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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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太陽能光伏技術(shù)

時間: 2016-03-23
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?1.太陽能概況

? 太陽能是各種可再生能源中最重要的基本能源,生物質(zhì)能、風(fēng)能、海洋能、水能等都來自太陽能,廣義地說,太陽能包含以上各種可再生能源。太陽能作為可再生能源的一種,則是指太陽能的直接轉(zhuǎn)化和利用。通過轉(zhuǎn)換裝置把太陽輻射能轉(zhuǎn)換成熱能利用的屬于太陽能熱利用技術(shù),再利用熱能進(jìn)行發(fā)電的稱為太陽能熱發(fā)電,也屬于這一技術(shù)領(lǐng)域;通過轉(zhuǎn)換裝置把太陽輻射能轉(zhuǎn)換成電能利用的屬于太陽能光發(fā)電技術(shù),光電轉(zhuǎn)換裝置通常是利用半導(dǎo)體器件的光伏效應(yīng)原理進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換的,因此又稱太陽能光伏技術(shù)。

?二十世紀(jì)50年代,太陽能利用領(lǐng)域出現(xiàn)了兩項重大技術(shù)突破:一是1954年美國貝爾實驗室研制出6%的實用型單晶硅電池,二是1955年以色列Tabor提出選擇性吸收表面概念和理論并研制成功選擇性太陽吸收涂層。這兩項技術(shù)突破為太陽能利用進(jìn)入現(xiàn)代發(fā)展時期奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。

?70年代以來,鑒于常規(guī)能源供給的有限性和環(huán)保壓力的增加,世界上許多國家掀起了開發(fā)利用太陽能和可再生能源的熱潮。1973年,美國制定了政府級的陽光發(fā)電計劃,1980年又正式將光伏發(fā)電列入公共電力規(guī)劃,累計投入達(dá)8億多美元。1992年,美國政府頒布了新的光伏發(fā)電計劃,制定了宏偉的發(fā)展目標(biāo)。日本在70年代制定了“陽光計劃”,1993年將“月光計劃”(節(jié)能計劃)、“環(huán)境計劃”、“陽光計劃”合并成“新陽光計劃”。德國等歐共體國家及一些發(fā)展中國家也紛紛制定了相應(yīng)的發(fā)展計劃。90年代以來聯(lián)合國召開了一系列有各國領(lǐng)導(dǎo)人參加的高峰會議,討論和制定世界太陽能戰(zhàn)略規(guī)劃、國際太陽能公約,設(shè)立國際太陽能基金等,推動全球太陽能和可再生能源的開發(fā)利用。開發(fā)利用太陽能和可再生能源成為國際社會的一大主題和共同行動,成為各國制定可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略的重要內(nèi)容。

?自“六五”以來我國政府一直把研究開發(fā)太陽能和可再生能源技術(shù)列入國家科技攻關(guān)計劃,大大推動了我國太陽能和可再生能源技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。二十多年來,太陽能利用技術(shù)在研究開發(fā)、商業(yè)化生產(chǎn)、市場開拓方面都獲得了長足發(fā)展,成為世界快速、穩(wěn)定發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)之一。

