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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發(fā)展,濕法設備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統(tǒng)潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統(tǒng)集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統(tǒng)結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關清洗設備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結構方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結構本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標:最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統(tǒng)設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注華林科納(江蘇)半導體官網(wǎng),關注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J?#160;設備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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制絨設備工序流程

時間: 2016-03-23
點擊次數(shù): 444

?單晶制絨操作工藝
?????? 單晶硅片制絨工藝流程,主要包括以下幾個方面。


??1.裝片
?????? ①戴好防護口罩和干凈的橡膠手套。
?????? ②將倉庫領來的硅片從箱子中取出,以2o0片為一個生產批次,把硅片插入清洗小花籃,在裝片過程中,由于硅片易碎,插片員需輕拿輕放;來料中如有缺角、崩邊、隱裂等缺陷的硅片,不能流人生產線,及時報告品管員,將這些硅片分類放置、集中處理;有缺片現(xiàn)象時,要在缺片記錄上記錄缺片的批號、廠商、箱號和缺片數(shù)。
????? ?③在“工藝流程卡”上準確記錄硅片批號、生產廠家、電阻率、投入數(shù)、投入時間和主要操作員。
?????? ④裝完一個生產批次后,把“工藝流程卡”隨同硅片一起放在盒架上,等待制絨。


??
2.開機
?????? ①操作員打開工藝排風,打開壓縮空氣閥門,打開設備進水總閥。
???? ? ②操作員打開機器電源,待設備自檢完成并顯示正常后,在手動操作界面下手動打開槽蓋,檢查槽蓋的靈活性,檢查機械手運行是否正常。
????? ?③操作員將裝好硅片的小花籃放在花籃承載框中,然后將承載框搬到上料臺上。
????? ?④操作員在“手動”模式下檢查單晶制絨工藝參數(shù)是否正常,按照工藝參數(shù),計算出
所含有naoh、na2sio3、(ch3)2choh和酒精的量,配溶液之前先清洗好制絨槽。關閉排水閥,打開進水閥門,向制絨槽中緩慢加入78℃的純水,然后向槽中加人naoh,打開循環(huán)泵,充分攪拌均勻,(ch3)2choh和添加劑在上料時加入制絨槽(化學藥品的添加順序不能混淆),按照要求向氫氟酸槽和鹽酸槽中加入hf和hcl。
????? ?⑤操作員將運行模式設置為“自動”,按“啟動”鍵啟動程序。


