一、主要生產(chǎn)設(shè)備
?
二、工藝流程簡(jiǎn)述
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工藝說(shuō)明:
①第一次焊接:焊料使用預(yù)成型焊片,不含助焊劑,芯片和DBC在真空狀態(tài)下行焊接;
②X-ray檢測(cè)空洞:使用X-ray檢測(cè)焊接空洞;
③等離子體清洗:使用Ar等離子體對(duì)芯片表面進(jìn)行清洗,以獲得清潔表面,增強(qiáng)后續(xù)綁線的可靠性;
④鋁線鍵合:對(duì)芯片進(jìn)行鋁絲綁線:
⑤第二次焊接:焊料使用預(yù)成型焊片,不含助焊劑:銅底板和DBC在真空狀態(tài)下進(jìn)行焊接;
⑥涂密封膠和灌注硅凝膠:通過(guò)密封膠、外殼、硅膠等將模塊密封起來(lái)。
IGBT的制造工藝:
IGBT的制程正面和標(biāo)準(zhǔn)BCD的LDMOS沒(méi)差,只是背面比較難搞:
1) 背面減?。阂话阋?~8mil,這個(gè)厚度很難磨了,容易碎片。
2) 背面注入:都磨到6~8mil了,還要打High current P+ implant >E14的dose,很容易碎片的,必須有專門(mén)的設(shè)備dedicate。甚至第四代有兩次Hi-current注入,更是挑戰(zhàn)極限了。
3) 背面清洗:這個(gè)一般的SEZ就可以。
4) 背面金屬化:這個(gè)只能用金屬蒸發(fā)工藝,Ti/Ni/Ag標(biāo)準(zhǔn)工藝。
5) 背面Alloy:主要考慮wafer太薄了,容易翹曲碎片。
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