一、什么是半導(dǎo)體？

半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)，它的電阻率在10-3~109范圍內(nèi)。自然界中屬于半導(dǎo)體的物質(zhì)很多，用于制造半導(dǎo)體的材料主要是硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）。

純凈的半導(dǎo)體電阻率很高，幾乎不導(dǎo)電。但在特定的條件下，如光照、摻雜等，它的電阻率

可以降到幾十歐姆甚至更低，并且隨摻入的雜質(zhì)不同呈不同的導(dǎo)電特性。我們分別稱之為P

（空穴導(dǎo)電）型半導(dǎo)體和N（電子導(dǎo)電）型半導(dǎo)體。P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體相接觸時(shí)，在接觸面就形成了PN結(jié)。PN結(jié)具有正向?qū)ǚ聪蚪刂沟奶匦裕盟梢灾频贸Ｓ玫亩?/span>

極管。

在集成電路制造中，常用的襯底材料是硅單晶片，根據(jù)圓片加工過程中硅單晶切割的晶格方向的不同，可把它分為<100>和<111>等晶向。在mos集成電路制造中，選用的是<100>

晶向的圓片。

二、什么是集成電路？

不同導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體組合在一起，可以做成二極管、三極管、電容、電阻，如果把這些元件做在同一塊芯片上，完成一定的電路功能，就稱之為集成電路。

集成電路可分為雙極集成電路和MOS集成電路，MOS集成電路又可分為nMOS集成電路、pMOS集成電路和CMOS集成電路。

三、集成電路中的常用薄膜。

多晶硅

常用在MOS器件中作為柵電極。也可用于高電阻的電阻器，及局部電路的短連線二氧化硅集成電路中使用的二氧化硅膜可分為熱二氧化硅和CVD淀積二氧化硅兩類。在MOS集成電路中，它有以下幾種用途：作為對(duì)付摻雜劑注入或擴(kuò)散進(jìn)硅的掩膜，提供表面鈍化，使器件一部分與一部分隔離，作為MOS器件的一個(gè)組成部分（如柵介質(zhì)），作為金屬步線之間的電絕緣。

氮化硅

能阻擋鈉離子的擴(kuò)散，幾乎不透潮氣并具有很低的氧化速率。用低壓CVD（LPCVD）方法淀積的氮化硅膜，主要用作平面工藝的氧化掩膜；用等離子淀積（PECVD）的氮化硅膜，能在較低溫度下生成，可作為鈍化保護(hù)層。

Al-Si-Cu

用在集成電路中作為金屬互連線。

四、什么是刻蝕

集成電路的制造，需要將各種不同的元件（晶體管、電阻、電容）做在同一塊芯片上去，需要在芯片上做出不同的圖形。把光刻確定的圖形轉(zhuǎn)移到構(gòu)成器件的薄膜上，把不需要的薄膜去除，這一過程稱為刻蝕?？涛g分為干法腐蝕和濕法腐蝕。

五、常用濕法腐蝕工藝

1.HF去二氧化硅

說明：HF酸漂去二氧化硅

配比：HF：H2O=1：10

溫度：室溫

流程：HF酸漂洗（依漂去二氧化硅厚度定時(shí)）→溢流5分鐘→沖水10次→甩干

2.磷酸去氮化硅

說明：推阱及場(chǎng)氧后LPSIN的剝離

配比：98%磷酸

溫度：160℃

流程：HF酸漂洗30sec→溢流5分鐘→磷酸槽60min→溢流5分鐘→Ⅱ槽清洗→沖水10次→甩干

3、BOE腐蝕二氧化硅

說明：非關(guān)鍵尺寸二氧化硅圖形窗口的腐蝕

配比：BOE

溫度：室溫

流程：浸潤劑浸潤10秒(上下攪拌10次)→BOE漂（依須腐蝕二氧化硅厚度定時(shí)）→溢流10分鐘→沖水10次→甩干→鏡檢有無異常（如黃斑）

注意：1）由于圓片上帶有光刻膠，腐蝕前須熱堅(jiān)膜，條件是120℃30min，若腐蝕時(shí)間超過3min，腐蝕前熱堅(jiān)膜120℃30min+150℃15min，每腐蝕1min30sec加烘120℃30min。

