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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關(guān)模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應(yīng)用范圍:l 本機臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設(shè)計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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紫外光表面清洗技術(shù)與UV光清洗機

時間: 2021-04-12
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一、?紫外光表面清洗和改質(zhì)的工作原理

低壓紫外汞燈發(fā)射的雙波段短波紫外光照射到試件表面后,與有機污染物發(fā)生光敏氧化作用,不僅能去除污染物而且能改善表面的性能,從而提高物體表面的浸潤性和粘合強度,或者使材料表面得到穩(wěn)定的表面性能。根據(jù)不同需要,既可以對物體進行紫外光表面清洗,也可以進行紫外光表面改質(zhì)(或叫表面改善),紫外光表面清洗和改質(zhì)的機理有相同點,但也有區(qū)別。

1.1紫外光清洗工作原理

VUV低壓紫外汞燈能同時發(fā)射波長254nm和185nm的紫外光,這兩種波長的光子能量可以直接打開和切斷有機物分子中的共價鍵,使有機物分子活化,分解成離子、游離態(tài)原子、受激分子等。與此同時,185nm波長紫外光的光能量能將空氣中的氧氣(O2)分解成臭氧(O3):254nm波長的紫外光的光能量能將O3分解成O2和活性氧(O),這個光敏氧化反應(yīng)過程是連續(xù)進行的,在這兩種短波紫外光的照射下,臭氧會不斷的生成和分解,活性氧原子就會不斷的生成,而且越來越多,由于活性氧原子(O)有強烈的氧化作用,與活化了的有機物(即碳氫化合物)分子發(fā)生氧化反應(yīng),生成揮發(fā)性氣體(如CO2,CO,H2O,NO等)逸出物體表面,從而徹底清除了粘附在物體表面上的有機污染物。

紫外光表面清洗原理表達式:

紫外光表面清洗技術(shù)與UV光清洗機?

1.2紫外光改質(zhì)工作原理

低壓紫外汞燈發(fā)射的185nm和254nm波長的紫外光除有清洗去除物體表面的有機污染物的功能外,而且還能夠進行表面改質(zhì)。其基本原理為:光子能量把物體的表層分子鍵打開的同時拉出H原子和C原子,與空氣中的氧氣分解出來的活性氧(O)生成極性很強的原子團(OH,CHO,COOH)即羥基等活性基,同時材料表面有機污染物的清洗效果顯著,活化的基體表面具有良好的粘合力和鍵合特性,這些羥基和涂料、粘合劑、電鍍材料相結(jié)合,形成新的化學(xué)鍵,從而使材料表面得到通常情況下得不到的很強的粘結(jié)強度,或者使材料得到穩(wěn)定的表面性能。

紫外光表面改質(zhì)原理表達式:

紫外光表面清洗技術(shù)與UV光清洗機?

二、紫外光表面清洗和改質(zhì)技術(shù)的先進性

2.1光清洗技術(shù)是隨著當(dāng)代光電子信息技術(shù)發(fā)展起來的,光電子產(chǎn)品的高性能、微型化要求表面潔凈度越來越高,常規(guī)的清洗方法(如水洗、化學(xué)溶液洗、超聲波清等)已不能滿足要求,UV光清洗能夠達到常規(guī)的清洗方法難以達到的高清潔度,而且不存在三廢處理問題,有利于環(huán)境保護。

2.2光清洗是在常溫、常壓的環(huán)境中進行的,是一種非接觸式的干法清洗技術(shù)。光清洗時被清洗的表面除了光子,不與任何物體發(fā)生接觸,因為有機物經(jīng)過紫外光照射發(fā)生光敏氧化反應(yīng)后,生成可揮發(fā)性氣體(CO2、CO、H2O等)從表面消散,隨著排風(fēng)系統(tǒng)抽走,不可能重返被清洗的表面,不會像溶液清洗時發(fā)生二次污染。

2.3一般情況下,光清洗的表面不會受到損傷,由于光子的能量相對比氬等離子體濺射或惰性氣體離子轟擊的能量小,光清洗后的表面不會受到損傷或發(fā)生晶體缺陷的現(xiàn)象。

