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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計,微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J皆O(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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多晶硅鑄錠硅片清洗設(shè)備

時間: 2021-04-12
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多晶硅鑄錠硅片清洗設(shè)備,包括裝置主體、升降機(jī)構(gòu)(2)和清洗機(jī)構(gòu)(9),其特征在于:所述裝置主體包括加工箱體(1)、拋光軸(3)、驅(qū)動機(jī)(4)、轉(zhuǎn)軸(5)、內(nèi)箱(6)、集水槽(7)、泵體(8)和支腿(10),所述支腿(10)設(shè)置在加工箱體(1)下端面,所述驅(qū)動機(jī)(4)設(shè)置在加工箱體(1)頂端面中間位置,所述轉(zhuǎn)軸(5)轉(zhuǎn)動連接在加工箱體(1)內(nèi)部,且與驅(qū)動機(jī)(4)的輸出端傳動連接,所述拋光軸(3)設(shè)置在轉(zhuǎn)軸(5)上,所述集水槽(7)設(shè)置在加工箱體(1)

內(nèi)部底端面,所述內(nèi)箱(6)位于集水槽(7)上方;

所述升降機(jī)構(gòu)(2)設(shè)置在加工箱體(1)內(nèi)部上側(cè),所述升降機(jī)構(gòu)(2)包括電機(jī)一(21)、滑

(22)、傳動軸(23)和繩索(24),所述傳動軸(23)轉(zhuǎn)動連接在加工箱體(1)內(nèi)部靠上部位,

所述滑輪(22)設(shè)有兩個,兩個滑輪(22)對稱轉(zhuǎn)動連接在傳動軸(23)上,所述滑輪(22)通過

繩索(24)與內(nèi)箱(6)固定連接,所述傳動軸(23)與電機(jī)一(21)的輸出端傳動連接;所述清洗機(jī)構(gòu)(9)包括輔助清潔組件(91)和電機(jī)二(92),所述電機(jī)二(92)設(shè)置在加工箱體(1)底端面,所述輔助清潔組件(91)設(shè)有兩個,兩個所述輔助清潔組件(91)對稱設(shè)置在加工箱體(1)內(nèi)部,所述輔助清潔組件(91)包括支架(911)、高壓噴頭(912)、滑塊(913)、齒條(914)、齒輪(915)和安裝軸(916),所述齒條(914)通過滑塊(913)滑動連接在加工箱體(1)內(nèi)部,所述齒輪(915)通過安裝軸(916)轉(zhuǎn)動連接在加工箱體(1)內(nèi)部,所述齒輪(915)的齒槽與齒條(914)的齒槽相嚙合,所述高壓噴頭(912)銅鼓支架(911)與齒條(914)固定連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅鑄錠硅片清洗設(shè)備,其特征在于:所述支腿(10)設(shè)

有四個,四個所述支腿(10)分別設(shè)置在加工箱體(1)下端面四個棱角處。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅鑄錠硅片清洗設(shè)備,其特征在于:所述加工箱體

(1)前端面鉸接有箱門(11),箱門(11)中間位置設(shè)置有透明觀察窗(13),箱門(11)前端面上側(cè)設(shè)置有把手(12)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅鑄錠硅片清洗設(shè)備,其特征在于:所述泵體(8)通

過軟管與高壓噴頭(912)連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅鑄錠硅片清洗設(shè)備,其特征在于:所述內(nèi)箱(6)底

端面開設(shè)有漏孔(a)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅鑄錠硅片清洗設(shè)備,其特征在于:所述集水槽(7)

內(nèi)部設(shè)置有過濾網(wǎng),且過濾網(wǎng)為雙層結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅鑄錠硅片清洗設(shè)備,其特征在于:兩個所述安裝軸

(916)之間通過同步帶傳動連接,且安裝軸(916)與電機(jī)二(92)的輸出端傳動連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅鑄錠硅片清洗設(shè)備,其特征在于:所述拋光軸(3)

設(shè)有若干個,若干個所述拋光軸(3)呈環(huán)形等距排布于轉(zhuǎn)軸(5)環(huán)形側(cè)面。

多晶硅鑄錠硅片清洗設(shè)備?

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多晶硅鑄錠硅片清洗設(shè)備?

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多晶硅鑄錠硅片清洗設(shè)備?

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多晶硅鑄錠硅片清洗設(shè)備?

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1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖;

2為本發(fā)明的外部結(jié)構(gòu)示意圖;

3為本發(fā)明中升降機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖;

4為本發(fā)明中升清洗機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記中:1.加工箱體;2.升降機(jī)構(gòu);3.拋光軸;4.驅(qū)動機(jī);5.轉(zhuǎn)軸;6.內(nèi)箱;7.集水槽;8.泵體;9.清洗機(jī)構(gòu);10.支腿;11.箱門;12.把手;13.透明觀察窗;21.電機(jī)一22.滑輪;23.傳動軸;24.繩索;91.輔助清潔組件;92.電機(jī)二;911.支架;912.高壓噴頭;913.滑塊;914.齒條;915.齒輪;916.安裝軸。

