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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為L(zhǎng)ED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡(jiǎn)便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽(yáng)極和電力線擋板組成的陽(yáng)極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場(chǎng)不均問(wèn)題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來(lái)的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場(chǎng)環(huán)境。通過(guò)進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場(chǎng)。從而通過(guò)改變流場(chǎng)的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過(guò)技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái),可同Run 50片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過(guò)20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無(wú)刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染l 不銹鋼N2過(guò)濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開(kāi)關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂(lè)故障碼功能: 門(mén)鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng):?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對(duì)應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問(wèn)題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類(lèi)):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過(guò)濾器:配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類(lèi)采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類(lèi)  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時(shí)間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類(lèi)):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過(guò)濾器:配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類(lèi)采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化...
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步進(jìn)掃描光刻機(jī)整機(jī)集成工藝方案設(shè)計(jì)

時(shí)間: 2021-04-09
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步進(jìn)掃描光刻機(jī)整機(jī)集成工藝方案設(shè)計(jì)

分系統(tǒng)集成工藝方案設(shè)計(jì)

分系統(tǒng)集成工藝方案設(shè)計(jì)包含布局與接口分析、集成與檢測(cè)方案規(guī)劃、集成工具工裝需求規(guī)劃、集成步驟規(guī)劃等。布局與接口分析:主要是分析分系統(tǒng)在整機(jī)中的布局、接口的形式、定位方式等;集成與檢測(cè)方案規(guī)劃:主要是分析集成指標(biāo),結(jié)合布局與接口形式規(guī)劃集成方案及檢測(cè)方法,如指標(biāo)無(wú)法直接實(shí)現(xiàn),還需要進(jìn)行裝配尺寸鏈分解;集成工具工裝需求規(guī)劃:根據(jù)集成和檢測(cè)方案,選擇適用的工具/檢具,如需要設(shè)計(jì)專用工裝輔助集成或檢測(cè)的,則需給出工裝設(shè)計(jì)方案及其指標(biāo)需求;集成步驟規(guī)劃:制定分系統(tǒng)集成到整機(jī)上的集成步驟。步進(jìn)掃描光刻機(jī)集成工藝方案非常復(fù)雜,下文將通過(guò)幾個(gè)分系統(tǒng)案例,闡述集成工藝方案的設(shè)計(jì)過(guò)程。

調(diào)焦調(diào)平分系統(tǒng)

調(diào)焦調(diào)平分系統(tǒng)安裝在主基板下方,物鏡安裝在主基板上方,結(jié)構(gòu)布局如圖1所示。根據(jù)整機(jī)測(cè)校流程,調(diào)焦調(diào)平分系統(tǒng)在物鏡曝光過(guò)程中實(shí)時(shí)調(diào)平調(diào)焦,因此,要求調(diào)焦調(diào)平焦面與像面的垂向集成誤差不能超過(guò)調(diào)焦調(diào)平的焦深范

圍。步進(jìn)掃描光刻機(jī)所選用的調(diào)焦調(diào)平分系統(tǒng)焦深范圍非常小,是微米級(jí)別的。由此,調(diào)焦調(diào)平集成方案規(guī)劃需解決以下幾方面的問(wèn)題:1、調(diào)焦調(diào)平焦面和像面都是光學(xué)面,相互為基準(zhǔn)集成,集成階段如何去確定這兩個(gè)光學(xué)面的位置;

步進(jìn)掃描光刻機(jī)整機(jī)集成工藝方案設(shè)計(jì)?

1調(diào)焦調(diào)平分系統(tǒng)機(jī)構(gòu)布局

2、指標(biāo)是微米級(jí)別的,常規(guī)的測(cè)量方法達(dá)不到這個(gè)級(jí)別的測(cè)量精度,該選用什么樣的測(cè)量?jī)x器;

3、在線集成空間小,選用的測(cè)量方法如何滿足空間要求;

4、指標(biāo)是微米級(jí)別的,可測(cè)量,還需可調(diào)整,調(diào)整結(jié)構(gòu)必須有高于指標(biāo)的調(diào)整分辨率才能最終實(shí)現(xiàn)指標(biāo)?;谏鲜龅膯?wèn)題,我們逐個(gè)分析展開(kāi):

1、確定調(diào)焦調(diào)平焦面和像面兩個(gè)光學(xué)面的位置。由于調(diào)焦調(diào)平焦面和像面是兩個(gè)光學(xué)面,位置無(wú)法直接可見(jiàn),不利于測(cè)量,那么首先需要解決可見(jiàn)可測(cè)問(wèn)題。因此考慮引入一個(gè)可見(jiàn)可測(cè)的面作為第三方基準(zhǔn),如果調(diào)焦調(diào)平焦面和像面分別可根據(jù)這個(gè)第三方基準(zhǔn)集成,那么問(wèn)題就可解決。由此,引入了第三方基準(zhǔn)面,即圖1中基準(zhǔn)A。接下來(lái)解決調(diào)焦調(diào)平焦面相對(duì)于基準(zhǔn)A面的可集成性。根據(jù)調(diào)焦調(diào)平性能可知,如果提供一個(gè)光學(xué)鏡面,那么調(diào)焦調(diào)平分系統(tǒng)可基于這個(gè)鏡面進(jìn)行調(diào)整,并可測(cè)出其焦面相對(duì)于鏡面的位置偏差,因此,只要我們引入的這個(gè)基準(zhǔn)面是光學(xué)鏡面即可。至于像面,它和調(diào)焦調(diào)平焦面不同,不能采用同樣的方式解決問(wèn)題。通過(guò)分析發(fā)現(xiàn),物鏡像面可以和其機(jī)械面/光學(xué)鏡片面建立關(guān)系,由此我們對(duì)物鏡提出了設(shè)計(jì)需求:在物鏡底部提供一個(gè)光學(xué)鏡面B面,作為物鏡的間接基準(zhǔn),即圖1中基準(zhǔn)B。