2）甩干后由操作員鏡檢有無異常情況（如黃斑），如發(fā)現(xiàn)異常立即報(bào)告帶班技術(shù)員，交

技術(shù)員處理。如一切正常，繼續(xù)下道工序。

4、混合酸（去背面）

說明：多晶淀積后的背面多晶去除

配比：5.59LHNO3+0.134LHF+2.27LH2O

溫度：常溫

流程：熱堅(jiān)膜（150℃30min）→混合酸(1min~2min，上下攪動(dòng))→溢流5分鐘→沖水→甩干→片檢有無異常→BOE漂（背面脫水）→溢流5分鐘→濕法去膠→甩干→鏡檢有無異常

5、硫酸雙氧水去膠

說明：去除光刻膠和顆粒

配比：H2SO4：H2O2=3：1

溫度：140℃

流程：1槽5分鐘→溢流5分鐘→2槽5分鐘→沖水10次→甩干

6、EKC清洗

說明：金屬腐蝕及通孔腐蝕干法去膠后的清洗，去除因干法腐蝕而殘留在圖形邊緣的聚合物

配比：EKC265/IPA

溫度：EKC26565℃

IPA室溫

流程：EKC槽30min→IPAⅠ槽2min→IPAⅡ槽2min→沖水10次→甩干

六、濕法去膠

1)對(duì)于未通電的濕法臺(tái)，打開EMO,按POWER鍵；對(duì)于通電的濕法臺(tái)，直接進(jìn)行下一步。

2)如需配液，則戴好一次性手套，小心配制腐蝕液（H2SO4：H2O=3：1）于Ⅰ、Ⅱ槽中，直到浸沒黑線為止。先加雙氧水、后加硫酸。

3)給腐蝕槽加熱按HEATON鍵，溫度設(shè)定為140℃。

4)查看工藝流程單、片號(hào)、片數(shù)是否一致，如發(fā)現(xiàn)異常，立即報(bào)告線長或帶班長。

5)確認(rèn)無誤后，從傳送盒里取出片架，用硅片轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換到白色的片架里。

6)待溫度升高140℃左右，把白色的片架浸泡在Ⅰ號(hào)槽中，按TIMERUN，并不斷攪動(dòng)，

到時(shí)間后按TIMERUN鍵，取出白色的片架放入溢流槽中，按ON鍵，清洗5分鐘，完后按OFF鍵。

7)從溢流槽中取出白片架放入Ⅱ號(hào)槽中，并按TIMERUN鍵，到時(shí)間后按TIMESTOP鍵，

取出白片架放入快沖槽中，按START鍵，沖好后按STOP鍵。

8)取出白片架去甩干。

9)開甩干機(jī)門，放穩(wěn)白片架，關(guān)緊門，按START鍵，甩好后，取出白片架，放上新的白片架，關(guān)上門。

10)用硅片轉(zhuǎn)換器將硅片轉(zhuǎn)換到原傳送盒片架里。

11)到顯微鏡下查看硅片，有無異?，F(xiàn)象，若無異常現(xiàn)象，認(rèn)真如實(shí)填寫好流程單，送下一工序。

12)若不工作時(shí)，Ⅰ、Ⅱ號(hào)槽按HEATOFF處于HOLD狀態(tài)。再次去膠時(shí)需加點(diǎn)雙氧水，

步驟如3～12。

*操作過程中始終保持戴潔凈的手套

七、清洗機(jī)碎片處理（試行）規(guī)定：

A.甩干機(jī)碎片：（分新舊機(jī)，菜單會(huì)不同）

1)取出花籃，剔除碎片，將整批圓片和花籃送氧化做兆聲清洗

2)清除甩干機(jī)內(nèi)碎片，將甩干機(jī)沖水時(shí)間設(shè)定為3600sec，rinse、purge、dry1、dry2轉(zhuǎn)速定為300轉(zhuǎn)/秒，空甩一次。

3)將甩干機(jī)程序改回原菜單

4)測(cè)顆粒：要求>0.5um顆粒增加<10個(gè)