多晶硅鑄錠硅片清洗設(shè)備,包括裝置主體、升降機(jī)構(gòu)2和清洗機(jī)構(gòu)9,裝置主體包括加工箱體1、拋光軸3、驅(qū)動機(jī)4、轉(zhuǎn)軸5、內(nèi)箱6、集水槽7、泵體8和支腿10,支腿10設(shè)置在加工箱體1下端面,驅(qū)動機(jī)4設(shè)置在加工箱體1頂端面中間位置,轉(zhuǎn)軸5轉(zhuǎn)動連接在加工箱體1內(nèi)部,且與驅(qū)動機(jī)4的輸出端傳動連接,拋光軸3設(shè)置在轉(zhuǎn)軸5上,集水槽7設(shè)置在加工箱體1內(nèi)部底端面,內(nèi)箱6位于集水槽7上方。

升降機(jī)構(gòu)2設(shè)置在加工箱體1內(nèi)部上側(cè),升降機(jī)構(gòu)2包括電機(jī)一21、滑輪22、傳動軸23和繩索24,傳動軸23轉(zhuǎn)動連接在加工箱體1內(nèi)部靠上部位,滑輪22設(shè)有兩個,兩個滑輪22對稱轉(zhuǎn)動連接在傳動軸23上,滑輪22通過繩索24與內(nèi)箱6固定連接,傳動軸23與電機(jī)一21的輸出端傳動連接。

清洗機(jī)構(gòu)9包括輔助清潔組件91和電機(jī)二92,電機(jī)二92設(shè)置在加工箱體1底端面,輔助清潔組件91設(shè)有兩個,兩個輔助清潔組件91對稱設(shè)置在加工箱體1內(nèi)部,輔助清潔組件91包括支架911、高壓噴頭912、滑塊913、齒條914、齒輪915和安裝軸916,齒條914通過滑塊913滑動連接在加工箱體1內(nèi)部,齒輪915通過安裝軸916轉(zhuǎn)動連接在加工箱體1內(nèi)部,齒輪915的齒槽與齒條914的齒槽相嚙合,高壓噴頭912銅鼓支架911與齒條914固定連接,本發(fā)明結(jié)構(gòu)優(yōu)良,設(shè)計合理,操作簡便,消除拋光死角,拋光清洗二合一,具有廣泛地應(yīng)用前景,創(chuàng)造性強(qiáng)。

支腿10設(shè)有四個,四個支腿10分別設(shè)置在加工箱體1下端面四個棱角處,加工箱體1前端面鉸接有箱門11,箱門11中間位置設(shè)置有透明觀察窗13,箱門11前端面上側(cè)設(shè)置有把手12,泵體8通過軟管與高壓噴頭912連接,內(nèi)箱6底端面開設(shè)有漏孔a,集水槽7內(nèi)部設(shè)置有過濾網(wǎng),且過濾網(wǎng)為雙層結(jié)構(gòu),兩個安裝軸916之間通過同步帶傳動連接,且安裝軸916與電機(jī)二92的輸出端傳動連接,拋光軸3設(shè)有若干個,若干個拋光軸3呈環(huán)形等距排布于轉(zhuǎn)軸5環(huán)形側(cè)面。

本發(fā)明在工作時:將硅片物料投入內(nèi)箱6,運(yùn)行電機(jī)一21,電機(jī)一21的輸出端轉(zhuǎn)動帶動傳動軸23轉(zhuǎn)動,傳動軸23帶動滑輪22轉(zhuǎn)動,滑輪22通過繩索24拉動內(nèi)箱6向上移動,使拋光軸3進(jìn)入內(nèi)箱6內(nèi)部,運(yùn)行驅(qū)動機(jī)4,驅(qū)動機(jī)4的輸出端轉(zhuǎn)動帶動轉(zhuǎn)軸5轉(zhuǎn)動,轉(zhuǎn)軸5帶動拋光軸3轉(zhuǎn)動,拋光軸3對硅片物料進(jìn)行拋光操作,拋光完畢后,反向運(yùn)行電機(jī)一21,同理,使內(nèi)箱6在加工箱體1內(nèi)向下移動,并與集水槽7相接觸,運(yùn)行電機(jī)二92,電機(jī)二92的輸出端轉(zhuǎn)動帶動安裝軸916轉(zhuǎn)動,安裝軸916帶動齒輪915轉(zhuǎn)動,齒輪915帶動齒條914移動,兩個齒條914做相向運(yùn)動,帶動噴頭向內(nèi)向移動至內(nèi)箱6上側(cè),泵體8將水輸送至高壓噴頭912,高壓噴頭912對硅片物料進(jìn)行清洗操作,多余的水經(jīng)過漏孔a向下流動,并過濾后,進(jìn)入集水槽7底部,以供循環(huán)利用,節(jié)約水資源,從而解決了傳統(tǒng)的硅片加工,清洗設(shè)備和拋光設(shè)備屬于兩種設(shè)備,先后加工,延長了加工的時間,設(shè)備間的配合度較低,且拋光過程中,加工箱體1位置固定,拋光會留有死角,導(dǎo)致拋光不徹底的問題。

以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn),對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言,顯然本發(fā)明不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié),而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下,能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。因此,無論從哪一點(diǎn)來看,均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定,因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。

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