應(yīng)的副產(chǎn)品,有毒,但可用堿式濕法洗滌器去除。
附:等離子清洗設(shè)備工作原理簡(jiǎn)圖
??? 電源
??? 氣源
??? 抽真空
??? 等離子工藝常規(guī)的化學(xué)清洗具有若干優(yōu)勢(shì),等離子由于使用電能催化化學(xué)反應(yīng)而不是熱能,因此提供了一個(gè)低溫環(huán)境。等離子排除了由于濕式化學(xué)清洗帶來(lái)的危險(xiǎn),并且與其它清洗方式相比的最大優(yōu)勢(shì)在于清洗后無(wú)廢液。總之,等離子工藝是一種簡(jiǎn)單到幾乎不需管理的清洗工藝。


三、等離子體清洗的應(yīng)用
  一般來(lái)講,清洗/蝕刻意思是去除產(chǎn)生干擾的材料。清洗效果的兩個(gè)實(shí)例是去除氧化物以提高釬焊質(zhì)量和去除金屬、陶瓷、及塑料表面有機(jī)污染物以改善粘接性能,這是因?yàn)椴A?、陶瓷和塑料(如聚丙烯、PTFE等)基本上是沒(méi)有極性的,因此這些材料在進(jìn)行粘合、油漆和涂覆之前要進(jìn)行表面活化處理。等離子體最初應(yīng)用于硅片及混裝電路的清洗以提高鍵接引線和釬焊的可靠性。如:去除半導(dǎo)體表面的有機(jī)污染以保證良好的焊點(diǎn)連接、引線鍵合和金屬化,以及PCB、混裝電路 MCMS(多芯片組裝)混裝電路中來(lái)自鍵接表面由上一工序留下的有機(jī)污染,如殘余焊劑、多余的樹(shù)脂等。清洗的各種例子不勝枚舉。在諸如此類的應(yīng)用中我們將列舉一些典型的等離子體清洗工藝。


?? 1 蝕刻工藝
  某種程度來(lái)講,等離子清洗實(shí)質(zhì)上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進(jìn)行干式蝕刻工藝的設(shè)備包括反應(yīng)室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應(yīng)室。氣體被導(dǎo)入并與等離子體進(jìn)行交換。等離子體在工件表面發(fā)生反應(yīng),反應(yīng)的揮發(fā)性副產(chǎn)物被真空泵抽走。等離子體刻蝕工藝實(shí)際上便是一種反應(yīng)性等離子工藝。近期的發(fā)展是在反應(yīng)室的內(nèi)部安裝成擱架形式,這種設(shè)計(jì)的是富有彈性的,用戶可以移去架子來(lái)配置合適的等到離子體的蝕刻方法:反應(yīng)性等離子體(RIE),順流等離子體(downstream),直接等離子體(direction plasma)。 所謂直接等離子體,亦稱作反應(yīng)離子蝕刻,是等離子的一種直接浸蝕形式。它的主要優(yōu)勢(shì)是高的蝕刻率和高的均勻性。直接等離子體具有較低浸蝕但工件卻暴露在射線區(qū)。順流等離子是種較弱的工藝,它適合去除厚為10-50埃的薄層。在射線區(qū)或等離子中,人們擔(dān)心工件受到損壞,目前,這種擔(dān)心還沒(méi)有證據(jù),看來(lái)只有在重復(fù)的高射線區(qū)和延長(zhǎng)處理時(shí)間到60-120分鐘才可能發(fā)生,正常情況下,這樣的條件只在大的薄片及不是短時(shí)的清洗中。


?? 2 在引線的鍵合中
  在等離子清洗的工裝設(shè)計(jì)采用一些特殊結(jié)構(gòu)可以滿足用戶每小時(shí)清洗500到1000個(gè)引線框的要求。這種工藝對(duì)COB’S(裸芯片封裝)或其它的封裝都采用相同的工藝條件便能提供給用戶一種簡(jiǎn)單而有效的清洗。板上芯片連接技術(shù)(DCA)中,無(wú)論是焊線芯片工藝、倒裝芯片、卷帶自動(dòng)結(jié)合技術(shù)中,整個(gè)芯片封裝工藝中,等離子清洗工藝都將作為一種關(guān)鍵技術(shù)存在。對(duì)整個(gè)IC封裝的可靠性產(chǎn)生重要影響。
??? 以COB’S為例:
??? 芯片粘接(Die bonding)-固化(Cure)-等離子清洗(Plasma cleaning)-線焊(Wire bond)-包裝-固化


