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發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為L(zhǎng)ED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡(jiǎn)便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽(yáng)極和電力線擋板組成的陽(yáng)極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場(chǎng)不均問(wèn)題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來(lái)的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場(chǎng)環(huán)境。通過(guò)進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場(chǎng)。從而通過(guò)改變流場(chǎng)的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過(guò)技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái),可同Run 50片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過(guò)20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無(wú)刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染l 不銹鋼N2過(guò)濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開(kāi)關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂(lè)故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng):?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對(duì)應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問(wèn)題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過(guò)濾器:配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時(shí)間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過(guò)濾器:配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化...
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全自動(dòng)光刻版清洗機(jī)

時(shí)間: 2021-03-03
點(diǎn)擊次數(shù): 448

光刻是制造半導(dǎo)體器件和集成電路微圖形結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工藝,其工藝質(zhì)量直接影響著器件成品率、可靠性、器件性能以及使用壽命等參數(shù)指標(biāo)。光罩是光刻工藝中的一個(gè)重要環(huán)節(jié),光刻版必須非常潔凈,所有硅片上的電路元件都來(lái)自版圖。如果光刻版不潔凈,存在污染顆粒,這些顆粒就會(huì)被復(fù)制到硅片表面的光刻膠上,造成器件性能的下降。然而,光刻版在使用過(guò)程中不可避免的會(huì)粘上灰塵、光刻膠等污染物,這些污染物的存在直接影響到光刻的效果。

為了保證光刻版潔凈,必須定期對(duì)光刻版進(jìn)行清洗,而清洗的效果與清洗工藝以及各清洗工藝在設(shè)備上的合理配置有著密切的聯(lián)系。

本文對(duì)全自動(dòng)光刻版清洗機(jī)進(jìn)行了介紹,主要包括清洗的工藝原理和清洗的工作過(guò)程。

1工藝原理

1.1清洗藥液

1.1.1丙酮溶液

對(duì)于光刻膠及其他有機(jī)污染物,比較常見(jiàn)的方法是通過(guò)有機(jī)溶劑將其溶解的方法將其去除,例如利用丙酮浸泡光刻版,在浸泡的同時(shí),可以采用超聲,提高浸泡效果。對(duì)于比較干凈的光刻版,浸泡基本就能將有機(jī)污染物去除干凈。對(duì)于光刻膠較多的光刻版,浸泡只能將光刻膠泡軟,還需要用無(wú)塵布或無(wú)塵棉,蘸取丙酮輕輕擦洗,或在光刻版清洗設(shè)備中采用毛刷刷洗,通過(guò)外力將頑固的光刻膠去除掉。

1.1.2濃硫酸+雙氧水

濃硫酸加雙氧水的混合物,對(duì)于所有的有機(jī)材料都是有效的。它采用濃硫酸和過(guò)氧化氫的混合物,之后是去離子水(DI)沖洗,稱為Piranha刻蝕。這種方法對(duì)于特別難去除的光刻膠或由于接觸過(guò)高溫等環(huán)境導(dǎo)致已經(jīng)變性的光刻膠非常有效,并且可以得到很高的去膠效率。隨后的清潔即去除圖案化,檢查和修復(fù)任何殘留在光刻版表面的光刻膠或顆粒污染物。在最有效的工藝中,強(qiáng)氧化劑清洗之后是氫氧化銨噴霧,以抵消殘留酸(從而形成硫酸銨,一種易去除的鹽);然后用去離子水沖洗以消除硫酸銨。

1.1.3其他藥液

由于用戶的工藝環(huán)境、工藝方法不同,所使用的藥液也不盡相同,很多用戶都根據(jù)自己工藝特點(diǎn),設(shè)計(jì)了滿足自身工藝需求的清洗藥液。另外,科研工作者正積極探索新型光刻版清洗藥液。

1.2清洗方式

1.2.1毛刷刷洗

利用毛刷對(duì)光刻版進(jìn)行刷洗,通過(guò)機(jī)械摩擦,用外力將頑固的光刻膠去除掉,可以達(dá)到很好的清洗效果。毛刷材料為PVA或尼龍。毛刷進(jìn)行刷洗時(shí),卡盤承載光刻版以角速度ω1勻速旋轉(zhuǎn),安裝有毛刷的擺臂下降,使毛刷接觸到光刻版表面,并具有一定壓力,然后擺臂以角速度ω2勻速往復(fù)擺動(dòng)。噴嘴向光刻版表面噴灑丙酮等化學(xué)液,使得光刻膠由于溶解而變得松軟。光刻版與毛刷產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng),對(duì)光刻版表面起到刷洗作用。毛刷刷洗通常有兩種方式:方式一如圖1所示,利用常規(guī)毛刷對(duì)光刻版進(jìn)行刷洗;方式二如圖2所示,利用滾柱毛刷對(duì)光刻版進(jìn)行刷洗。

全自動(dòng)光刻版清洗機(jī)?

