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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關(guān)模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標:最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應(yīng)用范圍:l 本機臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設(shè)計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J皆O(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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窄帶濾光片的分析與設(shè)計

時間: 2021-03-02
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窄帶濾光片是用于密集波分復(fù)用光纖通信系統(tǒng),是其關(guān)鍵器件之一,它通常是全介質(zhì)濾光片,也就是間隔層與反射層都是由鍍制介質(zhì)薄膜形成,其特點是鍍制難度高,成品率低,成本高等。所以首先由電磁場傳播的麥克斯韋方程出發(fā),理論分析了薄膜的光學(xué)特性系統(tǒng)。然后考慮了間隔層厚度、反射層的反射率對濾光片光譜特性的影響。結(jié)合給定的技術(shù)指標,按照法布里-珀羅多層介質(zhì)薄膜濾波器的原理,設(shè)計出一種可用于光通信密集波分復(fù)用系統(tǒng)的窄帶濾光片,并利用離子束濺射鍍膜機在玻璃基片上完成濾光片的鍍制,并且所鍍制出的濾光片符合設(shè)計指標的要求。

一、窄帶濾光片的研究現(xiàn)狀

為了適應(yīng)我國光通信業(yè)高速發(fā)展的實際需求,通過對窄帶干涉濾光片的優(yōu)化結(jié)構(gòu)、設(shè)計、分析和修正技術(shù)進行深入研究,在濾光片的主膜系鍍制工藝技術(shù)方面有所突破;實現(xiàn)了改造進口設(shè)備性能,完成了鍍膜材料的部分國產(chǎn)化;了解了高致密性、低損耗膜層的制備技術(shù),還有高精度實時監(jiān)控技術(shù);生成提高了鍍制后的減薄、拋光和劃片工藝;建立完善了檢測系統(tǒng)。同時還形成了一套較為完整的光通信,用于窄帶干涉濾光片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)技術(shù)。并實現(xiàn)了100GHz200GHz產(chǎn)品批量化生產(chǎn),經(jīng)檢測產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定,通過國內(nèi)外用戶試用,窄帶干涉濾光片產(chǎn)品的總體性能及生產(chǎn)技術(shù)均已達到國際先進水平。

二、窄帶濾光片在WDM系統(tǒng)中的應(yīng)用

作為波分復(fù)用系統(tǒng)的核心器件,復(fù)用/解復(fù)用器是將不同波長的光信號匯集到一根光纖輸出的器件,稱為復(fù)用器,而將一根光纖中的多路波長信號分離到各輸出口的器件,稱為解復(fù)用器。介質(zhì)薄膜窄帶干涉濾光片主要應(yīng)用就是復(fù)用/解復(fù)用器。而插入損耗、隔離度、溫度穩(wěn)定性、工作波長范圍、偏振相關(guān)損耗、各通路插入損耗的最大差異等是其主要性能指標。

目前,在DWDM光纖通信系統(tǒng)中應(yīng)用的窄帶濾光片,一般多采用全介質(zhì)窄帶濾光片,這種濾光片的鍍膜層數(shù)很多,通常有一兩百層,所以對于鍍膜時的監(jiān)控精度要求極高,尤其是對于鍍制間隔層的精度就要求更高,要達到要求的光譜特性,其誤差必須低于0.01%,甚至更低,因此選用控制精度極高的鍍膜設(shè)備是必要的。

三、窄帶濾光片的理論依據(jù)

1.光波中的電磁波理論

從理論上講,窄帶濾光片的光學(xué)特性研究,就是電磁波通過多層介質(zhì)薄膜間傳播的研究。因此,麥克斯韋方程組是處理光學(xué)薄膜系統(tǒng)問題的最基本的方法。

2.在介質(zhì)界面上光波的反射與折射

有若干介質(zhì)界面存在于光學(xué)膜系中,各介質(zhì)界面上的反射和折射規(guī)律關(guān)系到膜系的光學(xué)性質(zhì)與光波。須考慮光波從復(fù)折射率的介質(zhì)入射到該介質(zhì)時,與另一介質(zhì)的復(fù)折射率界面的反射和折射過程。

3.光學(xué)薄膜的特征矩陣

對于無吸收的介質(zhì)光學(xué)薄膜,其特征矩陣的顯著特點從三方面考慮:行列式值為1,即單位模矩陣;對角元素或者是實數(shù),或者是純虛數(shù);最重要的是主對角線上的元素相等。在有效的光學(xué)厚度為四分之一波長的整數(shù)倍時,特征矩陣變得非常簡單。

四、窄帶濾光片的設(shè)計

1.法布里-珀羅濾光片

法布里-珀羅濾光片分有單腔與多腔之分,在法布里-珀羅干涉儀的基礎(chǔ)上改進了單腔法布里-珀羅窄帶濾光片。從單腔濾光片的分析可以看出,三角形的帶通不能滿足DWDM系統(tǒng)中對通帶陡降特性和相鄰信道隔離度的指標要求。多腔濾光片是將多個單腔濾光片串置起來,中間用耦合層連接得到的,和單腔濾光片相比,多腔窄帶濾光片的通帶形狀更接近于矩形,透射帶不再是一個尖峰,這樣可以使稍稍偏離中心波長的光也能透過濾光片而不引起大的損耗;同時加快了透射率在透射帶邊緣下降的速度。

2.設(shè)計方法

通過對多腔窄帶濾光片結(jié)構(gòu)研究可以得出,在鍍膜材料確定后,串接的單腔窄帶濾光片的個數(shù)p,各單腔反射層HL的對數(shù)n,各單腔的干涉級次m,間隔層的特征t,共同決定了多腔窄帶濾光片的基本光譜特性。也可以說是,通過利用最優(yōu)化原理,把p,n,m,t作為自變量,由計算機自動尋優(yōu)來找到適合通信系統(tǒng)要求,同時還求到滿足工藝條件的解。

這樣,窄帶濾光片由多個單腔串接而成,其中每個單腔窄帶濾光片的特征參數(shù)都是正整數(shù)??梢詫?yōu)問題歸結(jié)為整數(shù)規(guī)劃問題,其函數(shù)就是組成多腔窄帶濾光片所串接單腔的個數(shù)p,各單腔窄帶濾光片的膜結(jié)構(gòu)參數(shù)、看作是可尋優(yōu)的整形變量以及評價函數(shù)。

窄帶濾光片若是WMS-15玻璃上的兩種鍍膜材料的和,一般用多個單腔串接,配以適當(dāng)?shù)膮?shù)就能滿足光譜要求。間隔層多數(shù)選擇低折射率材料,其原因有三個:在滿足工藝要求的前提下,同樣一個四分之一光學(xué)厚度的材料,鍍制蒸發(fā)速率低;價格較高材料比;若材料鍍得太厚,鍍膜層易龜裂。

綜上所述,制備的濾光片雖然滿足技術(shù)指標要求,但中心波長與理論設(shè)計曲線相比仍然有少量漂移,實現(xiàn)中心波長的零漂移以及提高峰值透過率將是日后研究和改進的方向。


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