VDMOS生產(chǎn)工藝

基本結(jié)構(gòu)：

?n+襯底，漏極D

?n-外延層，漂移區(qū)

?p阱（又叫p基區(qū)或體區(qū)）

?n+源區(qū)，源極S

?多晶硅柵，柵氧層，柵極G

整個(gè)器件的構(gòu)成：

?前述結(jié)構(gòu)實(shí)際只是器件的一個(gè)元胞，整個(gè)器件實(shí)際是由很多這樣的元胞并聯(lián)而成的

?剖面圖

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立體圖：

?

1、?原始硅片磨拋：原始硅片磨去40μm，拋光80μm

N+<100>535μm

2、清洗，并且用顯微鏡檢查表面

3、外延生長(zhǎng)N-：

ρ=20~30Ω·cm,d=45μm

4、清洗

5、氧化：dox=6500±250?，800℃-1000℃-800℃

6、一次版

7、腐蝕，去膠，清洗腐蝕：溫度25℃

8、P+擴(kuò)散預(yù)擴(kuò)：R□=80～100Ω/□

?700℃-940℃-700℃

主擴(kuò)：R□=150～180Ω/□

?800℃-1150℃-800℃

9、氧化

10、光刻：二次版反刻P+區(qū)，5000pm

11、腐蝕，(溫度25℃)t=8.1s

12、去膠清洗

13、柵氧化

?dox=1000-1100?

?作C-V檢查

?實(shí)測(cè)dox=1060-1050?

14、生長(zhǎng)多晶硅7000?±200?

15、?清洗

16、三次版：光刻P-區(qū)（多晶硅）三次版留下柵和互連的多晶硅（使多晶硅成為p型）

17、腐蝕多晶硅（P-區(qū)），干腐：9'50''

18、漂柵氧，（注意不要過(guò)漂，留下50～100?）（P-區(qū)內(nèi)）

19、硼注入（帶膠）

?60Kev1.7×1014/cm2＜15μA

20、正面涂膠（5000pm）

21、背面腐蝕多晶硅（干法）和SiO2

?干腐4'38''漂2'

22、?去膠清洗

23、P-推進(jìn)

?dox=1000?800-1150-800℃

23、?漂SiO2,擴(kuò)磷(N+),同時(shí)形成溝道,R□=6～7Ω/□,Xjn=1.1μ,Xjp=5μ,R□poly-Si≤30Ω/□

24、?漂磷硅玻璃（PSiO2）（去離子水HF）

26、氧化950℃

?5'干氧+20'濕氧+5'干氧

?dox=2100?

28、刻邊緣多晶硅（即刻場(chǎng)限制環(huán)上的多晶硅）5000pm

?接觸環(huán)上dox＞1000?合格

29、?腐蝕（先濕腐多晶硅上的SiO2）6'45'‘

30、去膠清洗3-3-1-2

?爐口烘800℃20'N2

31、光刻孔（源，柵）（刻引線孔）5000pm

32、蒸鋁：2.2μm

33、反刻Al5000rpm（刻電極）

34、合金

35、涂聚酰氬胺,氬胺化

36、背面金屬化：釩360?，鎳8000?，金1000?

37、測(cè)試

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