2.光伏效應(yīng)
?????? 光生伏特效應(yīng)簡稱為光伏效應(yīng),指光照使不均勻半導(dǎo)體或半導(dǎo)體與金屬組合的不同部位之間產(chǎn)生電位差的現(xiàn)象。產(chǎn)生這種電位差的機(jī)理有好幾種,主要的一種是由于阻擋層的存在。以下以P-N結(jié)為例說明。
??????? 熱平衡態(tài)下的P-N結(jié)。P-N結(jié)的形成:
??????? 同質(zhì)結(jié)可用一塊半導(dǎo)體經(jīng)摻雜形成P區(qū)和N區(qū)。由于雜質(zhì)的激活能量ΔE很小,在室溫下雜質(zhì)差不多都電離成受主離子NA-和施主離子ND+。在PN區(qū)交界面處因存在載流子的濃度差,故彼此要向?qū)Ψ綌U(kuò)散。設(shè)想在結(jié)形成的一瞬間,在N區(qū)的電子為多子,在P區(qū)的電子為少子,使電子由N區(qū)流入P區(qū),電子與空穴相遇又要發(fā)生復(fù)合,這樣在原來是N區(qū)的結(jié)面附近電子變得很少,剩下未經(jīng)中和的施主離子ND+形成正的空間電荷。同樣,空穴由P區(qū)擴(kuò)散到N區(qū)后,由不能運動的受主離子NA-形成負(fù)的空間電荷。在P區(qū)與N區(qū)界面兩側(cè)產(chǎn)生不能移動的離子區(qū)(也稱耗盡區(qū)、空間電荷區(qū)、阻擋層),于是出現(xiàn)空間電偶層,形成內(nèi)電場(稱內(nèi)建電場)此電場對兩區(qū)多子的擴(kuò)散有抵制作用,而對少子的漂移有幫助作用,直到擴(kuò)散流等于漂移流時達(dá)到平衡,在界面兩側(cè)建立起穩(wěn)定的內(nèi)建電場。
?????? ?P-N結(jié)能帶與接觸電勢差:
??????? 在熱平衡條件下,結(jié)區(qū)有統(tǒng)一的EF;在遠(yuǎn)離結(jié)區(qū)的部位,EC、EF、Eν之間的關(guān)系與結(jié)形成前狀態(tài)相同。
?????? ?N型、P型半導(dǎo)體單獨存在時,EFN與EFP有一定差值。當(dāng)N型與P型兩者緊密接觸時,電子要從費米能級高的一方向費米能級低的一方流動,空穴流動的方向相反。同時產(chǎn)生內(nèi)建電場,內(nèi)建電場方向為從N區(qū)指向P區(qū)。在內(nèi)建電場作用下,EFN將連同整個N區(qū)能帶一起下移,EFP將連同整個P區(qū)能帶一起上移,直至將費米能級拉平為EFN=EFP,載流子停止流動為止。在結(jié)區(qū)這時導(dǎo)帶與價帶則發(fā)生相應(yīng)的彎曲,形成勢壘。勢壘高度等于N型、P型半導(dǎo)體單獨存在時費米能級之差:
???????? qUD=EFN-EFP??得???UD=(EFN-EFP)/q
???????? q:電子電量
???????? UD:接觸電勢差或內(nèi)建電勢
?????????對于在耗盡區(qū)以外的狀態(tài):
???????? UD=(KT/q)ln(NAND/ni2)??? NA、ND、ni:受主、施主、本征載流子濃度。
?????????可見UD與摻雜濃度有關(guān)。在一定溫度下,P-N結(jié)兩邊摻雜濃度越高,UD越大。
??????? ?禁帶寬的材料,ni較小,故UD也大。
???????? 光照下的P-N結(jié)
???????? P-N結(jié)光電效應(yīng):???????????
