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發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái),可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時(shí)間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化...
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清洗工藝研究

時(shí)間: 2021-02-26
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1PCBA上的污染的種類

印制電路板組件(PrintedCircuitBoardAssemblyPCBA)污染物是在各個(gè)工序生產(chǎn)過程中附著在PCBA表面肉眼可見的錫珠、殘膠、油脂、指印等和不可見的助焊劑殘留、粉塵等。這些污染物可以分為極性污染物、非極性污染和粒子污染物。極性污染物包含助焊劑、汗液、焊料殘?jiān)驮骷坝≈齐娐钒澹?/span>PrintedCircuitBoardPCB)的氧化物等。非極性污染物包含焊劑中的松香及樹脂的殘留,膠帶、粘結(jié)劑殘留,皮膚油脂和防氧化劑等。粒子污染物包含塵埃、煙霧、棉絮、錫珠、靜電粒子和PCBA加工時(shí)產(chǎn)生的玻璃纖維等。極性污染物會(huì)造成電遷移、枝晶生長、元器件的引腳腐蝕,嚴(yán)重時(shí)會(huì)引起電路失效。非極性污染物會(huì)吸附灰塵、靜電粒子,引起導(dǎo)電接觸不良,影響接插件的接觸可靠性,粒子污染物則會(huì)加劇污染的危害。在以上污染物中危害最大的應(yīng)屬極性污染物,也就是通常說的離子污染物。離子污染物的控制對于產(chǎn)品質(zhì)量可靠性的控制意義重大。

從元器件、PCBA污染物殘留的控制,到生產(chǎn)中使用的焊膏、焊劑、焊錫絲等選型,再到生產(chǎn)過程中操作人員的工作服、手套等穿戴控制,到最后產(chǎn)品的包裝、轉(zhuǎn)運(yùn)工裝的管理都會(huì)影響到產(chǎn)品污染物含量的高低,最終影響到產(chǎn)品的運(yùn)行可靠性和壽命的長短。這些生產(chǎn)中的質(zhì)量控制,是非常細(xì)致、周密、嚴(yán)格和系統(tǒng)的,需要投入大量的人力和物力。

2清洗工藝的種類

清洗工藝對解決PCBA上的污染物是非常必要、有效的手段,典型的清洗工藝有溶劑清洗、半水基清洗和水基清洗。溶劑清洗的原理是利用醇類、酮類、含氟類等溶劑的溶解力完成預(yù)洗和漂洗,去除污染物。溶劑型清洗劑揮發(fā)快、溶解能力強(qiáng)、對設(shè)備要求極低,整個(gè)清洗工藝無廢水處理。溶劑型清洗劑對環(huán)境有一定的破壞作用,會(huì)產(chǎn)生溫室效應(yīng),對工廠的環(huán)境有一定的影響。

半水基清洗的原理是使用有機(jī)溶劑添加表面活性劑進(jìn)行預(yù)洗,有機(jī)溶劑溶解污染物、表面活性劑提供潤濕和乳化功能,防止脫離基材的污染物再次吸附到基材上,去離子水進(jìn)行漂洗。半水基溶劑一般為可燃溶劑,閃電很高、毒性較低,使用上較為安全。清洗后產(chǎn)品需要烘干處理,確保產(chǎn)品中的水汽全部揮發(fā),避免因濕氣降低產(chǎn)品性能。烘干設(shè)備成本高、占地面積大、能耗大,會(huì)增加生產(chǎn)成本。半水基清洗會(huì)產(chǎn)生廢水,廢水均需要通過廢水處理裝置處理后才能達(dá)到廢水排放要求。

水基清洗的原理是使用去離子水作為清洗的介質(zhì),在水中添水基型有機(jī)溶劑,破壞污染物和基材之間的鍵合,通過水基清洗劑的潤濕、溶解、乳化、皂化、螯合等作用實(shí)現(xiàn)污染物與基材的脫離。水基清洗不僅能去除極性污染物、非極性污染物,還能去除粒子污染物,是今后清洗工藝的發(fā)展方向。水基清洗對前端的研發(fā)設(shè)計(jì)提出了更高的要求,對于器件的防水、密封等要求更嚴(yán)格。對于PCBA的布局更要考慮清洗的方向,避免“陰影效應(yīng)”造成陰影遮蔽器件無法有效地清洗,水基清洗和半水基清洗同樣有產(chǎn)品烘干和廢水處理問題。