這樣我們就把調(diào)焦調(diào)平焦面和像面通過(guò)兩個(gè)間接基準(zhǔn)A面和B面給實(shí)體化了,至于兩個(gè)光學(xué)鏡面間的尺寸測(cè)量可選用光學(xué)檢測(cè)的方法實(shí)現(xiàn)。由于集成指標(biāo)是通過(guò)引入的幾個(gè)基準(zhǔn)間接實(shí)現(xiàn),因此需要進(jìn)行裝配尺寸鏈分解,定義各組成環(huán)的集成要求。這個(gè)尺寸鏈的組成環(huán)為:調(diào)焦調(diào)平焦面相對(duì)于A面、像面相對(duì)于B面、A面相對(duì)于B面,它們的累積誤差需小于調(diào)焦調(diào)平焦面相對(duì)于像面間的指標(biāo)需求。

2、測(cè)量?jī)x器選型

這個(gè)測(cè)量?jī)x器需滿足以下幾個(gè)條件:

1)測(cè)量精度微米級(jí)以上;

2)可用于光學(xué)鏡面間的測(cè)量;

3)可滿足測(cè)量空間要求。

經(jīng)過(guò)選型,測(cè)厚儀可實(shí)現(xiàn)上述所有需求,測(cè)量精度1微米。

3、如何調(diào)整來(lái)實(shí)現(xiàn)精度這個(gè)就需要給設(shè)計(jì)提需求:

1)要求調(diào)焦調(diào)平和物鏡兩個(gè)分系統(tǒng)提供可調(diào)整結(jié)構(gòu),調(diào)整分辨率高于微米級(jí);

2)調(diào)整結(jié)構(gòu)在物鏡和調(diào)焦調(diào)平整機(jī)集成階段具有可操作空間,且使用簡(jiǎn)便。通過(guò)上述的方案設(shè)計(jì),我們最終確定了調(diào)焦調(diào)平分系統(tǒng)集成指標(biāo)的實(shí)現(xiàn)方案。

零位傳感器

零位傳感器由PSD和角錐鏡兩個(gè)部分組成,共3組。PSD部分安裝在主基板下方,角錐鏡安裝在工件臺(tái)chuck上,結(jié)構(gòu)布局如圖2所示。

步進(jìn)掃描光刻機(jī)整機(jī)集成工藝方案設(shè)計(jì)?

2零位傳感器結(jié)構(gòu)布局

要求PSD相對(duì)于角錐鏡的集成精度為微米級(jí),3組精度同時(shí)保證,可直接用零位傳感器作為測(cè)量?jī)x器測(cè)量。雖然零位傳感器的集成精度可直接測(cè)量,但工件臺(tái)集成后,PSD和角錐鏡之間距離小于20mm,缺少必要的調(diào)整空間,沒(méi)法調(diào),指標(biāo)就無(wú)法實(shí)現(xiàn)?;谶@種情況,在線直接裝調(diào)的方案被排除了。由于集成精度是微米級(jí)別的,所以離線集成方式也被排除。最后,考慮到影響集成空間的是工件臺(tái)本體,那么裝調(diào)零位傳感器時(shí)若只用chuck,工件臺(tái)本體不安裝,用一個(gè)工裝去模擬工件臺(tái)支撐chuck,這個(gè)集成空間問(wèn)題是否可被解決,經(jīng)分析和評(píng)估,方案可行。調(diào)整完成后,再將chuck重新安裝到工件臺(tái)上。后續(xù)測(cè)校過(guò)程中,只要chuck能找到PSD和chuck上角錐鏡配作調(diào)整的位置,就能實(shí)現(xiàn)零位對(duì)準(zhǔn)。

掩模臺(tái)分系統(tǒng):

掩模臺(tái)分系統(tǒng)安裝在整機(jī)框架的掩模臺(tái)支架上,掩模臺(tái)的結(jié)構(gòu)布局如圖3所示。

步進(jìn)掃描光刻機(jī)整機(jī)集成工藝方案設(shè)計(jì)?

3掩模臺(tái)結(jié)構(gòu)布局簡(jiǎn)圖

掩模臺(tái)和掩模臺(tái)支架通過(guò)一面兩銷(xiāo)定位,集成指標(biāo)的實(shí)現(xiàn)不需要調(diào)整和檢測(cè),安裝到位即可。掩模臺(tái)集成需要重點(diǎn)關(guān)注的是:

1、?因照明系統(tǒng)空間位置的約束,掩模臺(tái)集成能吊運(yùn),只能通過(guò)移入移出機(jī)構(gòu)將其移至集成工位;

2、掩模臺(tái)重1.2t,提升行程>1.7m;

3、掩模臺(tái)從工裝上向移入移出機(jī)構(gòu)工位交接時(shí),接口需對(duì)準(zhǔn),重載、高位的對(duì)準(zhǔn),如何保證操作便捷、安全;

4、掩模臺(tái)從移入移出機(jī)構(gòu)向掩模臺(tái)支架工位交接時(shí),接口需對(duì)準(zhǔn),同樣如何保證操作便捷、安全。上述這些都需要工裝設(shè)計(jì)時(shí)重點(diǎn)關(guān)注的。工裝的需求分析,通常需要詳細(xì)梳理集成步驟,再根據(jù)各集成步驟,提出工裝需求,下面將梳理掩模臺(tái)的安裝步驟,以及分析每個(gè)步驟的工裝需求:

步進(jìn)掃描光刻機(jī)整機(jī)集成工藝方案設(shè)計(jì)?

綜合上述的分析結(jié)果,就可以給出合理的工裝需求。

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