??????? 當(dāng)P-N結(jié)受光照時,樣品對光子的本征吸收和非本征吸收都將產(chǎn)生光生載流子。但能引起光伏效應(yīng)的只能是本征吸收所激發(fā)的少數(shù)載流子。因P區(qū)產(chǎn)生的光生空穴,N區(qū)產(chǎn)生的光生電子屬多子,都被勢壘阻擋而不能過結(jié)。只有P區(qū)的光生電子和N區(qū)的光生空穴和結(jié)區(qū)的電子空穴對(少子)擴(kuò)散到結(jié)電場附近時能在內(nèi)建電場作用下漂移過結(jié)。光生電子被拉向N區(qū),光生空穴被拉向P區(qū),即電子空穴對被內(nèi)建電場分離。這導(dǎo)致在N區(qū)邊界附近有光生電子積累,在P區(qū)邊界附近有光生空穴積累。它們產(chǎn)生一個與熱平衡P-N結(jié)的內(nèi)建電場方向相反的光生電場,其方向由P區(qū)指向N區(qū)。此電場使勢壘降低,其減小量即光生電勢差,P端正,N端負(fù)。于是有結(jié)電流由P區(qū)流向N區(qū),其方向與光電流相反。
?????? 實際上,并非所產(chǎn)生的全部光生載流子都對光生電流有貢獻(xiàn)。設(shè)N區(qū)中空穴在壽命τp的時間內(nèi)擴(kuò)散距離為Lp,P區(qū)中電子在壽命τn的時間內(nèi)擴(kuò)散距離為Ln。Ln+Lp=L遠(yuǎn)大于P-N結(jié)本身的寬度。故可以認(rèn)為在結(jié)附近平均擴(kuò)散距離L內(nèi)所產(chǎn)生的光生載流子都對光電流有貢獻(xiàn)。而產(chǎn)生的位置距離結(jié)區(qū)超過L的電子空穴對,在擴(kuò)散過程中將全部復(fù)合掉,對P-N結(jié)光電效應(yīng)無貢獻(xiàn)。
???????光照下的P-N結(jié)電流方程:
?? ??? 與熱平衡時比較,有光照時,P-N結(jié)內(nèi)將產(chǎn)生一個附加電流(光電流)Ip,其方向與P-N結(jié)反向飽和電流I0相同,一般Ip≥I0。此時??I=I0eqU/KT - (I0+Ip)
??????? 令I(lǐng)p=SE,則??I=I0eqU/KT - (I0+SE)
???????開路電壓Uoc:
???????光照下的P-N結(jié)外電路開路時P端對N端的電壓,即上述電流方程中I=0時的U值:
??0=I0eqU/KT - (I0+SE)
??Uoc=(KT/q)ln(SE+I0)/I0≈(KT/q)ln(SE/I0)
??????? 短路電流Isc:
??????? 光照下的P-N結(jié),外電路短路時,從P端流出,經(jīng)過外電路,從N端流入的電流稱為短路電流Isc。即上述電流方程中U=0時的I值,得Isc=SE。
??? Uoc與Isc是光照下P-N結(jié)的兩個重要參數(shù),在一定溫度下,Uoc與光照度E成對數(shù)關(guān)系,但最大值不超過接觸電勢差UD。弱光照下,Isc與E有線性關(guān)系。
??? a)無光照時熱平衡態(tài),NP型半導(dǎo)體有統(tǒng)一的費米能級,勢壘高度為qUD=EFN-EFP。
??? b)穩(wěn)定光照下P-N結(jié)外電路開路,由于光生載流子積累而出現(xiàn)光生電壓Uoc不再有統(tǒng)一費米能級,勢壘高度為q(UD-Uoc)。
??? c)穩(wěn)定光照下P-N結(jié)外電路短路,P-N結(jié)兩端無光生電壓,勢壘高度為qUD,光生電子空穴對被內(nèi)建電場分離后流入外電路形成短路電流。
??? d)有光照有負(fù)載,一部分光電流在負(fù)載上建立起電壓Uf,另一部分光電流被P-N結(jié)因正向偏壓引起的正向電流抵消,勢壘高度為q(UD-Uf)。