3PCBA清洗工藝設(shè)計(jì)

清洗工藝對研發(fā)設(shè)計(jì)提出了較高的要求。無論是溶劑清洗、半水基清洗,還是水基清洗,都要考慮器件的密封性、耐溶劑性。對于水基清洗還要考慮器件的耐熱性,器件的這些性能指標(biāo)會(huì)決定清洗工藝的選擇方案。

在研發(fā)設(shè)計(jì)布局時(shí),器件布局的密度、器件封裝都會(huì)增加清洗工藝的設(shè)計(jì)難度。焊球陣列封裝(BallGridArray,BGA)、方形扁平無引腳封裝(QuadFlatNo-leadPackageQFN)等這種引腳隱藏在本體之下的器件,引腳<0.1mm以下的小型方塊平面封裝(QuadFlatPackage,QFP)、無引線陶瓷封裝載體(LeadlessCeramicChipCarrier,LCCC)01005以及更小的器件等,這些器件在清洗時(shí)要選擇有較好溶解度的溶劑,但同時(shí)也要考慮易漂洗問題。

研發(fā)設(shè)計(jì)時(shí)還要考慮布局造成的“陰影效應(yīng)”,高的器件會(huì)遮蔽附近低的器件的清洗效果,甚至?xí)哟笃吹碾y度,反而會(huì)造成二次污染。

對于清洗工藝的要求是選擇合適的清洗溶劑,高強(qiáng)度的清洗劑能夠徹底清潔板面,也會(huì)造成清洗過度,清洗掉條形碼的油墨、器件上的絲印等,低強(qiáng)度的清洗劑又會(huì)造成清洗浸泡的時(shí)間增長、降低清洗效率。選擇合適的清洗劑是清洗工藝研究的重點(diǎn)。清洗設(shè)備的選擇也是清洗工藝設(shè)計(jì)的重要環(huán)節(jié)。

4清洗工藝的評(píng)價(jià)

業(yè)界內(nèi)最常見的清潔度的檢測方法是目測法、離子污染測試法、離子色譜分析法和表面絕緣阻抗測試法。目測法是最實(shí)用、最高效、最便宜的檢測手段,只需要一臺(tái)10~15倍的光學(xué)顯微鏡,即可隨時(shí)檢測PCBA的污染物殘留。目測觀察PCBA基材,器件引腳周圍是否有污染物質(zhì),通常未清洗的器件引腳周圍包裹著一層松香殘留,基材上會(huì)有油脂、手印等殘留,在10~15倍的光學(xué)顯微鏡觀察下,這些殘留物清晰可辨。通過目檢的方法能直觀地比較清洗前后殘留物的變化。離子污染測試是檢測PCBA表面可導(dǎo)電的離子型污染物總量,不區(qū)分離子的總類。IPC-6012中規(guī)定了離子的含量,在阻焊涂層前的光PCBA所有類別的離子含量<1.56μg/cm2NaCl等滲當(dāng)量。離子色譜法是采用國際電子工業(yè)聯(lián)接協(xié)會(huì)IPC-TM-6502.3.28的方法,可以精確的測量出PCBA上離子殘留物的種類和數(shù)量。針對RoHS,測試重金屬的離子殘留,針對離子污染,會(huì)測試鹵素殘留的指標(biāo)。因?yàn)辂u素是造成焊點(diǎn)腐蝕的重要因素。表面絕緣阻抗測試,采用IPC-9201的方法進(jìn)行測試,通過測試清洗前后PCBA的阻抗來比較。

5結(jié)語

隨著工業(yè)技術(shù)的發(fā)展、環(huán)境變化的要求,對PCBA板面的清潔度的要求會(huì)越來越高。采取合適的清洗工藝,對降低產(chǎn)品因污染物造成的性能失效意義重大。


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