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歡迎訪問華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司官網(wǎng)
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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計,微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J皆O(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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一種低通濾波器件介紹

時間: 2021-03-02
點(diǎn)擊次數(shù): 41

背景技術(shù)

隨著經(jīng)濟(jì)的發(fā)展,電力負(fù)荷不斷增長,對電網(wǎng)的輸送能力提出了更高的要求。尤其是對電力系統(tǒng)潮流控制、電壓控制及短路電流控制的需求越來越多,因此柔性交流輸電(Flexible?AC?Transmission?Systems,FACTS)裝置在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用越來越多。

FACTS根據(jù)與電網(wǎng)連接的方式可以分為串聯(lián)裝置、并聯(lián)裝置及串并聯(lián)裝置。

前應(yīng)用的串聯(lián)型柔性交流輸電裝置包括:串聯(lián)補(bǔ)償裝置和串聯(lián)諧振型故障電流限制裝置,其示意圖如圖1所示。圖中,31為輸電線路一側(cè)的母線;36為輸電線路另一側(cè)的母線,32為輸電線路一側(cè)的線路開關(guān);35為輸電線路另一側(cè)的線路開關(guān),33為輸電線路,34為所安裝的串聯(lián)型裝置。由于裝置串聯(lián)在線路中,故其對地的絕緣要求與線路對地的絕緣要求一致,為降低工程造價,將串聯(lián)裝置安裝在鋼結(jié)構(gòu)的絕緣平臺上,絕緣平臺再由支柱絕緣子、斜拉絕緣子固定。故串聯(lián)裝置與地面便不存在電氣聯(lián)系,絕緣要求由支柱絕緣子和斜拉絕緣子來滿足,而裝置僅需考慮對絕緣平臺的絕緣要求,大大降低了串聯(lián)裝置本身的絕緣

水平。

考慮到串聯(lián)型柔性交流輸電裝置串聯(lián)在線路中,為確保主設(shè)備正常運(yùn)行,需要配置過電壓保護(hù)設(shè)備,針對這些一次主設(shè)備還需配置相應(yīng)的二次保護(hù),進(jìn)而需要采集絕緣平臺上對應(yīng)的電氣量,并將這些電氣量傳遞給地面的保護(hù)裝置,作為保護(hù)裝置進(jìn)行邏輯判斷的依據(jù)。

對于串聯(lián)補(bǔ)償裝置,其配套的二次保護(hù)包括電容器不平衡保護(hù),國內(nèi)某一串聯(lián)補(bǔ)償裝置在周邊系統(tǒng)增加了直流、SVG后的運(yùn)行過程中發(fā)生了電容器不平衡保護(hù)動作,使得串聯(lián)補(bǔ)償裝置退出。后續(xù)故障分析時,并未發(fā)現(xiàn)串聯(lián)補(bǔ)償裝置的電容器單元存在異常的現(xiàn)象,但對錄波分析時發(fā)現(xiàn)電容器不平衡電流工頻分量很小,而高次諧波存在很大的含量。由于該串聯(lián)補(bǔ)償裝置所配的二次控制保護(hù)裝置所采用的算法為均方根算法,對高次諧波比較敏感,故造成了保護(hù)誤動作??紤]到該廠家在國內(nèi)已經(jīng)沒有售后技術(shù)支持,無法通過升級軟件消除高次諧波電流對保護(hù)的影響,而且以往在電力系統(tǒng)中采用的濾波裝置一般是對電壓信號進(jìn)行濾波。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種低通濾波器件。

本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的:一種低通濾波器件,包括輸入端子、電容、輸出端子、金屬外殼、第一電抗器、第二電抗器和第三電抗器;所述輸入端子位于所述金屬外殼的一側(cè),所述輸入端子通過導(dǎo)線二次回路相連接有用于采集一次回路電流量的電流互感器;所述輸出端子位于所述金屬外殼的另一側(cè),通過導(dǎo)線連接有接收模塊;所述第一電抗器一端與一側(cè)輸入端子相接,其另一端與所述第二電抗器的一端相接,所述第二電抗器的另一端與該側(cè)的輸出端子相接;所述電容通過導(dǎo)線分別接入另一側(cè)輸入端子與另一側(cè)輸出端子,所述電容與所述第三電抗器的一端連接,所述第三電抗器的另一端接入所述第一電抗器與所述第二電抗器連接線之上;所述電容與所述第一電抗器、第二電抗器、第三電抗器構(gòu)成低通濾波回路。

第一電抗器構(gòu)成第一支路,第二電抗器構(gòu)成第二支路,第三電抗器與電容串聯(lián)構(gòu)成第三支路,電抗器與電容構(gòu)成串并聯(lián)方式構(gòu)成低通濾波回路。

