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濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場(chǎng)不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場(chǎng)環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場(chǎng)。從而通過改變流場(chǎng)的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái),可同Run 50片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對(duì)應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時(shí)間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化...
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太陽能電池片的清洗知識(shí)

時(shí)間: 2016-03-23
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?一、電池片工藝流程
?????? 制絨(INTEX)---擴(kuò)散(DIFF)---后清洗(刻邊/去PSG)---鍍減反射膜(PECVD)---絲網(wǎng)、燒結(jié)(PRINTER)---測(cè)試、分選(TESTER+SORTER)---包裝(PACKING)。


二、前清洗(制絨)知識(shí)簡介

?????? 1、RENA前清洗工序的目的:
?????? (1)去除硅片表面的機(jī)械損傷層(來自硅棒切割的物理損傷);
?????? (2)清除表面油污(利用HF)和金屬雜質(zhì)(利用HCl);
  (3)形成起伏不平的絨面,利用陷光原理,增加對(duì)太陽光的吸收,在某種程度上增加了PN結(jié)面積,提高短路電流(Isc),最終提高電池光電轉(zhuǎn)換效率。
????? ?2、前清洗工藝步驟:制絨→堿洗?→酸洗→吹干
????? ?Etch?bath:刻蝕槽,用于制絨。所用溶液為HF+HNO3?,作用:
  ?? (1)去除硅片表面的機(jī)械損傷層;
  ?? (2)形成無規(guī)則絨面。
 ??  Alkaline?Rinse:堿洗槽。所用溶液為KOH,作用:
  ?? (1)對(duì)形成的多孔硅表面進(jìn)行清洗;
  ?? (2)中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液。
  ?? Acidic?Rinse:酸洗槽。所用溶液為HCl+HF,作用:
  ?? (1)中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿液;
  ?? (2)HF可去除硅片表面氧化層(SiO2),形成疏水表面,便于吹干;
  ?? (3)HCl中的Cl-有攜帶金屬離子的能力,可以用于去除硅片表面金屬離子。
 3、酸制絨工藝涉及的反應(yīng)方程式:
??HNO3+Si=SiO2+NOx↑+H2O
   SiO2+ 4HF=SiF4+2H2O
   SiF4+2HF=H2[SiF6]
   Si+2KOH+H2O →K2SiO3 +2H2
 4、前清洗工序工藝要求
 ??  (1)片子表面5S控制
????? ?不容許用手摸片子的表片,要勤換手套,避免擴(kuò)散后出現(xiàn)臟片。
  ?? (2)稱重
  ?? a.每批片子的腐蝕深度都要檢測(cè),不允許編造數(shù)據(jù),搞混批次等。
  ?? b.要求每批測(cè)量4片。
  ?? c.放測(cè)量片時(shí),把握均衡原則。如第一批放在1.3.5.7道,下一批則放在2.4.6.8道,便于檢測(cè)設(shè)備穩(wěn)定性以及溶液的均勻性。
  ?? (3)刻蝕槽液面的注意事項(xiàng):
 ??  正常情況下液面均處于綠色,如果一旦在流片過程中顏色改變,立即通知工藝人員。