??3 BGA封裝工藝
  在BGA工藝中,對(duì)表面清潔和處理都是非常嚴(yán)格的,焊球與基板的連接要求一個(gè)潔凈表面以保證焊接的一致性和可靠性。等離子體處理它可以保證不留痕跡,BGA焊盤(pán)要求等離子處理來(lái)確保良好的粘接性能,并且,已有批量和在線式的清洗工藝。


??4 混裝電路
  混裝電路出現(xiàn)的問(wèn)題是引線與表面的虛接,這主要?dú)w因于電路表面的焊劑、光刻膠及其它一些殘留物質(zhì)。針對(duì)這種清洗,要用到氬的等離子體清洗,氬等離子體可以去除錫的氧化物或金屬,從而改變電性能,此外,鍵接前的氬等離子體還用于清洗金屬化、芯片粘接和最后封裝前的鋁基板。


?? 5 硬盤(pán)
  用等離子清洗來(lái)去除由上一步濺鍍工藝留下的殘余物,同時(shí)基材表面經(jīng)過(guò)處理,對(duì)改變基材的潤(rùn)濕性,減小摩擦,很有好處。


?? 6 去除光致抗蝕劑
  在晶片制造工藝中,使用氧等離子體去除晶片表面抗蝕劑(photoresist)。干式工藝唯一的缺點(diǎn)是等離子體區(qū)的活性粒子可能會(huì)對(duì)一些電敏感性的設(shè)備造成損害。為了解決這一問(wèn)題,人們發(fā)展了幾種工藝,其一是用一個(gè)法拉第裝置以隔離轟擊晶片表面和電子和離子;另一種方法是將清洗蝕刻對(duì)象置于活性等離子區(qū)之外。(順流等離子清洗)蝕刻率因電壓,氣壓以及膠的量而定,典型的刻蝕率為每分鐘1000埃,正常需要10 分鐘時(shí)間。


??7 液晶顯示器生產(chǎn)中的清洗:
  在液晶清洗中的干式清洗,使用的活化氣體是氧的等離子體,它能除去油性污垢和臟物粒子,因?yàn)檠醯入x子體可將有機(jī)物氧化,形成氣體排出。它的唯一問(wèn)題是需要在去除粒子后加入一個(gè)除靜電裝置清洗工藝如下:
研磨---吹氣----氧等離子體----除靜電
  通過(guò)干式洗凈工藝后的電極端子與顯示器,增強(qiáng)了偏光板粘貼的成品率,并且電極端與導(dǎo)電膜間的粘附性也大大改善。


??8 精密零件清洗:
  在經(jīng)過(guò)機(jī)械加工的零件表面主要?dú)埩粑餅橛皖愇廴?,采用O2等離子體去除會(huì)特別有效。


四、結(jié)束語(yǔ)
  在最近的研究中人們還在提到等離子體清洗造成材料表面的濺射損傷。實(shí)際上,只要能量控制合適,輕度的表面損傷反而可以極大地增強(qiáng)附著力。在某些情況下成為不可或缺的工藝,如:用Ar等離子體去除一些材料表面氧化物。當(dāng)然,一些工藝試驗(yàn)表明,采用分步工藝法進(jìn)行清洗,可以把這種損傷減小到最底程度。另外,國(guó)外已經(jīng)展開(kāi)了對(duì)等離子體清洗殘余物毒性的深入研究,相信,不久以后,等離子清洗設(shè)備和工藝就會(huì)以其在健康、環(huán)保、效益、安全等諸多方面的優(yōu)勢(shì)逐步取代濕法清洗工藝,特別是在精密件清洗和新半導(dǎo)體材料研究和集成電路器件制造業(yè)中,等離子清洗應(yīng)用前景廣闊。我們針對(duì)等離子清洗的工藝也已經(jīng)進(jìn)行了一定研究和設(shè)備的研制,希望今后和國(guó)內(nèi)外同行就干法清洗工藝方面進(jìn)行有益的探討和交流。

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