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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發(fā)展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統(tǒng)潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統(tǒng)集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統(tǒng)結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關清洗設備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結構方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結構本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標:最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統(tǒng)設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注華林科納(江蘇)半導體官網,關注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J?#160;設備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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鍺拋光片清洗

時間: 2021-02-26
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以鍺為襯底的化合物電池由于具有轉換效率高、耐高溫、抗腐蝕、抗輻射等優(yōu)勢,在航空航天領域得到了廣泛的應用。多節(jié)化合物電池用鍺襯底通常為高表面質量的鍺拋光片,要求其表面無顆粒沾污、無有機沾污、無表面缺陷。要使鍺拋光片表面達到這一標準,清洗是非常重要的環(huán)節(jié)。

紫外線/臭氧清洗技術是一種非接觸式的干法清洗技術,不受溶液表面張力的影響。被清潔的表面僅與紫外線和臭氧作用,不與其他物體發(fā)生接觸。并且有機物經過紫外光照射發(fā)生光敏氧化反應后,僅生成可揮發(fā)性氣體,不會造成溶液清洗時的二次污染。與此同時,紫外光是短波光線,能夠射入材料表面并在與臭氧的協(xié)同作用下與表面物質發(fā)生氧化反應,形成均勻的氧化物薄膜。紫外光子輻照的能量相對比等離子體濺射或惰性氣體離子轟擊的能量小,一般情況下,經過紫外線/臭氧處理的表面不會受到損傷或發(fā)生晶體缺陷。

在RCA標準清洗法中,利用DHF清洗來剝離自然氧化層,從而達到去除氧化層中金屬離子的目的。但由于HF并不溶解鍺O或其他非正四價態(tài)鍺氧化物,只溶解鍺O:和極少量的鍺混合態(tài)氧化物,所以本文采用對鍺0和鍺0:有很好溶解能力并且不與鍺發(fā)生反應的鹽酸進行清洗。紫外線/臭氧處理過程中,由于臭氧具有類似于H2O2的氧化電勢,其可在鍺拋光片表面形成潔凈的氧化物薄膜,因此可以采用紫外線/臭氧干法氧化的方式替代H2O2的氧化作用。本文從降低鍺拋光片霧值、提高表面質量為出發(fā)點,以紫外線/臭氧代替H2O2氧化鍺片表面,并通過調節(jié)鹽酸濃度,得出一種提高鍺拋光片表面質量的清洗方法。

1實驗過程

1.1實驗流程

實驗片選用型號為P<100>,?。保埃埃恚淼逆N拋光片。經過去除有機物、表面顆粒沾污的清洗步驟后,首先將鍺拋光片放入紫外線/臭氧清洗設備中,在相同紫外線輻照類型照射條件下,通過改變樣品與紫外線光源之問的距離,記錄使樣品表面達到最小接觸焦(大約40)所需的不同時問,并對實驗結果進行分析。之后將鍺拋光片浸入到幾組不同濃度的鹽酸溶液中反應一定時問,取出放入快排沖洗槽內進行QuickDump黜nse(以下簡稱QDR)循環(huán)清洗,最后放入旋轉沖洗甩干機內甩干,通過表面分析儀對鍺拋光片進行霧值分析。

1.2實驗及測試用設備

兆聲清洗采用ST600.32TL型清洗機,氣相清洗采用紫外線/臭氧清洗設備;甩干機表面目測檢驗采用強光燈,接觸角測試采用承德金和儀器制造有限公司生產的JY—PHB型接觸角測定儀,表面霧值測試采用WM一7S表面分析儀。

2實驗結果與分析

2.1紫外線,臭氧工藝分析

紫外線能打開和切斷有機物分子的共價鍵,使有機物分子活化,分解成離子、游離態(tài)原子、受激分子等,從而清除粘附在拋光片表面的有機物沾污。

Vig和LeBus等人[2]通過采用接觸角測量、濕度測試和俄歇電子譜(AES)發(fā)現(xiàn),低壓汞燈產生的184.9nm和253.7nm兩種主要波長的紫外線對被照射樣品具有最好的氧化效果。這是由于184.9nm的紫外波長可以被氧氣分子吸收,氧氣吸收紫外線產生原子氧和臭氧;253.7nm的紫外波長不能被氧氣吸收,但可被臭氧吸收M,臭氧吸收紫外線分解成原子氧和氧氣,這樣臭氧將處于產生與分解的動態(tài)變化過程中。臭氧產生與分解的中間產物原子氧是非常強的氧化劑,它與活化的襯底表面發(fā)生氧化反應,可生成致密、均勻的氧化物薄膜。