3.太陽能電池

??????? 電池行業(yè)是21世紀(jì)的朝陽行業(yè),發(fā)展前景十分廣闊。在電池行業(yè)中,最沒有污染、市場空間最大的應(yīng)該是太陽能電池,太陽能電池的研究與開發(fā)越來越受到世界各國的廣泛重視。
?????? 太陽的光輝普照大地,它是明亮的使者,太陽的光除了照亮世界,使植物通過光合作用把太陽光轉(zhuǎn)變?yōu)楦鞣N養(yǎng)分,供人們食用,產(chǎn)生纖維質(zhì)供人們做衣服,生長木材給我們建筑房屋以外,太陽的光還可以通過太陽能電池轉(zhuǎn)變?yōu)殡?。太陽能電池是一種近年發(fā)展起來的新型的電池。太陽能電池是利用光電轉(zhuǎn)換原理使太陽的輻射光通過半導(dǎo)體物質(zhì)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿囊环N器件,這種光電轉(zhuǎn)換過程通常叫做“光生伏打效應(yīng)”,因此太陽能電池又稱為“光伏電池”,用于太陽能電池的半導(dǎo)體材料是一種介于導(dǎo)體和絕緣體之間的特殊物質(zhì),和任何物質(zhì)的原子一樣,半導(dǎo)體的原子也是由帶正電的原子核和帶負(fù)電的電子組成,半導(dǎo)體硅原子的外層有4個電子,按固定軌道圍繞原子核轉(zhuǎn)動。當(dāng)受到外來能量的作用時,這些電子就會脫離軌道而成為自由電子,并在原來的位置上留下一個“空穴”,在純凈的硅晶體中,自由電子和空穴的數(shù)目是相等的。如果在硅晶體中摻入硼、鎵等元素,由于這些元素能夠俘獲電子,它就成了空穴型半導(dǎo)體,通常用符號P表示;如果摻入能夠釋放電子的磷、砷等元素,它就成了電子型半導(dǎo)體,以符號N代表。若把這兩種半導(dǎo)體結(jié)合,交界面便形成一個P-N結(jié)。太陽能電池的奧妙就在這個“結(jié)”上,P-N結(jié)就像一堵墻,阻礙著電子和空穴的移動。當(dāng)太陽能電池受到陽光照射時,電子接受光能,向N型區(qū)移動,使N型區(qū)帶負(fù)電,同時空穴向P型區(qū)移動,使P型區(qū)帶正電。這樣,在P-N結(jié)兩端便產(chǎn)生了電動勢,也就是通常所說的電壓。這種現(xiàn)象就是上面所說的“光生伏打效應(yīng)”。如果這時分別在P型層和N型層焊上金屬導(dǎo)線,接通負(fù)載,則外電路便有電流通過,如此形成的一個個電池元件,把它們串聯(lián)、并聯(lián)起來,就能產(chǎn)生一定的電壓和電流,輸出功率。制造太陽電池的半導(dǎo)體材料已知的有十幾種,因此太陽電池的種類也很多。目前,技術(shù)最成熟,并具有商業(yè)價值的太陽電池要算硅太陽電池。
??????? 1953年美國貝爾研究所首先應(yīng)用這個原理試制成功硅太陽電池,獲得6%光電轉(zhuǎn)換效率的成 果。太陽能電池的出現(xiàn),好比一道曙光,尤其是航天領(lǐng)域的科學(xué)家,對它更是注目。這是由于當(dāng)時宇宙空間技術(shù)的發(fā)展,人造地球衛(wèi)星上天,衛(wèi)星和宇宙飛船上的電子儀器和設(shè)備,需要足夠的持續(xù)不斷的電能,而且要求重量輕,壽命長,使用方便,能承受各種沖擊、振動的影響。太陽能電池完全滿足這些要求,1958年,美國的“先鋒一號”人造衛(wèi)星就是用了太陽能電池作為電源,成為世界上第一個用太陽能供電的衛(wèi)星,空間電源的需求使太陽電池作為尖端技術(shù),身價百倍?,F(xiàn)在,各式各樣的衛(wèi)星和空間飛行器上都裝上了布滿太陽能電池的“翅膀”,使它們能夠在太空中長久遨游。我國1958年開始進(jìn)行太陽能電池的研制工作,并于1971年將研制的太陽能電池用在了發(fā)射的第二顆衛(wèi)星上。以太陽能電池作為電源可以使衛(wèi)星安全工作達(dá)20年之久,而化學(xué)電池只能連續(xù)工作幾天。
????????空間應(yīng)用范圍有限,當(dāng)時太陽電池造價昂貴,發(fā)展受到限。70年代初,世界石油危機(jī)促進(jìn)了新能源的開發(fā),開始將太陽電池轉(zhuǎn)向地面應(yīng)用,技術(shù)不斷進(jìn)步,光電轉(zhuǎn)換效率提高,成本大幅度下降。時至今日,光電轉(zhuǎn)換已展示出廣闊的應(yīng)用前景。
??????? 太陽能電池近年也被人們用于生產(chǎn)、生活的許多領(lǐng)域。從1974年世界上第一架太陽能電池飛機(jī)在美國首次試飛成功以來,激起人們對太陽能飛機(jī)研究的熱潮,太陽能飛機(jī)從此飛速地發(fā)展起來,只用了六七年時間太陽能飛機(jī)從飛行幾分鐘,航程幾公里發(fā)展到飛越英吉利海峽。現(xiàn)在,最先進(jìn)的太陽能飛機(jī),飛行高度可達(dá)2萬多米,航程超過4000公里。另外,太陽能汽車也發(fā)展很快。
?????? 在建造太陽能電池發(fā)電站上,許多國家也取得了較大進(jìn)展。1985年,美國阿爾康公司研制的太陽能電池發(fā)電站,用108個太陽板,256個光電池模塊,年發(fā)電能力300萬度。德國1990年建造的小型太陽能電站,光電轉(zhuǎn)換率可達(dá)30%多,適于為家庭和團(tuán)體供電。1992年美國加州公用局又開始研制一種“革命性的太陽能發(fā)電裝置”,預(yù)計可供加州1/3的用電量。用太陽能電池發(fā)電確實是一種誘人的方式,據(jù)專家測算,如果能把撒哈拉沙漠太陽輻射能的1%收集起來,足夠全世界的所有能源消耗。
?????? 在生產(chǎn)和生活中,太陽能電池已在一些國家得到了廣泛應(yīng)用,在遠(yuǎn)離輸電線路的地方,使用太陽能電池給電器供電是節(jié)約能源降低成本的好辦法 。芬蘭制成了一種用太陽能電池供電的彩色電視機(jī),太陽能電池板就裝在住家的房頂上,還配有蓄電池,保證電視機(jī)的連續(xù)供電,既節(jié)省了電能又安全可靠。日本則側(cè)重把太陽能電池應(yīng)用于汽車的自動換氣裝置、空調(diào)設(shè)備等民用工業(yè)。我國的一些電視差轉(zhuǎn)臺也已用太陽能電池為電源,投資省,使用方便,很受歡迎。
?????? 當(dāng)前,太陽能電池的開發(fā)應(yīng)用已逐步走向商業(yè)化、產(chǎn)業(yè)化;小功率小面積的太陽能電池在一些國家已大批量生產(chǎn),并得到廣泛應(yīng)用;同時人們正在開發(fā)光電轉(zhuǎn)換率高、成本低的太陽能電池;可以預(yù)見,太陽能電池很有可能成為替代煤和石油的重要能源之一,在人們的生產(chǎn)、生活中占有越來越重要的位置。

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