1.2.2高壓沖洗

刷洗完成后,通常采用高壓DI水沖洗光刻版,通過(guò)高壓微細(xì)水滴的沖擊力去除仍然吸附在光刻版表面的剩余光刻膠。高壓DI水的壓力可以設(shè)定。

1.2.3兆聲清洗

對(duì)于較大顆粒的去除,前面所述的有機(jī)溶劑去膠方式和氧化劑氧化方式都會(huì)緊接著用DI水沖洗或輔助高壓水沖洗,大顆粒已經(jīng)去除干凈。對(duì)于較小顆粒[(0.20.5)μm],由于光刻版表面靜流層(Viscousboundarylayer)的存在,普通的DI水沖洗的方式無(wú)法將其去除。通常采用在DI水中加兆聲的方式,利用兆聲產(chǎn)生高速水分子流動(dòng),清洗微小顆粒。利用兆聲噴頭對(duì)光刻版進(jìn)行清洗的原理如圖3所示。兆聲噴頭噴灑的水柱與光刻版具有一定傾斜角度θ,以達(dá)到最佳的清洗效果。在利用兆聲清洗時(shí),卡盤承載光刻版以角速度ω1勻速旋轉(zhuǎn),安裝有兆聲噴頭的擺臂下降,使兆聲噴頭接近到光刻版表面,并具有一定距離,然后擺臂以角速度ω2勻速往復(fù)擺動(dòng),兆聲噴嘴向光刻版表面噴灑DI水溶液。

全自動(dòng)光刻版清洗機(jī)?

1.3干燥方式

在手工清洗工藝中,一般采用氮?dú)鈬姌寣⒐饪贪娲蹈?,這種方式受人為因素影響大,人手接觸光刻版時(shí)可能將其再次污染,氮?dú)鈬姌屖褂貌划?dāng)導(dǎo)致液體飛濺,易在光刻版表面殘留水漬。目前比較成熟的干燥方式是在單片旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備上采用高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力將光刻版甩干,在這個(gè)過(guò)程中可以采用氮?dú)鈬婎^提高干燥速度。若仍需要提高效率,氮?dú)庖部梢圆捎眉訜岬姆绞交虻獨(dú)鈬婎^在光刻版表面做掃描運(yùn)動(dòng)。

2工作過(guò)程

2.1設(shè)備結(jié)構(gòu)介紹

包括上下料單元、清洗單元、翻轉(zhuǎn)單元、光刻版?zhèn)鬏攩卧?、定位單元、藥液供給與循環(huán)單元和溫度控制單元等幾個(gè)模塊??梢詥纹謩?dòng)工作模式的運(yùn)行,也可以自動(dòng)批量處理。

2.1.1上下料單元

包括片盒A和片盒B,用于承載待清洗和已經(jīng)清洗的光刻版。光刻版?zhèn)鬏攩卧獜纳舷铝蠁卧ト〈逑吹墓饪贪?,放入清洗單元進(jìn)行清洗處理,處理結(jié)束后,放回上下料單元。片盒A和片盒B的具體作用可以通過(guò)軟件進(jìn)行任意設(shè)定。

2.1.2清洗單元

是一個(gè)封閉的腔室,腔室內(nèi)具有如下結(jié)構(gòu):承載光刻版旋轉(zhuǎn)的卡盤;安裝有藥液噴嘴、毛刷、兆聲噴頭、高壓DI水噴嘴、常壓DI水噴嘴、氮?dú)鈬姽?,并且可以往?fù)擺動(dòng)的多個(gè)擺臂;防濺腔;自動(dòng)門等。在全自動(dòng)光刻版清洗機(jī)中可以設(shè)計(jì)多個(gè)清洗腔室,以提高清洗效率。

2.1.3翻轉(zhuǎn)單元

是一個(gè)翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),對(duì)光刻版進(jìn)行翻轉(zhuǎn)。用戶往往需要對(duì)光刻版的正反兩面進(jìn)行清洗。在清洗光刻版的正面后,光刻版?zhèn)鬏攩卧獙⒐饪贪嬷糜诜D(zhuǎn)單元內(nèi),光刻版翻轉(zhuǎn)后,傳輸單元將背面朝上的光刻版置于清洗腔內(nèi),對(duì)光刻版背面進(jìn)行刷洗,達(dá)到光刻版正反兩面清洗的效果。

2.1.4光刻版?zhèn)鬏攩卧?/span>

是一個(gè)折臂抓取機(jī)械手,用于傳輸光刻版,抓取部分為氣缸夾持。同時(shí),具有掃描識(shí)別光刻版位置的功能。

2.1.5定位單元

用于光刻版位置的校正。

2.1.6藥液供給與循環(huán)單元

將丙酮、濃硫酸等清洗液從供液罐或是儲(chǔ)液槽輸送到清洗單元的噴嘴。同時(shí),具有藥液循環(huán)過(guò)濾、回收利用等功能。

2.1.7溫度控制單元

用于藥液的溫度控制,將藥液控制在合理的工藝溫度范圍內(nèi)。

全自動(dòng)光刻版清洗機(jī)設(shè)備外形和工作臺(tái)面布局如圖4所示。

全自動(dòng)光刻版清洗機(jī)?