 ?? ?。?)產(chǎn)線上沒有充足的片源時(shí),工藝要求:
 ??  a.停機(jī)1小時(shí)以上,要將刻蝕槽的藥液排到tank,減少藥液的揮發(fā)。
 ??  b.停機(jī)15分鐘以上要用水槍沖洗堿槽噴淋及風(fēng)刀,以防酸堿形成的結(jié)晶鹽堵塞噴淋口及風(fēng)刀。
 ??  c.停機(jī)1h以上,要跑假片,至少一批(400片)且要在生產(chǎn)前半小時(shí)用水槍沖洗風(fēng)刀處的滾輪,杜絕制絨后的片子有滾輪印。
 ??  (5)前清洗到擴(kuò)散的產(chǎn)品時(shí)間:
 ??  最長不能超過4小時(shí),時(shí)間過長硅片會(huì)污染氧化,到擴(kuò)散污染爐管,從?而影響后面的電性能及效率。
 5.?前清洗工序常見工藝問題
 ??  常見故障原因及解決方法:
  ?? (1)前清洗工藝刻蝕深度不穩(wěn)定
?????? a.觀察來片是否有異常,或者來片一批中是否是不同晶棒組成,因?yàn)椴煌钠訒?huì)對(duì)應(yīng)不同的刻蝕速率。
?????? b.查看溶液顏色,正常的顏色應(yīng)該是灰色偏綠。如果覺得顏色過淺,流假片,一般以400片為一個(gè)循環(huán)。然后測(cè)試4片硅片刻蝕深度。
  ?? 硅片表面有大面積黃斑觀察堿槽溶液是否在循環(huán),若沒有循環(huán),手動(dòng)打開循環(huán).若有循環(huán)則說明堿濃度不夠,需要補(bǔ)加堿。
 ??  硅片表面有小白條觀察氣刀是否被堵,通過查看硅片通過氣刀下方時(shí)表面液體有無被吹干判斷。
  ?? (2)滾輪速度較低或較高
?????? a.一般我們要求滾輪在1.0~1.2的速度下流片,因?yàn)檫^低的速度會(huì)影響產(chǎn)量,過高的速度風(fēng)刀很難將硅片吹干。所以如果滾輪速度小于1.0,需要手動(dòng)加液,一般按2升HF,5升HNO3進(jìn)行補(bǔ)液。同時(shí)可以將溫度提高,以1度為一個(gè)單位升高(可在5~8度之間進(jìn)行調(diào)整)。但是對(duì)于溫度的設(shè)定,我們一般選擇較低的溫度,因?yàn)檩^低的溫度下可以得到很穩(wěn)定的化學(xué)反應(yīng),所以溫度一般不建議調(diào)高;
  b.如果滾輪速度過高,在溫度降低仍不能滿足要求的情況下,可以加水,但是僅能以2升為一個(gè)單位加入。
  ?? (3)前清洗工藝堿槽或酸槽不循環(huán)觀察設(shè)備下面的循環(huán)平衡有沒有冒泡泡。
  ?? 原因分析:a:?可能風(fēng)刀堵塞,使溶液跑到水槽2中;
? ??????????? ??????????? b:?可能噴淋堵塞;
 ?????????????????????? ? c:?可能濾芯堵塞;
??????????解決方法:a:先期在初始界面處可以發(fā)現(xiàn)各自對(duì)應(yīng)的模板,在“ready”、“not?ready”之間閃動(dòng),此時(shí)需要工藝立即補(bǔ)液(HCL:HF:DI=3:2:14;KOH:DI=1:10)
 ?????????? ???? ?? b:通知設(shè)備通風(fēng)刀(冒泡泡)或清洗更換濾芯 
?????? (4)堿槽或酸槽流量變?。ㄑa(bǔ)加了藥水后還沒循環(huán),浮標(biāo)沉到底部不起來)
??????? 工藝需要檢查槽中溶液是否滿,如果不滿則添藥液;如果是滿的,則通知設(shè)備檢查濾芯是否需要更換或清洗。流量突變,不能達(dá)到工藝設(shè)定流量前清洗流量會(huì)突然變?yōu)?,此時(shí)設(shè)備會(huì)報(bào)警,工藝立即到現(xiàn)場(chǎng)通知生產(chǎn)停止投料,通知設(shè)備人員調(diào)試設(shè)備,然后處理設(shè)備中的硅片,挑出外觀未受影響的硅片繼續(xù)下傳,外觀受影響的隔離處理,水紋片用手可以抹去的,檢查出料處滾輪的干凈程度,一般是出料處風(fēng)刀中間段滾輪出現(xiàn)污染,需要設(shè)備擦拭,如果不嚴(yán)重,流假片也可以將臟東西帶走。

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