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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計,微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J皆O(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J?#160;設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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水輔助激光刻蝕氧鋁陶瓷的研究

時間: 2021-04-12
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1 水下激光傳輸特性:

圖1是純凈水對不同波長激光吸收的曲線[9]。橫坐標(biāo)為激光的波長,縱坐標(biāo)為吸收長度,吸收長度即激光被完全吸收所穿過的溶液長度。

水輔助激光刻蝕氧鋁陶瓷的研究?

當(dāng)激光射入水中時,水會吸收一部分激光而造成其能量的衰減,這可以由Lambert-Beer定律計算得到[10]:

Ix(λ)=I0(λ)exp[-μ(λ)x]

(1)式中,I0(λ)為傳輸前的激光初始輻照度,Ix(λ)為在液體中傳輸路程為x后的激光輻照度;μ(λ)為光束衰減系數(shù),表示激光傳輸1m距離后能量衰減的對數(shù)值(自然對數(shù)),單位是m-1。Δ=1/μ(λ),Δ為

激光在溶液中的吸收長度,即激光被完全吸收穿過的溶液長度,則Beer-Lambert法則還可寫為:

水輔助激光刻蝕氧鋁陶瓷的研究?

(2)由(2)式可以方便地估算出不同水深激光的衰減比例。從圖1中可以看出,對不同波長的激光,水的吸收長度Δ不同。對355nm紫外光的吸收長度約為5m,本文中采用的水深為5mm,此時紫外激光被吸收了約0.1%。相對于其它多數(shù)波長水對紫外激光的吸收率較小,因此紫外激光較適合做水下激光加工的光源。

2 實驗研究

2.1 實驗材料和設(shè)備

實驗中采用的激光加工設(shè)備為多功能紫外激光微加工系統(tǒng)。紫外激光加工系統(tǒng)主要由激光器、冷卻系統(tǒng)、紫外光學(xué)系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、CCD定位系統(tǒng)和機(jī)械系統(tǒng)構(gòu)成。激光器是美國OPTOWAVE(光波)公司的AWave355系列355nm三倍頻全固態(tài)調(diào)Q紫外激光器,可以輸出納秒脈沖或者連續(xù)紫外波長,激光光斑為TEM00模式,光束質(zhì)量因子M2<1.1。激光平均功率為0W~10W,脈沖寬度為10ns~40ns,重復(fù)頻率為10kHz~100kHz,出口光斑0.85mm,經(jīng)透鏡聚焦后的焦點(diǎn)光斑直徑約為10μm。使用振鏡掃描配合加工平臺X-Y-Z3維運(yùn)動方式,加工平面尺寸可達(dá)460mm×310mm。加工系統(tǒng)示意圖如圖2

所示。實驗中所用材料為含氧化鋁質(zhì)量分?jǐn)?shù)大于0.96的陶瓷片,厚度為0.5mm,導(dǎo)熱系數(shù)為25W/(m?K),絕緣強(qiáng)度為12kV/mm。

水輔助激光刻蝕氧鋁陶瓷的研究?

2.2 實驗研究內(nèi)容與方案

實驗主要研究在空氣中與水中刻蝕加工后氧化鋁陶瓷片的表面形貌以及激光主要參量對水下和空氣中刻蝕深度和質(zhì)量的影響規(guī)律??涛g圖形為1mm×0.5mm的矩形槽,采用線填充掃描加工,填充掃描線間距固定為5μm,激光聚焦平面位于氧化鋁陶瓷片表面上。在空氣中加工只需將氧化鋁陶瓷樣品放在加工平臺上直接按設(shè)定參量進(jìn)行加工,

如圖3a所示。而水輔助刻蝕加工需要燒杯及固定裝置,加工樣品放置如圖3b所示??涛g結(jié)果采用Dektak150探針式臺階儀進(jìn)行檢測,得出刻蝕深度以及粗糙度數(shù)據(jù)信息。采用維視圖像光電成像顯微鏡和Quanta200掃描電子顯微鏡進(jìn)行刻蝕區(qū)域表面微觀形貌的觀察與分析。

水輔助激光刻蝕氧鋁陶瓷的研究?