2.2工作過(guò)程

下面以丙酮和IPA溶液作為清洗溶液,介紹全自動(dòng)光刻版清洗機(jī)對(duì)光刻版進(jìn)行清洗的過(guò)程。

其工作過(guò)程為:將待清洗的光刻版置于上下料單元,對(duì)設(shè)備進(jìn)行初始化,確認(rèn)系統(tǒng)狀態(tài)正常。編輯工藝文件,設(shè)定工藝參數(shù)。啟動(dòng)自動(dòng)工藝處理程序。機(jī)械手對(duì)片盒A、片盒B進(jìn)行掃描,控制器記錄光刻版的位置;機(jī)械手從片盒A取片,置于定位機(jī)構(gòu);定位機(jī)構(gòu)對(duì)光刻版位置進(jìn)行校正后,機(jī)械手從定位機(jī)構(gòu)抓取光刻版,置于1號(hào)腔內(nèi)的卡盤上。全自動(dòng)光刻版清洗機(jī)根據(jù)設(shè)定好的工藝文件,開(kāi)始執(zhí)行清洗工藝。

工藝步驟1首先進(jìn)行40s的丙酮刷洗工藝,啟動(dòng)擺臂11,對(duì)光刻版噴灑丙酮2s,同時(shí)進(jìn)行毛刷刷洗。為了節(jié)省丙酮溶液的用量,在噴灑丙酮溶液2s后,停止噴灑2s;然后再重新噴灑丙酮2s,再停止噴灑2s,……;直到40s刷洗工藝時(shí)間結(jié)束。丙酮噴灑和停止噴灑的時(shí)間間隔可以根據(jù)用戶的工藝需求,任意設(shè)定。

工藝步驟2當(dāng)?shù)?/span>1步丙酮刷洗結(jié)束后,進(jìn)行15sIPA清洗。IPA溶液也可以通過(guò)程序設(shè)定,進(jìn)行間隔噴灑。

工藝步驟330sDI水清洗。

工藝步驟445s的氮?dú)獯蹈桑M(jìn)行干燥。

用戶還可以根據(jù)實(shí)際的工藝需求,增加高壓DI水沖洗、兆聲清洗等工藝步驟,改善光刻版的清洗效果。

上述清洗工藝結(jié)束后,承載光刻版的卡盤停止旋轉(zhuǎn),機(jī)械手從卡盤抓取光刻版,置于翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)中。光刻版翻轉(zhuǎn)后,機(jī)械手將背面朝上的光刻版取走,置于2號(hào)腔中,進(jìn)行背面的清洗工藝。機(jī)械手將第2片光刻版置于1號(hào)腔中,同時(shí)處理第2片光刻版正面的清洗。第1片光刻版背面清洗結(jié)束后,機(jī)械手將其置于片盒B中,第1片光刻版清洗結(jié)束。按照上述工藝處理順序,每片光刻版依次進(jìn)行正反兩面清洗,直至所有光刻版清洗結(jié)束??梢酝ㄟ^(guò)修改程序參數(shù),任意設(shè)定光刻版的清洗順序。

5是光刻版清洗前后的對(duì)比照片,沾有光刻膠的光刻版經(jīng)過(guò)全自動(dòng)光刻版清洗機(jī)的清洗后,光刻膠被去除,光刻版潔凈,滿足光刻工藝要求。大量工藝試驗(yàn)證明,全自動(dòng)光刻版清洗機(jī)工作效率高、節(jié)省藥液、工藝一致性好。

全自動(dòng)光刻版清洗機(jī)全自動(dòng)光刻版清洗機(jī)?

3結(jié)束語(yǔ)

介紹了常用的光刻版清洗工藝,并詳細(xì)講解了全自動(dòng)光刻版清洗機(jī)的工作過(guò)程。該設(shè)備自用戶投入使用以來(lái),大量的產(chǎn)品證明,采用全自動(dòng)光刻版清洗機(jī)對(duì)光刻版進(jìn)行清洗,光刻版潔凈度高,工藝效果理想,工藝參數(shù)穩(wěn)定,自動(dòng)化程度高,批量處理能力強(qiáng),可以廣泛用于工業(yè)生產(chǎn)之中。


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