2.4光清洗對物體表面微細部位(如孔穴、微細溝槽等)具有有效而徹底的清洗效

果。由于紫外光是納米短波紫外線,能夠射入材料表面的極為細微的部位,發(fā)生光敏

氧化反應(yīng),充分表現(xiàn)出光清洗的徹底性。

2.5世界上先進工業(yè)化國家已經(jīng)開始將光清洗技術(shù)由光電產(chǎn)品向金屬、光學(xué)、塑料、橡膠等相關(guān)產(chǎn)品的生產(chǎn)過程發(fā)展,光清洗技術(shù)的應(yīng)用范圍十分廣闊,具有很強的

技術(shù)生命力。

二、?光清洗效果實例

曾用自行研制的系列UV光表面清洗機(GQX-LX型、GQX-WF型等)對白玻璃、ITO玻璃、半導(dǎo)體材料、光學(xué)玻璃、鉻板玻璃、膜塊、液晶屏斑馬線以及殘余的光刻膠和聚酰亞胺等多種材料進行了光清洗試驗,均取得了滿意效果。經(jīng)過光清洗后的物體表面清潔度更高,浸潤性更好,粘合力更強,可使臟點、黑點、白點、針孔、起皮等影響涂敷的質(zhì)量問題大大減少,膜層更加牢固。

3.1對ITO玻璃用GQX—LX光清洗機進行光清洗前后對比試驗,檢測情況如下:

3.1.1采用掃描俄歇微探針儀對LCD用ITO玻璃樣片進行光清洗試驗的檢測結(jié)果

紫外光表面清洗技術(shù)與UV光清洗機?

a光清洗前

紫外光表面清洗技術(shù)與UV光清洗機?

b光清洗后

1ITO玻璃樣片光清洗前后的俄歇能譜分析曲線對比圖

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對相同的二片ITO玻璃基片,同時進行嚴格的化學(xué)溶液清洗,再把其中一片置于光清洗工作室內(nèi)進行光清洗,然后把二片基片同時送入掃描俄歇微探針儀中進行分析。圖1為ITO玻璃基片光清前后的俄歇能譜分析曲線的對比圖??v坐標(biāo)為元素能譜能量,橫坐標(biāo)為元素能譜位置,C元素能譜位置為271.5,從能譜圖上可知:圖1a未經(jīng)光清洗的ITO玻璃片的俄歇能譜曲線,我們可以看出對應(yīng)271.5能譜位置上能譜曲線有明顯的碳峰,而碳峰是表征碳氫化合物(有機污染物)存在與否的標(biāo)示;圖1b是經(jīng)光清洗后ITO玻璃的俄歇能譜曲線,此曲線上的碳峰消失了,這表明經(jīng)過光清洗后,ITO玻璃基片表面上的有機污染物已經(jīng)清除,達到了原子清潔度。

3.1.2與上述同一試驗,采用接觸角測試儀對ITO玻璃樣片進行光清洗試驗的檢測結(jié)果

紫外光表面清洗技術(shù)與UV光清洗機?

2ITO玻璃樣片光清洗前后的接觸角測試對比圖

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本次接觸角測試是在普通工作間進行的,光清洗后的ITO玻璃在空氣中會受到二次污染。接觸角測試法是一種半定量檢測方法。從圖2可以看出光清洗后接觸角下降了24.23度,表明ITO玻璃表面的潔凈度大大提高了。

3.2對OLED用ITO玻璃光清洗前后進行檢測結(jié)果我們用GQX-WF02UV光清洗機在北京某公司OLED生產(chǎn)線,采用經(jīng)過化學(xué)清洗后的ITO玻璃進行了光清洗前后對比試驗,并送清華大學(xué)分析中心檢測,其俄歇能譜曲線如下:

紫外光表面清洗技術(shù)與UV光清洗機?

由圖3可知,經(jīng)過嚴格的化學(xué)清洗后,樣品表面依然存在碳峰,再經(jīng)過光清洗后,碳峰被徹底清除。GQX-WF02光清洗機一年后的反饋報告中指出:「ITO玻璃在涂膜前經(jīng)過光清洗能夠提高表面的潔凈度,增加表面潤濕性和粘接強度,對提高OLED產(chǎn)品質(zhì)量是有益的?!?/span>

3.3對半導(dǎo)體砷化鎵(GaAs)光清洗效果檢測結(jié)果我們采用由北京某公司提供的GaAs晶片,對經(jīng)過化學(xué)清洗后的GaAs晶片進行光清洗,其對比如下:

紫外光表面清洗技術(shù)與UV光清洗機?

