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濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為L(zhǎng)ED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡(jiǎn)便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽(yáng)極和電力線擋板組成的陽(yáng)極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場(chǎng)不均問(wèn)題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來(lái)的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場(chǎng)環(huán)境。通過(guò)進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場(chǎng)。從而通過(guò)改變流場(chǎng)的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過(guò)技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái),可同Run 50片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過(guò)20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無(wú)刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染l 不銹鋼N2過(guò)濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開(kāi)關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂(lè)故障碼功能: 門(mén)鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng):?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對(duì)應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問(wèn)題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過(guò)濾器:配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時(shí)間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過(guò)濾器:配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化...
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玻璃鍍膜前超聲波清洗

時(shí)間: 2021-04-12
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1、研磨后的清洗

研磨是光學(xué)玻璃生產(chǎn)中決定其加工效率和表面質(zhì)量(外觀和精度)的重要工序。研磨工序中的主要污染物為研磨粉和瀝青,少數(shù)企業(yè)的加工過(guò)程中會(huì)有漆片。其中研磨粉的型號(hào)各異,一般是以二氧化鈰為主的堿金屬氧化物。根據(jù)鏡片的材質(zhì)及研磨精度不同,選擇不同型號(hào)的研磨粉。在研磨過(guò)程中使用的瀝青是起保護(hù)作用的,以防止拋光完的鏡面被劃傷或腐蝕。研磨后的清洗設(shè)備大致分為兩種:

一種主要使用有機(jī)溶劑清洗劑,另一種主要使用半水基清洗劑。

1)有機(jī)溶劑清洗采用的清洗流程如下:

有機(jī)溶劑清洗劑(超聲波)-水基清洗劑(超聲波)-市水漂洗-純水漂洗-IPA(異丙醇)脫水-IPA慢拉干燥。

有機(jī)溶劑清洗劑的主要用途是清洗瀝青及漆片。以前的溶劑清洗劑多采用三氯乙烷或三氯乙烯。由于三氯乙烷屬ODS(消耗臭氧層物質(zhì))產(chǎn)品,目前處于強(qiáng)制淘汰階段;而長(zhǎng)期使用三氯乙烯易導(dǎo)致職業(yè)病,而且由于三氯乙烯很不穩(wěn)定,容易水解呈酸性,因此會(huì)腐蝕鏡片及設(shè)備。對(duì)此,國(guó)內(nèi)的清洗劑廠家研制生產(chǎn)了非ODS溶劑型系列清洗劑,可用于清洗光學(xué)玻璃;并且該系列產(chǎn)品具備不同的物化指標(biāo),可有效滿足不同設(shè)備及工藝條件的要求。比如在少數(shù)企業(yè)的生產(chǎn)過(guò)程中,鏡片表面有一層很難處理的漆片,要求使用具備特殊溶解性的有機(jī)溶劑;部分企業(yè)的清洗設(shè)備的溶劑清洗槽冷凝管較少,自由程很短,要求使用揮發(fā)較慢的有機(jī)溶劑;另一部分企業(yè)則相反,要求使用揮發(fā)較快的有機(jī)溶劑等。

水基清洗劑的主要用途是清洗研磨粉。由于研磨粉是堿金屬氧化物,溶劑對(duì)其清洗能力很弱,所以鏡片加工過(guò)程中產(chǎn)生的研磨粉基本上是在水基清洗單元內(nèi)除去的,故而對(duì)水基清洗劑提出了極高的要求。以前由于國(guó)內(nèi)的光學(xué)玻璃專用水基清洗劑品種較少,很多外資企業(yè)都選用進(jìn)口的清洗劑。而目前國(guó)內(nèi)已有公司開(kāi)發(fā)出光學(xué)玻璃清洗劑,并成功地應(yīng)用在國(guó)內(nèi)數(shù)家大型光學(xué)玻璃生產(chǎn)廠,清洗效果完全可以取代進(jìn)口產(chǎn)品,在腐蝕性(防腐性能)等指標(biāo)上更是優(yōu)于進(jìn)口產(chǎn)品。

對(duì)于IPA慢拉干燥,需要說(shuō)明的一點(diǎn)是,某些種類的鏡片干燥后容易產(chǎn)生水印,這種現(xiàn)象一方面與IPA的純度及空氣濕度有關(guān),另一方面與清洗設(shè)備有較大的關(guān)系,尤其是雙臂干燥的效果明顯不如單臂干燥的好,需要設(shè)備廠家及用戶注意此點(diǎn)。

2)半水基清洗采用的清洗流程如下:

半水基清洗劑(超聲波)-市水漂洗-水基清洗劑-市水漂洗-純水漂洗-IPA脫水-IPA慢拉干燥此種清洗工藝同溶劑清洗相比最大的區(qū)別在于,其前兩個(gè)清洗單元:有機(jī)溶劑清洗只對(duì)瀝青或漆片具有良好的清洗效果,但卻無(wú)法清洗研磨粉等無(wú)機(jī)物;半水基清洗劑則不同,不但可以清洗瀝青等有機(jī)污染物,還對(duì)研磨粉等無(wú)機(jī)物有良好的清洗效果,從而大大減輕了后續(xù)清洗單元中水基清洗劑的清洗壓力。半水基清洗劑的特點(diǎn)是揮發(fā)速度很慢,氣味小。采用半水基清洗劑清洗的設(shè)備在第一個(gè)清洗單元中無(wú)需密封冷凝和蒸餾回收裝置。但由于半水基清洗劑粘度較大,并且對(duì)后續(xù)工序使用的水基清洗劑有乳化作用,所以第二個(gè)單元須市水漂洗,并且最好將其設(shè)為流水漂洗。

????(3)兩種清洗方式的比較:

溶劑清洗是比較傳統(tǒng)的方法,其優(yōu)點(diǎn)是清洗速度快,效率比較高,溶劑本身可以不斷蒸餾再生,循環(huán)使用;但缺點(diǎn)也比較明顯,由于光學(xué)玻璃的生產(chǎn)環(huán)境要求恒溫恒濕,均為封閉車(chē)間,溶劑的氣味對(duì)于工作環(huán)境多少都會(huì)有些影響,尤其是使用不封閉的半自動(dòng)清洗設(shè)備時(shí)。

半水基清洗是近年來(lái)逐漸發(fā)展成熟的一種新工藝,它是在傳統(tǒng)溶劑清洗的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn)而得來(lái)的。

它有效地避免了溶劑的一些弱點(diǎn),可以做到無(wú)毒,氣味輕微,廢液可排入污水處理系統(tǒng);設(shè)備上的配套裝置更少;使用周期比溶劑要更長(zhǎng);在運(yùn)行成本上比溶劑更低。半水基清洗劑最為突出的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)就是對(duì)于研磨粉等無(wú)機(jī)污染物具有良好的清洗效果,極大地緩解了后續(xù)單元水基清洗劑的清洗壓力,延長(zhǎng)了水基清洗劑的使用壽命,減少了水基清洗劑的用量,降低了運(yùn)行成本。它的缺點(diǎn)就是清洗的速度比溶劑稍慢,并且必須要進(jìn)行漂洗。

2、鍍膜前清洗

鍍膜前清洗的主要污染物是求芯油(也稱磨邊油,求芯也稱定芯、取芯,指為了得到規(guī)定的半徑及芯精度而選用的工序)、手印、灰塵等。由于鍍膜工序?qū)︾R片潔凈度的要求極為嚴(yán)格,因此清洗劑的選擇是很重要的。在考慮某種清洗劑的清洗能力的同時(shí),還要考慮到他的腐蝕性等方面的問(wèn)題。

鍍膜前的清洗一般也采用與研磨后清洗相同的方式,分為溶劑清洗和半水基清洗等方式。工藝流程及所用化學(xué)藥劑類型如前所述。

3、鍍膜后清洗

一般包括涂墨前清洗、接合前清洗和組裝前清洗,其中接合前清洗(接合是指將兩片鏡片用光敏膠粘接成規(guī)定的形狀,以滿足無(wú)法一次加工成型的需求,或制造出較為特殊的曲率、透光率的一道工序)要求最為嚴(yán)格。接合前要清洗的污染物主要是灰塵、手印等的混合物,清洗難度不大,但對(duì)于鏡片表面潔凈度有非常高的要求,其清洗方式與前面兩個(gè)清洗工藝相同。光學(xué)玻璃表面燒蝕及解決辦法

1、光學(xué)玻璃表面燒蝕問(wèn)題及成因當(dāng)前,光學(xué)玻璃加工過(guò)程中最棘手的問(wèn)題是玻璃表面的燒蝕。燒蝕是怎樣發(fā)生的呢?光學(xué)玻璃的主要成分為硅酸鹽,其遇水或水蒸汽會(huì)發(fā)生水解作用,形成燒蝕。

反應(yīng)方程式如下:

Na2SiO3+2H2O?2NaOH+H2SiO3(1)

水解作用的實(shí)質(zhì)是水中的氫離子(H+)與玻璃表面堿金屬離子之間的交換。其交換過(guò)程如下:

H2O?H++OH-(2)

分解

Si-O-Si-NaSi-O-Si-H

O-Si-O+H+→O-Si-O+Na+(3)

Si-O-SiSi-O-Si

結(jié)果氫離子不斷減少,使水中OH-離子不斷增加,與此同時(shí)玻璃表面形成一層硅酸凝膠薄膜。OH-離子增加的結(jié)果是玻璃的液體環(huán)境堿性不斷增強(qiáng),生成高濃堿性液體,與H2SiO3發(fā)生化學(xué)反應(yīng),方程式如下:

2OH-+H2SiO3=2H2O+SiO32-(4)

這樣就加劇了方程式(1)向右進(jìn)行,生成堿性物質(zhì)再次增加,如此循環(huán)導(dǎo)致燒蝕加重。同時(shí)由于硅膠質(zhì)層具有多孔龜裂結(jié)構(gòu),使OH-離子繼續(xù)向玻璃層侵蝕,特別是含硅少、化學(xué)穩(wěn)定性差的材質(zhì),硅酸凝膠膜層的致密性和牢固性較差,更加劇了OH-的侵蝕。水解作用幾乎貫穿了光學(xué)玻璃的整個(gè)加工過(guò)程,無(wú)論是研磨、求芯等工序中或工序間,均會(huì)程度不一地發(fā)生。水解作用的表現(xiàn)形式,或者說(shuō)加劇水解程度的外在條件有很多,比如堿性腐蝕、鹽類腐蝕、溫度腐蝕(包括清洗劑溫度、烘干溫度、室內(nèi)溫度)等?,F(xiàn)以研磨工序?yàn)槔?,說(shuō)明堿性環(huán)境以及加工方法本身是如何加速水解作用的。通常,以CeO2(二氧化鈰)為主要成分的研磨粉是不會(huì)對(duì)鏡片構(gòu)成腐蝕的,但在進(jìn)行研磨加工時(shí),研磨液是由水加研磨粉配制而成,因此新配制的研磨液的初始pH值是由水和研磨粉的酸堿性共同決定的,一般呈堿性(pH>7)。

如前所述,玻璃遇水會(huì)產(chǎn)生水解反應(yīng),如方程式(1),而生成的H2SiO3(硅酸)呈凝膠狀態(tài),附在玻璃表層起保護(hù)作用,阻止反應(yīng)繼續(xù)進(jìn)行,同時(shí)一部分H2SiO3(硅酸)分解,生成的SiO2(二氧化硅)附在玻璃表面也可以減緩水解反應(yīng),起到保護(hù)作用,化學(xué)反應(yīng)方程式如下:H2SiO3(硅酸)→2H2O+SiO2(二氧化硅)(5)隨著玻璃表面的研磨拋光,表層的SiO2(二氧化硅)和大部分的H2SiO3凝膠被去除,打破了方程式(1)、(5)的平衡,使方程式(1)、(5)的反應(yīng)更深入地向右進(jìn)行,生成更多的堿性物質(zhì),導(dǎo)致研磨液的pH值持續(xù)上升,其中的堿性液體與H2SiO3凝膠反應(yīng),如方程

4),如此循環(huán)加速水解反應(yīng),導(dǎo)致玻璃表面燒蝕。

2、表現(xiàn)及清洗對(duì)策

表面燒蝕的玻璃在經(jīng)過(guò)清洗、漂洗、脫水和干燥處理以后,通常會(huì)有白色霧狀殘留,使用丙酮等擦拭溶劑可以去除,在強(qiáng)光照射下可見(jiàn)塊狀印痕,印痕因玻璃材質(zhì)不同呈不同顏色,一般為藍(lán)色或灰色。這是由于玻璃表面燒蝕后,相應(yīng)位置的折射率發(fā)生變化所致。

由于光學(xué)玻璃的表面精度要求極高,有燒蝕狀況的玻璃會(huì)出現(xiàn)鍍膜不良,影響使用,故必須在鍍膜前予以妥當(dāng)處理。通常可采用過(guò)堿性清洗的方式解決燒蝕問(wèn)題。過(guò)堿性清洗,顧名思義,是采用經(jīng)特殊方法配置而成的強(qiáng)堿性清洗劑,將玻璃鏡片在一定溫度下,浸泡一定的時(shí)間(視鏡片材質(zhì)而定),使玻璃表面產(chǎn)生均勻腐蝕,生成一層極薄的硅酸鹽及硅酸等,同時(shí)通過(guò)控制時(shí)間和溫度,使此種腐蝕的深度極?。ㄒ话銥槭畮字翈资{米),不會(huì)影響鏡片表面精度。通過(guò)外力(超聲波)清洗,使玻璃表面因腐蝕而松動(dòng)的表層脫落,達(dá)到去除因燒蝕產(chǎn)生的塊狀印痕的目的。

?

