氧化/擴(kuò)散/退火設(shè)備是半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)中的重要熱工藝設(shè)備。
氧化是將硅片放置于氧氣或水汽等氧化劑的氛圍中進(jìn)行高溫?zé)崽幚恚诠杵砻姘l(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成氧化膜的過(guò)程。
擴(kuò)散是指在高溫條件下，利用熱擴(kuò)散原理將雜質(zhì)元素按工藝要求摻入硅襯底中，使其具有特定的濃度分布，從而改變硅材料的電學(xué)特性。
退火是指加熱離子注入后的硅片，修復(fù)離子注入帶來(lái)的晶格缺陷的過(guò)程。
用于氧化/擴(kuò)散/退火的基本設(shè)備有三種：臥式爐、立式爐和快速升溫爐（RTP）。根據(jù) 2018 年 Gartner 的數(shù)據(jù)，氧化/擴(kuò)散/退火設(shè)備占晶圓制造（含先進(jìn)封裝）設(shè)備的 3%左右。
氧化工藝
氧化是將硅片放置于氧氣或水汽等氧化劑的氛圍中進(jìn)行高溫?zé)崽幚?，在硅片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成氧化膜的過(guò)程。氧化膜的用途廣泛，主要有以下幾個(gè)方面：
（1）保護(hù)器件免受劃傷和沾污；
（2）表面鈍化層；
（3）形成柵極氧化層或者作為存儲(chǔ)器單元結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)材料；
（4）摻雜過(guò)程中的掩蔽層；
（5）金屬導(dǎo)電層之間的介質(zhì)層等等。
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