???1、導(dǎo)電類(lèi)型conductivity?type
?? 2、n-型半導(dǎo)體??n-type?semiconductor
???????多數(shù)載流子為電子的半導(dǎo)體。
???3、p-型半導(dǎo)體??p-type?semiconductor
???????多數(shù)載流子為空穴的半導(dǎo)體。
???4、載流子??carrier
???????固體中一種能夠傳輸電荷的載體，又稱(chēng)荷電載流子。例如，半導(dǎo)體中導(dǎo)電空穴和導(dǎo)電電子。
???5、少數(shù)載流子minority?carrier
???????小于載流子總濃度一半的那類(lèi)載流子。例如：p型半導(dǎo)體中的電子。
?? 6、雜質(zhì)濃度impurity?concentration
???????單位體積內(nèi)雜質(zhì)原子的數(shù)目。
???7、電阻率（體）resistivity(bulk)
???????單位體積的材料對(duì)于兩平行面垂直通過(guò)的電流的阻力。一般來(lái)說(shuō)，體電阻率為材料中平行電流的電場(chǎng)強(qiáng)度與電流密度之比。符號(hào)為ρ，單位為Ω﹡cm?。
???8、電阻率允許偏差?allowable?resistivity?tolerance
???????硅片中心或硅錠斷面中心的電阻率與標(biāo)稱(chēng)電阻率的最大允許差值，它可以用標(biāo)稱(chēng)值的百分?jǐn)?shù)來(lái)表示。
???9、四探針?four?point?probe
???????測(cè)量材料表面層電阻率的一種探針裝置。排列成一直線(xiàn)、間距相等的四根金屬探針垂直壓在樣品表面上，使電流從兩外探針之間通過(guò)，測(cè)量?jī)蓛?nèi)探針的電位差。?
???10、壽命?lifetime
???????晶體中非平衡載流子由產(chǎn)生到復(fù)合存在的平均時(shí)間間隔，它等于非平衡少數(shù)載流子濃度衰減到其始值的1/e(e=2.718)所需的時(shí)間。又稱(chēng)少數(shù)載流子壽命，體壽命。壽命符號(hào)τ，單位為μs?。
???11、晶體?crystal
???????在三維空間中由原子、離子、分子或這些粒子集團(tuán)按同一規(guī)律作周期性排列所構(gòu)成的固體。
???12、孿晶?twinned?crystal
???????在晶體中晶體是兩部分，彼此成鏡象對(duì)稱(chēng)的晶體結(jié)構(gòu)。連接兩部分的界面稱(chēng)為孿晶或?qū)\晶邊界。在金剛石結(jié)構(gòu)中，例如硅，孿晶面為（111）面。
???13、單晶?single?crystal
???????不含大角晶界或?qū)\晶界的晶體。
???14、位錯(cuò)?dislocation
???????晶體中由于原子錯(cuò)配引起的具有伯格斯矢量的一種缺陷。
???15、位錯(cuò)密度dislocation?density
???????單位體積內(nèi)位錯(cuò)線(xiàn)的總長(zhǎng)度（cm/?cm?3）。通常以晶體莫晶面單位面積上位錯(cuò)蝕坑的數(shù)目來(lái)表示。cm?2。
???16、無(wú)位錯(cuò)單晶?zero?D?Single?crystal
???????位錯(cuò)密度小于500?cm?2的單晶。
???17、直拉法?vertical?pulling?method?(Czochralski?growth)?CZ
???????沿著垂直方向從熔體中拉制單晶體的方法。又稱(chēng)切克勞斯基法。
???18、切割?cutting
???????把半導(dǎo)體單晶錠切成具有一定晶向和一定厚度的工藝。
?? 19、腐蝕?etching
???????用腐蝕液去除表面玷污、機(jī)械加工損傷，控制晶片厚度以及顯示晶片表面缺陷形狀和分布的工藝。
???20、晶片?slice
???????從晶錠切割下片狀的晶塊。
???21、直徑?diameter
???????橫穿圓片表面，通過(guò)晶片中心點(diǎn)且不與參考面或圓周上其他基準(zhǔn)區(qū)相交的直線(xiàn)長(zhǎng)度。