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濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為L(zhǎng)ED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡(jiǎn)便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽(yáng)極和電力線擋板組成的陽(yáng)極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場(chǎng)不均問(wèn)題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來(lái)的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場(chǎng)環(huán)境。通過(guò)進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場(chǎng)。從而通過(guò)改變流場(chǎng)的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過(guò)技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái),可同Run 50片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過(guò)20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無(wú)刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染l 不銹鋼N2過(guò)濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開(kāi)關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂(lè)故障碼功能: 門(mén)鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng):?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對(duì)應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問(wèn)題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動(dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過(guò)濾器:配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時(shí)間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過(guò)濾器:配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化...
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CAD工藝及設(shè)備技術(shù)

時(shí)間: 2021-04-09
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鉻和釩的摻雜

含鉻和釩的硬質(zhì)合金有很高的硬度及一定的韌性,其熱膨脹系數(shù)接近鋼。使用這些材料沉積擴(kuò)散涂層可獲得非常好的結(jié)合力。工業(yè)CAD工藝在中溫下,在油淬的碳鋼制零部件上沉積硬質(zhì)涂層,某些情況下會(huì)產(chǎn)生不一致的結(jié)合力。通過(guò)含cr或V的擴(kuò)散過(guò)渡層,工藝和結(jié)合力可得到很好的控制。圖1展示了結(jié)合力較差的涂層(見(jiàn)圖la)和通過(guò)Cr擴(kuò)散涂層獲得的結(jié)合力較好的涂層(見(jiàn)圖1b)。

CAD工藝及設(shè)備技術(shù)?

這些復(fù)合涂層的實(shí)現(xiàn)需要額外的前驅(qū)物質(zhì)及設(shè)施用于沉積工藝。在上例中,需要額外的發(fā)生器來(lái)產(chǎn)生揮發(fā)性的含Cr化合物——C尤l??冢薄T诖税l(fā)生

器中,不同的金屬(粒狀或碎屑狀)與氯氣或氯化氫進(jìn)行反應(yīng)。而此發(fā)生器的使用不應(yīng)將最終的cr或V殘留物帶人到后序的涂層中(如氧化鋁)。使用帶內(nèi)部金屬氯化物發(fā)生器的同一CAD設(shè)備,可沉積帶摻雜的CAD涂層,通過(guò)加入一定量的一種或幾種合金(如鉻、釩、鎢或鉈)來(lái)改善TiN,TiC或Ti(C,N)涂層性能。形成的涂層一般為(Til0Q“一。cr。V6w。)C,N,O:,其中戈+y+z=1,其機(jī)械性能(如硬度及韌性)與TiN,TiC和Ti(C,N)類似,但由于合金元素的存在,其抗腐蝕性能也得到改善。

3硼的添加

從早期的研究p1可知,在中溫Ti(C,N)中添加硼可改變Ti(C,N)典型的柱狀結(jié)構(gòu),獲得相當(dāng)高的硬度。在實(shí)際應(yīng)用中,由于其較高的內(nèi)部應(yīng)力及脆性,這種涂層僅限于非常薄的涂層。因此,通過(guò)改變多層CAD涂層的結(jié)構(gòu),從微米級(jí)到納米級(jí),從而改善涂層性能的研究已經(jīng)展開(kāi)。在短暫時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)精確控制三氯化硼的流量可獲得此納米涂層。單一涂層厚度從30nm到60nm的可重復(fù)多層涂層已經(jīng)可進(jìn)行沉積,在保持納米結(jié)構(gòu)情況下,總涂層厚度最高可達(dá)到101xm。CAD沉積的納米涂層SEM掃描電鏡照片見(jiàn)圖2。沉積非常厚的涂層時(shí),通常晶粒會(huì)變得粗大,表面會(huì)變得粗糙。這會(huì)降低刀具的使用壽命,涂層后拋光處理成本會(huì)有所增加。通過(guò)摻雜硼來(lái)改變結(jié)構(gòu),可獲得非常光滑和光亮的表面。圖3和圖4展示了單純沉積MT.TiCN涂層和通過(guò)改變多層涂層結(jié)構(gòu)而改進(jìn)結(jié)構(gòu)和表面形貌的對(duì)比。

CAD工藝及設(shè)備技術(shù)?

CAD工藝及設(shè)備技術(shù)?

4氧化鋁涂層

高溫改性氧化鋁應(yīng)該是防護(hù)涂層中應(yīng)用最成功的抗氧化材料。常見(jiàn)的應(yīng)用是在硬質(zhì)合金切削刀片上的氧化鋁涂層。不同金屬基體材料和真正陶瓷涂層之間良好的結(jié)合力僅能通過(guò)使用過(guò)渡層來(lái)獲得,此過(guò)渡層可實(shí)現(xiàn)以下功能:(1)補(bǔ)償氧化鋁(7—8術(shù)10—61/℃)和鐵素體鋼和馬氏體鋼(12%10—61/%)之間不同的熱膨脹;(2)保護(hù)金屬基體在沉積過(guò)程中被HCI和氧腐蝕;(3)避免因催化劑加強(qiáng)的金屬反應(yīng)f如co,Ni)而造成的不可控的須狀氧化鋁過(guò)度生長(zhǎng)j催化效應(yīng)在實(shí)際應(yīng)用中至關(guān)重要。含高co和