????3實驗結(jié)果:

本文中分別對激光刻蝕參量在水下和空氣中刻蝕氧化鋁陶瓷的深度影響規(guī)律進(jìn)行了研究(如圖4所示)。主要的研究的參量有:水下光程、激光的脈沖能量密度、重復(fù)頻率和掃描速率。實驗中研究水下與空氣中加工對比時保證除了水的因素外其它參量完全一致。實驗中設(shè)定的參量變化范圍如下:水下光程為2mm~12mm;激光重復(fù)頻率為30kHz~100kHz;激光脈沖能量密度為48.0J/cm2~85.5J/

cm2;激光掃描速率為40mm/s~180mm/s。得到的數(shù)據(jù)曲線如圖4所示。由圖4a可知,在激光脈沖能量密度為78.5J/cm2、掃描速率為100mm/s和頻率為60kHz的條件下,刻蝕深度隨著水下光程的增加呈現(xiàn)下降的趨勢,這是因為水對激光的吸收作用所致。由第一部分的介紹可知,水下光程越大,激光損耗越大,而且水的散射作用也更加明顯,因此刻蝕去除便會降低。當(dāng)水下光程為5mm不變時,無論水下和空氣中,激光刻蝕深度隨著激光脈沖能量密度的增加而增加(見圖4b),隨著激光重復(fù)頻率的上升而下降(見圖4c),隨著掃描速率的增加而下降(見圖4c)。

顯然,激光脈沖能量密度的增加會使材料的去除率增加,而重復(fù)頻率增加會使激光的峰值功率下降導(dǎo)致刻蝕深度下降緣故,掃描速率的增加造成材料表面單位面積作

用的激光脈沖數(shù)下降,去除效率也會下降。從對比實驗結(jié)果可知,在相同的激光刻蝕參量條件下,水下刻蝕的深度要比在空氣中刻蝕要大,如圖4b~圖4d中曲線對比所示。

利用顯微鏡和掃描電鏡分別對空氣中和水中的刻蝕樣品進(jìn)行微觀形貌觀察,二者的對比照片如圖5和圖6所示。圖5中分別給出激光脈沖能量密度78.5J/cm2、掃描速率100mm/s和頻率60kHz條件下,在空氣中(見圖5a)和在水深5mm(見圖5b)時進(jìn)行激光刻蝕氧化鋁陶瓷結(jié)果顯微照片。從圖5a中可以明顯地發(fā)現(xiàn)加工區(qū)域出現(xiàn)發(fā)黑現(xiàn)象,且有較嚴(yán)重的殘渣重凝層。而在圖5b中則基本上沒有變

色和殘渣重凝現(xiàn)象。圖6為空氣中和水下激光刻蝕樣品的掃描電鏡照片。在圖6a中可以明顯地發(fā)現(xiàn)刻蝕底面較為粗糙,刻蝕痕跡明顯,有較多的殘渣重凝層。而在圖6b中的刻蝕底表面相對平整,無明顯刻蝕痕跡和殘渣重凝層。對圖6中樣品分別進(jìn)行粗糙度的檢測發(fā)現(xiàn),空氣中直接刻蝕后陶瓷表面平均粗糙度為7.53μm,而水下刻蝕的平均粗糙度為3.25μm。3 實驗分析3.1 激光刻蝕氧化鋁陶瓷機(jī)理分析激光加工中材料的去除機(jī)制隨著激光波長的不同而有所不同。當(dāng)激光波長較長時,由于光子能量較低,與材料相互作用機(jī)理是光熱作用,材料吸收激光光子能量后轉(zhuǎn)化為熱能而被熔化甚至汽化,通過激光脈沖本身壓力和材料汽化蒸發(fā)產(chǎn)生的反作用力來達(dá)到去除的目的。當(dāng)激光波長較短時,在一定的條件下可以發(fā)生光化學(xué)作用。當(dāng)光化學(xué)作用發(fā)生時,材料被去除機(jī)制是由激光直接破壞材料結(jié)合的分子鍵來實現(xiàn)。對于氧化鋁陶瓷來說,其分子鍵為共價鍵,鍵能值約為9.1eV,屬于絕緣體材料,而355nm紫外激光所放出的光子能量可由下式得出:

水輔助激光刻蝕氧鋁陶瓷的研究?