目前多數(shù)光學(xué)玻璃生產(chǎn)廠家都會(huì)進(jìn)行研磨后和鍍膜前兩次清洗,其中研磨后主要清洗瀝青(漆片)和研磨粉,鍍膜前主要清洗求芯油(磨邊油)、指印和灰塵。所采用的清洗工藝也可分為溶劑清洗和半水基清洗兩種,兩者最大的區(qū)別在于前者對(duì)無(wú)機(jī)污染物的清洗完全依賴水基清洗劑,后者所使用的半水基清洗劑對(duì)于無(wú)機(jī)污染物的清洗效果也較好;兩者的共同點(diǎn)是對(duì)于有機(jī)污染物都具有良好的清洗效果,并采用相同的脫水及干燥方式,同時(shí)對(duì)鏡片的安全性極高。

對(duì)于光學(xué)玻璃加工過(guò)程中不可避免的表面燒蝕問(wèn)題,其成因是由于光學(xué)玻璃的主要成分——金屬氧化物水解反應(yīng)導(dǎo)致的,通??刹捎眠^(guò)堿性清洗的方法,并通過(guò)外力(超聲波)的作用消除燒蝕印痕LCD清洗屬于精密清洗領(lǐng)域,對(duì)清洗的質(zhì)量、效率要求很高,以前,LCD工廠大多使用的是ODS清潔劑和超聲氣相清洗技術(shù),在國(guó)際上加速淘汰ODS清潔劑的壓力下,LCD廠正在積極選用替代ODS清潔劑(或稱非ODS清洗劑),替代清洗劑必須保證清洗的LCD質(zhì)量不低于原用ODS清洗劑的清洗標(biāo)準(zhǔn),甚至更高.本文簡(jiǎn)單介紹LCD替代ODS清洗技術(shù)和不用或少用清洗劑的物理清洗技術(shù),并對(duì)其未來(lái)的發(fā)展進(jìn)行了簡(jiǎn)單評(píng)說(shuō)。

一、非ODS清洗技術(shù)

到目前為止,LCD行業(yè)已有15家企業(yè)參與了《中國(guó)清洗行業(yè)ODS整體淘汰計(jì)劃》,并獲得國(guó)際多邊基會(huì)贈(zèng)款。其中已有10家企業(yè)的替代設(shè)備投入運(yùn)行。但仍有少數(shù)LCD廠繼續(xù)使用CFC-113及TCA。部分已淘汰ODS清洗劑的企業(yè)也面臨進(jìn)一步優(yōu)選工藝、設(shè)備及非ODS清洗劑,以便提高LCD清洗品質(zhì)及效益的問(wèn)題。

二、非ODS清洗劑及其工藝路線的選擇

適用于LCD行業(yè)的非ODS清洗劑有水基、半水基和溶劑型三種,水基、半水基清洗劑適用于超聲水洗工藝路線,溶劑型清洗劑適用于氣相超聲清洗工藝路線。表1列舉了各種清洗技術(shù)的比較,表2列舉了部分溶劑型HCFC和HFC等替代物的基本物化性能指標(biāo)。

水基、半水基及溶劑型三種替代清洗劑中,水基清洗劑的清洗速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)不及溶劑和半水基型清洗劑。

其原因有二:

一是水基清洗劑去除LCD殘留液晶以表面活性劑與液晶的乳化作用為主,乳化對(duì)超聲波的依賴性較大;

二是水的表面張力比溶劑大,對(duì)狹縫的濕潤(rùn)性能較差。而表面張力較低的半水基和溶劑型清洗劑與液晶是一種溶解作用。

可用于直接替代CFC-113氣相清洗劑的溶劑型清洗劑包括HCFC、HFC、n-PB、HFE、低沸點(diǎn)碳?xì)浠衔锛捌浜跹苌铩F渲蠬CFC類如HCFC141b、HCFC225,因ODP值不等于0,為過(guò)渡性替代物;n-PB等鹵代烴在有水存在時(shí)對(duì)ITO具有較大的腐蝕性,而且n-PB的毒性至今尚無(wú)定論;HFC及HFE類的優(yōu)點(diǎn)是ODP等于0,但價(jià)格昂貴,且HFC4310具有極高的GWP值,低沸點(diǎn)的碳?xì)浠衔锛捌浜跹苌镒畲蟮膯?wèn)題是易燃易爆,使用該類清洗劑必須采用有防爆功能的清洗設(shè)備。基于上述水基清洗劑的清洗效力較低和溶劑型清洗劑的諸多問(wèn)題。國(guó)內(nèi)外絕大部分LCD企業(yè)采用半水基清洗劑作為CFC-113的替代物,使用閃點(diǎn)大于等于61℃碳?xì)浠衔锛缺WC了清洗劑在使用、存儲(chǔ)和運(yùn)輸過(guò)程中的安全性,又利用碳?xì)浠衔锱c液晶的互溶性,較快的清洗殘留液晶,并輔以表面活性劑經(jīng)多道水漂洗,可以滿足LCD行業(yè)對(duì)清洗的品質(zhì)和效率越來(lái)越高的要求。

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