?? 3.生產過程
???? ? ①將裝好硅片的小花籃放在花籃承載框中,然后將承載框搬到上料臺上。
????? ?②工藝槽溫度設定和啟動加熱。根據(jù)參數(shù)設定工藝溫度,啟動加熱器使槽內液體升溫。要特別注意:槽內沒有水或溶液不能開加熱器,否則會燒壞加熱器。每次只能啟動3個槽同時加熱,待恒溫后,再啟動另外3個槽。
???????③加熱制絨液體到設定溫度以后,根據(jù)本班目標生產量在控制菜單上進行參數(shù)設置(包括粗拋、堿蝕、噴淋、鼓泡漂洗時間和產量的設置)。
????? ?④參數(shù)設置完畢,在手動狀態(tài)下按“復位”鍵,運行模式撥到“自動”狀態(tài),按“啟動”鍵,機器進行復位,待機械手停止運動后即可上料生產。若不立即生產,則暫時撥回“手動”狀態(tài)。
????? ?⑤配制溶液
????? ?a.濃度要求? 粗拋液的濃度要求為:粗拋液中naoh:h2o=11.8%(質量比);粗拋液自動補堿箱中naoh:h2o=15%(質量比);制絨液中naoh:h2o=1.76%(質量比),na2sio3:h2o=1.26%(質量比),c2h5oh:h2o=5.0%(體積比)。
???? ? b.溶液配置過程
???? ? 粗拋液配置過程? 清洗好粗拋槽,關閉排水閥門,打開進水閥門,向槽中緩慢放水,同時向槽中倒入naoh粉末,控制速度,在槽中約放入2/3槽水的同時加入10kg naoh,關閉槽蓋,在控制面板上打開加熱開關,對槽中液體開始加熱。待溫度升至70℃時,打開槽蓋,再向槽中倒人10kg naoh粉末并注水,同時用水瓢對溶液進行攪拌,以使naoh充分溶解,液面升至溢水口下方2cm處時停止注水。
????? ?制絨液配置計算出170l制絨液所含有的naoh、na2sio3和無水乙醇的量,清洗好制絨槽,關閉排水閥門,打開進水閥門,向槽中緩慢放水,同時向槽中倒入naoh、na2sio3和無水乙醇,過程中用水瓢不斷攪拌溶液,待加完naoh、na2sio3和無水乙醇后,放水調整液面至溢水口下方2cm處,關閉槽蓋,在控制面板上打開加熱開關,對槽中液體開始加熱。生產時再向槽中加入1l無水乙醇。
?????? c.參數(shù)設置。
??? ?? ⑥生產過程
????? ?a.運行模式設置為“自動”,按“啟動”鍵啟動程序,按照制絨機設定好的參數(shù)進行生產。
????? ?b.機械手將承載框平移,依次送到各處理工位,對硅片進行超聲預清洗、制絨、鹽酸中和、氫氟酸去氧化層等,經(jīng)過11個處理工位全過程處理后,承載框由自動機械手移到出料工位,再由操作員將小花籃取出。
????? ?11個處理工位具體為:超聲預清洗→溫水漂洗→腐蝕制絨→噴淋→漂洗→hcl處理→漂洗→hf處理→漂洗→噴淋→漂洗。
????? ?c.每制絨一籃,粗拋液、制絨液內都要補充naoh,補充量根據(jù)消耗量確定,并適當補充去離子水。
????? ?注意? 整個自動運行過程中,操作員不能離開,需時刻監(jiān)視設備運行情況。
????? ?⑦甩干
????? ?a.將裝滿硅片的小花籃放入甩干機中,啟動設備,甩干。注意每班開機后先空甩一次。
????? ?b.操作員將花籃承載框放人傳遞窗中,上料員從傳遞窗中取出花籃承載框,并放到指定地點。
????? ?c.記錄甩干后合格的硅片,并通過傳遞窗流向下一道擴散工序。
????? ?⑧自檢
?????? a.在制絨過程中和甩干后,各操作過程的操作員需對每一批次硅片進行自檢,符合工藝、質量要求才能流至下道工序,不符合要求的及時通知品管員。
?????? b.自檢時,主要觀察是否有裂痕、缺角、崩邊、指紋印、污漬、藥液水珠、明顯發(fā)白及發(fā)亮,均無的為制絨合格,正常往下流。將無法繼續(xù)生產的硅片取出,并填寫出片數(shù),記錄好流程卡。
?????? ⑨關機在長時間不進行生產的情況下,停止設備運行,關閉電源,鎖上電鎖,關閉氣體閥門,關閉總電源,鎖好電柜。清潔、維護設備。


??4.設備操作規(guī)程運行需滿足的條件
???? ? ①電源啟動。
????? ?②壓縮空氣0.5mpa。
????? ?③氮氣0.3mpa。
????? ?④水閥打開并調制規(guī)定流量。
?????? ⑤所有槽液位達到上限。
?????? ⑥機械臂在上料臺上限位。
?????? ⑦加熱器溫度達到設定值。
?????? ⑧凈化送風排風通暢微正壓。


????5.工藝衛(wèi)生要求
????? ?①不允許用手直接接觸硅片,插片時戴好一次性手套。插完硅片后,應立即更換,不得重復使用。
????? ?②制絨車間要保持清潔,地面常有堿液或干堿,要經(jīng)常打掃。
?????? ③盛過堿液或乙醇的塑料桶要及時刷洗,不可無標識長時間用桶盛堿液或乙醇。
?????? ④物品和工具定點放置,用過的工具要放回原位,嚴禁亂放,保持硅片盒和小花籃清潔。
???? ? ⑤每班下班前要對制絨設備進行衛(wèi)生清理,擦掉機器上面的堿,擦掉槽蓋上的硅膠。


?? 6.注意事項
???? ? ①停做滯留的硅片要用膠帶封好箱,標簽注明材料批號、供應商和實際數(shù)目。
????? ?②每批投片前要檢查化學腐蝕槽中的液位,不合適的要及時調整。
???? ? ③小花籃和承載框任何時候不能放在地上。
????? ?④嚴格按照工序控制標準檢查絨面質量,絨面不合格的硅片要按照檢驗卡片和工序控制點操作指導卡規(guī)定的程序進行處置。
????? ?⑤硅片在制絨槽時,絕不能拿出硅片檢查絨面情況,要進入漂洗槽后再查看絨面情況。
?????? ⑥操作化學藥品時,一定要戴好防護面具和防護手套。
???? ? ⑦制絨設備的窗戶在不必要時不要打開。機器設備在運行時,不得把頭、手伸進機器內,以防造成傷害事故。
???? ? ⑧制絨機衛(wèi)生保養(yǎng)時,要防止電線浸水短路,擦洗槽蓋時要防止溶液的污染。
???? ? ⑨在正常生產運行過程中,設備出現(xiàn)任何異常或報警,應及時通知設備、工藝、品質人員,生產現(xiàn)場留守1人觀察,禁止操作。

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