水輔助激光刻蝕氧鋁陶瓷的研究?

(3)式中,E為單光子能量,h為普朗克常數(shù),c為光在真空中的傳播速度,λ為激光的波長,ν為激光的頻率。將紫外激光波長355nm代入(3)式可知,紫外激光光子能量約為3.5eV。顯然,紫外激光單光子能量小于氧化鋁陶瓷的分子鍵能,不能直接破壞材料結(jié)合的分子鍵,理論上單個光子是不能發(fā)生光化學(xué)作用的。但BRANNON指出[11],寬能帶的材料可能因為材料摻雜和自身缺陷的存在,在原來無法停留電子的能帶中產(chǎn)生新的能帶結(jié)構(gòu)。這種新的能帶一般出現(xiàn)在靠近常規(guī)能帶的中間位值。其作用就如同在單晶硅中摻雜硼或磷充當(dāng)受體,來幫助價電子吸收光子能量,從而激發(fā)到存在能帶中的“缺陷能帶”中做短暫停留,隨即再吸收第2個光子的能量,然后躍遷到導(dǎo)帶。這種因為吸收兩個以上的光子能量才能發(fā)生的反應(yīng),稱為“多光子吸收”。在多光子吸收過程中,材料分子必須同時或連續(xù)吸收多個光子才能發(fā)生斷裂。通常多光子現(xiàn)象是觀察不到的,只有當(dāng)激光脈沖的功率密度足夠大時(I>106W/cm2),才可能出現(xiàn)比較明顯的多光子吸收現(xiàn)象[12]。

本文中使用的紫外激光器功率可達(dá)10W,其光斑直徑約為10μm,其平均最大脈沖功率密度可達(dá)1.3×107W/cm2,峰值功率密度還要更高。故當(dāng)紫外激光

作用于氧化鋁陶瓷表面時,滿足產(chǎn)生多光子吸收條件,可以發(fā)生光化學(xué)作用實現(xiàn)材料的去蝕。3.2 水輔助激光刻蝕與空氣中直接刻蝕對比分析通過前面分析可知,紫外激光可以通過“多光子吸收”產(chǎn)生光化學(xué)作用實現(xiàn)材料的去除。然而在實際加工過程中,由于高功率密度激光的照射,在空氣中直接刻蝕時材料表面的溫度迅速升高,材料發(fā)生熔化或者氣化,此時材料主要實現(xiàn)的是光熱作用去除。有研究指出,氧化鋁陶瓷材料在2050K~2980K的熔化過程會引起氧化鋁陶瓷的晶相變化,形成黑色的變質(zhì)層,并通過晶相分析可知,黑色變質(zhì)層以α-Al2O3和γ-Al2O3混合相為主[13]。

因此在空氣中直接加工氧化鋁陶瓷會由于陶瓷相變而產(chǎn)生發(fā)黑變質(zhì)的現(xiàn)象,并且重凝層較為明顯,如圖5a所示。在水下進(jìn)行刻蝕加工時,由物理學(xué)相關(guān)知識可知,水的比熱遠(yuǎn)大于陶瓷材料,因此,水下加工時由于水的冷卻作用而使陶瓷材料表面的溫度很難達(dá)到其熔

點(diǎn),此時材料的去除方式應(yīng)以光化學(xué)作用去除為主。此外,由于陶瓷在較低的溫度時難以發(fā)生相變,因而發(fā)黑變質(zhì)現(xiàn)象也就可以避免(見圖5b)。同時,當(dāng)激光在水下與材料相互作用時,會產(chǎn)生“空泡”這一物理現(xiàn)象。如果空泡周圍存在固體壁面,那么在潰滅

階段還會形成指向靶面的高速射流。該高速射流所產(chǎn)生的沖擊力往往可達(dá)到兆帕的數(shù)量級

[14]。由于空泡的產(chǎn)生與破裂,形成對材料基體的強(qiáng)沖擊作用,使因激光作用去蝕的材料迅速脫離,因此,提高了激光刻蝕深度,并且由于水的阻礙作用使去蝕后的材料無法重新黏附在基體表面,這樣既保證了刻蝕后的陶瓷表面不受殘渣重凝的影響,又可以加快材料的去蝕速率。

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