B.酸槽內(nèi)碎片：

1)取出花籃，快沖10次，剔除碎片，將整批圓片和花籃送氧化組做兆聲清洗；將快沖槽沖水10次。

2)將酸槽降溫，排酸，沖水清洗；清除槽內(nèi)碎片，DIwater沖洗，注滿，排空5次。

3)將石英槽注滿DIwater，干凈顆粒片浸泡3min、甩干，測(cè)顆粒。

干凈顆粒片快沖10次，甩干，測(cè)顆粒。

要求：>0.5um顆粒增加<10個(gè)。

C.快沖槽內(nèi)碎片：

1)取出花籃，剔除碎片，將整批圓片和花籃送氧化組做兆聲清洗；將快沖槽沖水10次

測(cè)顆粒：干凈顆粒片快沖10次，甩干，測(cè)顆粒。

D.溢流槽內(nèi)碎片：

1)取出花籃，快沖10次，剔除碎片，將整批圓片和花籃送氧化組做兆聲清洗；將快沖槽沖水10次，將溢流槽連續(xù)溢流20min。

2)測(cè)顆粒：干凈顆粒片溢流5min，甩干，測(cè)顆粒。

其它清洗槽內(nèi)碎片，請(qǐng)比照上述處理程序執(zhí)行。

八、濕法攪拌規(guī)定：

適用范圍：本規(guī)定適用于HF酸漂SiO2、BOE漂SiO2、H2SO4/H2O2去膠、混合酸

去多晶、EKC和IPA清洗。

控制要求和工作程序

1.攪拌次數(shù)要求

1.1HF酸漂SiO2：

a）進(jìn)槽時(shí)攪拌5下以上。

b）中間每隔1分鐘攪拌一次，每次攪拌不少于3下。

c）出槽前攪拌5下以上。

1.2BOE漂SiO2：

從進(jìn)槽到出槽不停地?cái)嚢琛?/span>

1.3H2SO4/H2O2去膠：

a）進(jìn)槽時(shí)攪拌5下以上。

c）出槽前攪拌5下以上。

1.4混合酸去多晶：

從進(jìn)槽到出槽不停地?cái)嚢琛?/span>

1.5混合酸去背面（先用混合酸去多晶，然后用BOE漂SiO2）：從進(jìn)槽到出槽不停地?cái)?/span>

拌。

1.6浸潤劑浸潤：從進(jìn)槽到出槽不停地?cái)嚢琛?/span>

1.7IPA1、IPA2：進(jìn)槽和出槽時(shí)攪拌5下以上。

1.8EKC清洗：

a）進(jìn)槽時(shí)攪拌5下以上。

b）中間可以不攪拌。

c）出槽前攪拌5下以上。

2.攪拌操作動(dòng)作要領(lǐng)

2.1進(jìn)行濕法攪拌時(shí)，應(yīng)注意安全，穿戴好防護(hù)器具。

2.2攪拌動(dòng)作不宜過大，以免化學(xué)試劑濺出和擦傷硅片。攪拌時(shí)整個(gè)花藍(lán)必須保持在液面下，硅片不能露出液面。

2.3攪拌時(shí)先將花藍(lán)往后拉2cm左右，再緩慢向前推進(jìn)4cm，然后返回，稱為攪拌一下。要求攪拌一下的時(shí)間不少于2秒鐘。

3.攪拌的管理要求

3.1濕法腐蝕中的攪拌對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量影響極大。但攪拌系人工操作，是否按規(guī)定操作完全取決于操作人員的自覺性。因此這個(gè)崗位需要選擇自覺性高的人員，并對(duì)操作人員是否按規(guī)定進(jìn)行操作進(jìn)行不定期監(jiān)督檢查。

3.2在工作安排上必須確保操作人員具有足夠的時(shí)間按上述規(guī)定進(jìn)行攪拌。

九、濕法清洗中注意事項(xiàng)：

1.換液規(guī)定及注意事項(xiàng)：

換液時(shí)，應(yīng)注意安全，戴好防護(hù)器具，不得將腐蝕液溢出滴在隔柵、墻壁和地面上，以防造成沾污，并且不允許將酸瓶直接放在臺(tái)面上倒液（臺(tái)面上只準(zhǔn)放手柄、白花籃及量杯）。特別是換EKC液時(shí)，應(yīng)將槽中的廢液抽盡，同時(shí)，不得讓廢液溢出回收桶或滴在隔柵、墻壁和地面上，以防造成沾污。一旦廢液濺出，必須立即處理干凈，如有大量廢液流至隔柵下，

立即報(bào)告技術(shù)員。

2.溢流時(shí)間要嚴(yán)格控制

溢流后不沖水直接需要轉(zhuǎn)換清洗臺(tái)時(shí)，需溢流十分鐘，避免酸液滴在地面上，隔柵下，造成沾污。

3.操作規(guī)范化

手拿白花籃操作并走動(dòng)時(shí)，需嚴(yán)格按照規(guī)范化操作，不得跑步，嬉鬧，更不得單手各捧一個(gè)白花籃（尤其是花籃滿片時(shí)）走動(dòng)。

4.鏡檢規(guī)定

濕法腐蝕結(jié)束本道工藝需鏡檢時(shí)，一定要啟動(dòng)選片架，避免劃傷。