4半導(dǎo)體砷化鎵(GaAs)光清洗前后俄歇能譜曲線對比

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由圖4可知,砷化鎵樣品化學(xué)清洗后表面碳峰較大,再經(jīng)過光清洗后,碳峰徹底去除。

3.4對電子膜塊進行光清洗結(jié)果:2007年6月上海某航天研究所在使用GQX-WF03光清洗機對電子膜塊加工工藝后出具的使用反饋報告指出:關(guān)于光清洗效果的檢測方法較多,例如:水滴檢查法、水膜檢查法、水蒸氣檢查法、接觸角檢測法、掃描俄歇微探針儀和X射線光電子能譜儀檢測方法去檢查其清潔度。其中掃描俄歇微探針儀和X射線光電子能譜儀檢測方法是定量檢測,精度最高。

四、光清洗技術(shù)的應(yīng)用范圍

光清洗技術(shù)的應(yīng)用范圍十分廣泛,目前在現(xiàn)代信息技術(shù)行業(yè)中使用光清洗技術(shù)比較普遍,隨著我國工業(yè)現(xiàn)代化的發(fā)展,光清洗和光改質(zhì)技術(shù)還將逐步應(yīng)用于金屬、塑料、橡膠等工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域。

4.1在LCD、OLED生產(chǎn)中,在涂光刻膠、PI膠、定向膜、鉻膜、色膜前經(jīng)過光清洗,可以極大的提高基體表面潤濕性,增強基體表面的粘合力;

4.2印制電路板生產(chǎn)中,對銅底板,印刷底板進行光清洗和改質(zhì),在導(dǎo)線焊接前進行光清洗,可以提高熔焊的接觸面積,大大增加連接強度。特別是高精度印制電路板,當(dāng)線距達到亞微米級時,光清洗可輕易地去除在線距之間很小的微粒,可以大大提高印制電路板的質(zhì)量。

4.3大規(guī)模集成電路的密度越來越高,晶格的微細化越來越密,要求表面的潔凈度越來越高,光清洗可以有效地實現(xiàn)表面的原子清潔度,而且對芯片表面不會造成損傷。

4.4在半導(dǎo)體生產(chǎn)中,硅晶片涂保護膜、鋁蒸發(fā)膜前進行光清洗,可以提高粘合力,防止針孔、裂縫的發(fā)生。

4.5在光盤的生產(chǎn)中,沉積各種膜前作光清洗準(zhǔn)備,可以提高光盤的質(zhì)量。

4.6磁頭固定面的粘合,磁頭涂敷,以及提高金屬絲的連接強度,光清洗后效果更好。

4.7石英晶體振蕩器生產(chǎn)中,除去晶體檢測后涂層上的墨跡,晶體在銀蒸發(fā)沉積前,進行光清洗可以提高鍍膜質(zhì)量和產(chǎn)品性能。

4.8在IC卡表面插裝ROM前,經(jīng)過光清洗可提高產(chǎn)品質(zhì)量。

4.9彩色濾光片生產(chǎn)中,光清洗后能徹底洗凈表面的有機污染物。

4.10敷銅箔層壓板生產(chǎn)中,經(jīng)過光照改質(zhì),不僅表面潔凈而且表面形成十分均勻的保護氧化層,產(chǎn)品質(zhì)量顯著提高。

4.11光學(xué)玻璃經(jīng)過紫外光清洗后,鍍膜質(zhì)量更好。

4.12樹脂透鏡光照后,能加強與防反射板的粘貼性。

4.13對清除石蠟、松香、油脂、人體體油、殘余的光刻膠、環(huán)氧樹脂、焊劑,以及帶有氧化膜的金屬表面處理,去除導(dǎo)電聚酰亞胺粘合劑上的有機污染物,光清洗是十分有效的方法。

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