所述低通濾波回路采用橢圓函數(shù)的低通網(wǎng)絡(luò),其截止頻率為400Hz。

所述低通濾波回路采用串聯(lián)方式接入采樣回路中。低通濾波回路采用串聯(lián)方式接入,可濾除高次諧波電流。

所述電流互感器采用穿心式電流互感器。

與現(xiàn)有技術(shù)對比,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:本裝置通過低通濾波器的濾波性能,消除高次諧波電流對采樣的影響,適用于電力系統(tǒng)中的電流采樣回路;通過硬件方式濾除高次諧波電流,確保保護(hù)采樣不受高次諧波電流的影響;對基波電流的大小未產(chǎn)生影響,確保了采樣的精度。

附圖說明

1為現(xiàn)有串聯(lián)型柔性交流輸電裝置接入電力系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖;

2為本發(fā)明低通濾波器的結(jié)構(gòu)示意圖;

3為本發(fā)明低通濾波器接入采樣回路中的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中附圖標(biāo)記含義:1、低通濾波器;11、第一電抗器;12、第二電抗器;13、第三電抗器;14、電容;15、輸入端子;16、輸出端子;17、金屬外殼;21、第一電容器組分支;22、第二電容器組分支;23、第一穿心式電流互感器;24、第二穿心式電流互感器;25、采樣裝置;31、輸電線路一側(cè)的母線;32、輸電線路一側(cè)的線路開關(guān);33、輸電線路;34、所安裝的串聯(lián)型裝置;35、輸電線路另一側(cè)的線路開關(guān);36、輸電線路另一側(cè)的母線。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明的內(nèi)容做進(jìn)一步詳細(xì)說明。

實施例

參照圖2,為一種低通濾波器件,包括輸入端子15、電容14、輸出端子16、金屬外殼17、第一電抗器11、第二電抗器12和第三電抗器13;輸入端子15位于金屬外殼17的一側(cè),輸入端子15通過導(dǎo)線二次回路相連接有用于采集一次回路電流量的電流互感器;輸出端子16位于金屬外殼17的另一側(cè),通過導(dǎo)線連接有接收模塊;第一電抗器11一端與一側(cè)輸入端子15相接,其另一端與第二電抗器12的一端相接,第二電抗器12的另一端與該側(cè)的輸出端子16相接;電容14通過導(dǎo)線分別接入另一側(cè)輸入端子15與另一側(cè)輸出端子16,電容14與第三電抗器13的一端以串聯(lián)形式連接,第三電抗器13的另一端接入第一電抗器11與第二電抗器12連接線之上;電容14與第一電抗器11、第二電抗器12、第三電抗器13以串并聯(lián)的方式構(gòu)成低通濾波回路。

第一電抗器11構(gòu)成第一支路,第二電抗器12構(gòu)成第二支路,第三電抗器13與電容14串聯(lián)構(gòu)成第三支路,電抗器與電容14構(gòu)成串并聯(lián)方式構(gòu)成低通濾波回路。

低通濾波回路采用橢圓函數(shù)的低通網(wǎng)絡(luò),其截止頻率為400Hz。

低通濾波回路采用串聯(lián)方式接入采樣回路中。低通濾波回路采用串聯(lián)方式接入,可濾除高次諧波電流。所述電流互感器采用穿心式電流互感器。

本實施例中,接收模塊為現(xiàn)有通用技術(shù),不做展開分析。

參閱圖3,使用時,將低通濾波器1串聯(lián)接至第一穿心式電流互感器23、第二穿心式電流互感器24的二次端子,將第一電容器組分支21與第一穿心式電流互感器23串聯(lián)形成第一分支,將第二電容器組分支22與第二穿心式電流互感器24串聯(lián)形成第二分支,第一分支與第二分支并聯(lián);低通濾波器1的另一端連接在采樣裝置25的采樣回路上。當(dāng)電容14器不平衡電流中出現(xiàn)高次諧波分量時,通過該低通濾波器1便可將高次諧波電流濾除。本應(yīng)用實例中選取的截止頻率為400Hz,即可滿足本實例中高次諧波電流的濾波要求。若對截止頻率有其他要求,可以通過修改濾波回路的電抗器、電容14實現(xiàn)。

本器件提供的裝置,能有效濾除在電容器組內(nèi)產(chǎn)生的高次諧波電流分量,確保保護(hù)采樣的準(zhǔn)備度,使得串聯(lián)補(bǔ)償裝置保持正常運(yùn)行。

一種低通濾波器件介紹?

一種低通濾波器件介紹

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