Cr的合金可用作醫(yī)療植入部件材料,這些合金展示了良好的生物兼容性和高機(jī)械強(qiáng)度,但是,摩擦性能并不理想,微小的磨損毛刺會(huì)產(chǎn)生有害的金屬離子。另一方面,塊狀氧化鋁植入件已在醫(yī)療領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,但在抗沖擊強(qiáng)度和復(fù)雜外形成形方面仍有一定的局限性。在Ti(C,N)和常規(guī)氧化鋁涂層沉積過(guò)渡層可獲得較好的機(jī)械性能和涂層表面形貌,但Ti(C,N).A1,0,過(guò)渡層易于結(jié)合失效。如圖6所示,可重復(fù)生產(chǎn)的涂層僅能在齒狀過(guò)渡層上獲得,齒狀過(guò)渡層能增大內(nèi)部擴(kuò)散面積并作為諸如機(jī)械互鎖增加結(jié)合力[4。

CAD工藝及設(shè)備技術(shù)?

相對(duì)于上述涂層系統(tǒng),一些難熔合金(如鈮、鉭)能直接在其表面沉積氧化鋁硬質(zhì)涂層(見(jiàn)圖7)。這為在含鈦過(guò)渡層為最薄弱環(huán)節(jié)的抗氧化性高溫應(yīng)用領(lǐng)域開(kāi)啟了新的應(yīng)用。和硬質(zhì)合金刀片的氧化鋁涂層類似,此類涂層也需要對(duì)表面進(jìn)行一定的特殊改性來(lái)獲得理想的氧化鋁結(jié)構(gòu)(d或K)。

CAD工藝及設(shè)備技術(shù)?

設(shè)備要求及工藝控制

當(dāng)有合適的工業(yè)涂層設(shè)備時(shí),上述所有工藝才能實(shí)現(xiàn)成功穩(wěn)定的生產(chǎn)??傊O(shè)備的使用者要求:(1)每爐保持相同的質(zhì)量(可重復(fù)性);()同一爐

內(nèi)涂層厚度和性能的均勻性;(3)可靈活沉積多層涂層,包括多層涂層、摻雜涂層、梯度涂層、高溫下氣相的監(jiān)控;(4)操作無(wú)問(wèn)題,維護(hù)簡(jiǎn)單;(5)嚴(yán)格符合安全、健康及環(huán)保要求。針對(duì)化學(xué)和熱處理工藝過(guò)程,CAD設(shè)備設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素如下:

物質(zhì)平衡:熱動(dòng)力學(xué)決定了反應(yīng)發(fā)生的條件。不同的涂層工藝,需要有一定量的前驅(qū)物。顯然,在一個(gè)有數(shù)平方米表面的大型成型模具上涂層和在一個(gè)有數(shù)平方米內(nèi)表面的過(guò)濾器上涂層是不同的。前驅(qū)物,室溫下的液體可使用現(xiàn)代化的液體質(zhì)量流量計(jì)而達(dá)到幾乎無(wú)限的體積量。特別是低氣相壓的氯化物

不僅需要較高的反應(yīng)器溫度,而且必須工作在可控負(fù)壓下以獲得足夠高的金屬氯化物濃度(見(jiàn)圖8)。

CAD工藝及設(shè)備技術(shù)?

進(jìn)入系統(tǒng)的前驅(qū)物數(shù)量也決定了副產(chǎn)品的量或過(guò)多的前驅(qū)物。傳質(zhì)可控CAD反應(yīng)會(huì)與過(guò)多的前驅(qū)物一同工作以便在整個(gè)反應(yīng)器內(nèi)維持理想的涂層均勻性。這會(huì)產(chǎn)生廢物管理,即副產(chǎn)品的處理,應(yīng)不致使下游的泵系統(tǒng)和壓力調(diào)節(jié)裝置堵塞。通常的方式是使用高效的冷凝捕捉器(見(jiàn)圖9)。

CAD工藝及設(shè)備技術(shù)?

動(dòng)力學(xué):確保整個(gè)反應(yīng)器內(nèi)涂層均勻性的最有效方法是改變停留時(shí)間(即物質(zhì)經(jīng)過(guò)經(jīng)加熱的沉積區(qū)的停留時(shí)間)。例如,短的停留時(shí)間可通過(guò)縮短反應(yīng)器內(nèi)距離實(shí)現(xiàn),如帶中央旋轉(zhuǎn)進(jìn)氣系統(tǒng)在管狀反應(yīng)器內(nèi),其停留時(shí)間可縮短5個(gè)因子。或在低壓下進(jìn)行沉積工藝,不同的真空系統(tǒng),停留時(shí)間可減少10—1000個(gè)因子。低壓的額外優(yōu)點(diǎn)是氣體分子的自由程在低壓下會(huì)增加,從而可提高盲孔和小開(kāi)孔內(nèi)涂層的均勻性以及更復(fù)雜刀具形狀涂層的能力。熱平衡:溫度的均勻性也非常重要。反應(yīng)器和需要涂層的零件的控制溫度通常是已知和可控的,主要的影響是工藝氣體的溫度很難測(cè)量。

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