由于鍺拋光片表面的氧化層是因臭氧產生與分解的中間產物原子氧的氧化作用而產生的,所以紫外線/臭氧的氧化能力強弱直接影響表面氧化層的產生,這種氧化能力我們利用鍺拋光片的最小接觸角來表征,即紫外線/臭氧作用的氧化能力越強,高質量表面氧化層形成的時間越短,達到最小接觸角(大約4o)所需時間越短。

為了研究樣品與紫外線光源間距離對表面氧化效果的影響,本組實驗將鍺拋光片樣品分成五組,在253.7nm和184.9nm紫外線和臭氧組成的相同環(huán)境下,樣品與紫外光源距離分別為0.5cm、1cm、5cm、8cm、13cm,五組樣品達到最小接觸角(大約4。)的時間如表1所示。

為了使表面氧化所用時間縮短,待氧化的樣品應盡可能放置在離紫外線源近的位置。通過表1可看出,將鍺拋光片放置在離紫外線光源0.5cm處照射30s,即可使鍺拋光片表面接觸角達到最小。

鍺拋光片清洗

2.2鹽酸溶液清洗工藝分析

傳統(tǒng)的SC2溶液由HCL、H2O:、H2O組成,H2O:的作用是在拋光片表面形成一層自然氧化膜,紫外線/臭氧處理過程中,由于臭氧具有類似于H2O:的氧化電勢,其可在鍺拋光片表面形成潔凈的氧化物薄膜,因此將傳統(tǒng)的sC2溶液中H2O:除去。鹽酸能溶解鍺的氧化物且可與金屬離子反應,生成可溶性的氯鹽,從而達到去除鍺拋光片表面金屬離子的作用。這一部分實驗采用不同濃度的鹽酸溶液對鍺拋光片進行處理60s后,進行目視檢驗及霧值分析。鹽酸:H:O比值如表2所示。

鍺拋光片清洗

經過表面顆粒度測試儀測試得到鍺拋光片的表面霧值圖,圖1為經過不同濃度的鹽酸溶液處理60s的鍺拋光片表面霧值測試圖,表3為不同濃度的鹽酸溶液對應的霧值測試平均值。

鍺拋光片清洗

當鹽酸與H2O比例大于1:50,如圖1中(a)、(b)、(c)所示,霧值測試平均值分別為0.0658×10-60.0448×10-6、0.0295×10-6,使用GBT/6624硅拋光片表面質量目測檢驗方法規(guī)定的光源對鍺片進行觀察,鍺片表面均勻、中間有密集的凸起狀缺陷。當鹽酸與H2O比例小于1:50時,如圖1中(e)、(D所示,比例為1:100時霧值平均值為0.0204×10-6,目測有不均勻的淺霧;比例為1:1000時霧值平均值為0.0933×10-6擊,目測有均勻的較重的白霧;HCL:H2O1:50時,HCl對氧化膜的化學剝離作用達到最佳效果,如圖l(d)所示,霧值平均值達到0.0098×10-6,在強光燈下檢驗鍺拋光片表面潔凈且均勻、一致。

3結論

本文提出了一種紫外線/臭氧氧化鍺拋光片后鹽酸溶液清洗的方法,并通過實驗找到了樣品與紫外光源的最佳距離以及鹽酸l溶液的最佳配比。

(1)鍺拋光片在紫外線/臭氧發(fā)生器內,利用紫外線/臭氧的氧化作用,放置在距光源0.5cm處反應30s即可達到表面氧化效果。

(2)鹽酸溶液具有溶解鍺氧化薄膜且不與鍺本身發(fā)生反應的特性,當鹽酸:H2O1:50時,其作用最為明顯,鍺拋光片表面霧值達到最小,表面質量達到免洗拋光片標準。


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