在探測(cè)器芯片互聯(lián)的過(guò)程中，潔凈的芯片表面對(duì)互聯(lián)結(jié)果有著重大影響。其中，芯片背面存在的小顆粒或者殘留物，會(huì)影響倒焊過(guò)程中背面平整度的判斷，可能導(dǎo)致兩個(gè)互聯(lián)面平行度的偏差 ；而正面的殘留物，導(dǎo)致互聯(lián)過(guò)程中芯片偏移，影響互聯(lián)的精度。另外，正面的殘留物還可能會(huì)改變銦柱的接觸電阻 , 降低測(cè)試電流信號(hào)。因此，芯片的清洗對(duì)精密互聯(lián)起著至關(guān)重要的作用。

芯片的清洗主要是光刻膠（AZ4620）和蠟（Logitech 公司提供）的去除。在芯片的拋光與切割工藝中，光刻膠用于保護(hù)銦柱，石蠟則作為一種良好的粘黏劑將芯片固定在玻璃平板和基板上進(jìn)行加工。其中，光刻膠易溶于丙酮，去除相對(duì)容易。然而，對(duì)于石蠟的去除，常規(guī)工藝是在室溫下，三氯乙烯中長(zhǎng)時(shí)間浸泡，然后用毛筆和棉球清洗。這種方法不但浪費(fèi)時(shí)間，而且清洗過(guò)程中，背面的蠟容易殘留，正面毛筆的力度也不易控制，太輕容易殘留蠟，太重則會(huì)損傷銦柱，沒(méi)有客觀的標(biāo)準(zhǔn)。

為了適應(yīng)環(huán)保要求和提高工作效率，本實(shí)驗(yàn)采用去蠟劑取代三氯乙烯去除石蠟，只需將芯片在去蠟劑中浸泡較短時(shí)間，得到的芯片不管背面還是正面殘留物幾乎沒(méi)有，比常規(guī)工藝清洗更加干凈。此外，去蠟劑不溶解光刻膠，不影響常規(guī)工藝中光刻膠的去除。因此，去蠟劑的使用既節(jié)省了時(shí)間，提高了效率， 又使操作簡(jiǎn)單方便，減少了人為因素對(duì)工藝過(guò)程的影響。

發(fā)明內(nèi)容

基于目前常規(guī)工藝芯片的清洗過(guò)程中 , 背面的蠟容易殘留，正面清洗過(guò)程毛筆的力度也不易控制，太輕容易殘留蠟，太重則會(huì)損傷銦柱，沒(méi)有客觀的標(biāo)準(zhǔn)。本發(fā)明提出了一種采用去蠟劑取代三氯乙烯清洗芯片表面的石蠟的方法。

本發(fā)明采用去蠟劑取代三氯乙烯，在常溫度條件下，得到的芯片不管背面還是正面殘留物幾乎沒(méi)有，比常規(guī)工藝清洗更加干凈。

本發(fā)明是一種新的紅外探測(cè)器芯片清洗方法，其特征在于其具有以下的工藝步驟 ：

1 將探測(cè)器芯片放入去蠟劑中浸泡，將探測(cè)器芯片放入去蠟劑中浸泡，探測(cè)器芯片

為線列芯片時(shí)芯片浸泡 10 分鐘，探測(cè)器芯片為面陣芯片時(shí)芯片浸泡 20 分鐘 ；

2 將芯片從去蠟劑中取出，放入三氯乙烯中浸泡 5 分鐘，溶解芯片表面的殘留的去

蠟液 ；

3 將芯片放入乙醚中浸泡 3 分鐘，去除芯片表面的三氯乙烯，此外下一步用丙酮去除光刻膠時(shí)，三氯乙烯與丙酮容易形成懸浮物，影響芯片的清洗 ；

4 將乙醚浸泡過(guò)的芯片放入丙酮中，溶解光刻膠，浸泡時(shí)間為 10 分鐘 ；

5 去除光刻膠后的芯片放入酒精中浸泡 5 分鐘，溶解芯片表面殘留的丙酮溶液，最后將芯片取出吹干，鏡檢使用。

本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單，操作方便，節(jié)省了時(shí)間，提高了效率，又使操作簡(jiǎn)單方便，減少了人為因素對(duì)工藝過(guò)程的影響有利于實(shí)現(xiàn)工業(yè)規(guī)模化生產(chǎn)。

圖 1 為本發(fā)明中去蠟劑和三氯乙烯芯片正面清洗效果對(duì)比圖。

圖 2 為本發(fā)明中去蠟劑和三氯乙烯芯片背面清洗效果對(duì)比圖，其中 ：圖（a）為用去蠟劑時(shí)芯片背面清洗效果，圖 (b) 為用三氯乙烯時(shí)芯片背面清洗效果。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)將本發(fā)明的具體實(shí)施例敘述于后。

1 將探測(cè)器芯片放入去蠟劑中浸泡，將探測(cè)器芯片放入去蠟劑中浸泡，探測(cè)器芯片

為線列芯片時(shí)芯片浸泡 10 分鐘，探測(cè)器芯片為面陣芯片時(shí)芯片浸泡 20 分鐘 ；

2 將芯片從去蠟劑中取出，放入三氯乙烯中浸泡 5 分鐘，溶解芯片表面的殘留的去蠟液 ；

3 將芯片放入乙醚中浸泡 3 分鐘，去除芯片表面的三氯乙烯，此外下一步用丙酮去

除光刻膠時(shí)，三氯乙烯與丙酮容易形成懸浮物，影響芯片的清洗 ；

4 將乙醚浸泡過(guò)的芯片放入丙酮中，溶解光刻膠，浸泡時(shí)間為 10 分鐘 ；

5 去除光刻膠后的芯片放入酒精中浸泡 5 分鐘，溶解芯片表面殘留的丙酮溶液，最

后將芯片取出吹干，鏡檢使用 .

本發(fā)明特提出采用去蠟劑取代三氯乙烯清洗芯片表面的石蠟 , 這樣既節(jié)省了時(shí)間，提高了效率，減少了人為因素對(duì)工藝過(guò)程的影響。而且工藝過(guò)程簡(jiǎn)單，操作方便有利于實(shí)現(xiàn)工業(yè)規(guī)?；a(chǎn)。本發(fā)明在常溫度條件下，得到的芯片正面殘留物幾乎沒(méi)有，比常規(guī)工藝清洗更加干凈。圖 1 是去蠟劑和三氯乙烯芯片正面清洗效果對(duì)比圖，由圖可知，去蠟劑清洗后，樣品表面非常干凈，幾乎沒(méi)有殘留的石蠟，而三氯乙烯清洗后的芯片，正面石蠟殘留較多。圖 2 是去蠟劑和三氯乙烯芯片背面清洗效果對(duì)比圖。圖中所示為清洗后的樣品放在互連設(shè)備上顯示的圖片。清晰的十字表明背面清洗干凈 ；模糊的十字表明背面存在殘留石蠟，影響芯片背面平整度，從而對(duì)倒焊結(jié)果產(chǎn)生不利影響。如圖所示，去蠟 劑清洗后的十字清晰三氯乙烯清洗后的十字模糊。因此，去蠟劑的使用使得芯片清洗更加容易和干凈。