SiO2膜在微技術(shù)中具有兩個(gè)主要作用：作為介電層或作為摻雜/蝕刻掩模。在這兩種情況下，通常都需要圖案化。當(dāng)在高溫烘箱中通過(guò)硅襯底的氧化獲得時(shí)，SiO2被稱(chēng)為“熱”。否則，它可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積（CVD）作為附加層而獲得，不需要硅襯底。

氧化物厚度通常在100 nm和1000 nm之間（即分別為1000?和10000?，這是在薄膜技術(shù)中仍非常流行的埃單位的使用）。

它可以容易地用對(duì)硅的影響可以忽略不計(jì)的化學(xué)物質(zhì)蝕刻。而且，許多硅蝕刻劑不影響氧化物。這種可能性被廣泛用于所有基于硅的微技術(shù)中。

如果氧化物用作硅加工的高溫掩模，則必須預(yù)先在低溫下使用基于抗蝕劑的微光刻工藝對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖。

當(dāng)必須在硅上進(jìn)行室溫工藝時(shí)，可以避免使用氧化物掩膜，因?yàn)榭刮g劑可以直接充當(dāng)硅的掩膜。但是，有些化學(xué)物質(zhì)可以輕松蝕刻抗蝕劑和硅。典型的例子是硅的各向異性蝕刻，通常在KOH（氫氧化鉀）中進(jìn)行。在這種情況下，稀釋的KOH也是用于正性抗蝕劑的典型顯影液。因此，蝕刻過(guò)程應(yīng)以黃光進(jìn)行，抗蝕劑對(duì)此不敏感。這是不切實(shí)際的。但是即使如此，由于對(duì)于硅的可接受的蝕刻速率需要濃縮的KOH，因此再次不能使用抗蝕劑，因?yàn)槲唇?jīng)稀釋的KOH會(huì)去除抗蝕劑，即使它沒(méi)有被曝光。

SiO2的一種非?！斑x擇性”的化學(xué)物質(zhì)（即根本不腐蝕硅）是氫氟酸（HF）。如果直接使用，則這種蝕刻劑對(duì)氧化物具有過(guò)快和過(guò)強(qiáng)的作用，使得底切和線寬控制非常困難。由于這個(gè)原因，HF普遍用作“緩沖”溶液，通過(guò)調(diào)節(jié)鍍液的PH值，可以保持較低的蝕刻速率并保持恒定。這允許蝕刻時(shí)間可靠地與蝕刻深度相關(guān)。

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的緩沖氫氟酸溶液（BHF）具有以下配方：

-6體積的氟化銨（NH4F，40％溶液）-1體積的HF。

例如，可以通過(guò)將113 g NH4F與170 ml H2O混合，然后添加28 ml HF來(lái)制備。室溫下的蝕刻速率范圍為1000至2500?/ min。這取決于氧化物的實(shí)際密度，該氧化物作為無(wú)定形層可以具有更致密的結(jié)構(gòu)（如果在其中熱生長(zhǎng)是氧氣）或更不致密的結(jié)構(gòu)（如果通過(guò)CVD生長(zhǎng)）。以下蝕刻反應(yīng)成立：

SiO2 + 6HF-> H2SiF6 + H2O

H2SiF6是水溶性的。

有時(shí)，BHF是按照上述配方制備和儲(chǔ)存的，但在使用前將其以7：1的比例稀釋在水中。這允許更好地控制蝕刻速率。優(yōu)良作法是僅使用稀釋的BHF，然后將其丟棄，以確保過(guò)程可重復(fù)性。如果使用35°C的BHF稀釋浴，則熱氧化物的蝕刻速率約為800?/ min。

另一種流行的蝕刻配方是P蝕刻：

60體積的H2O + 3體積 HF + 2卷 HNO3的值，即：

300毫升H2O + 15毫升HF + 10毫升HNO3。

由于生長(zhǎng)技術(shù)的緣故，P蝕刻作用在很大程度上取決于氧化物密度。文獻(xiàn)報(bào)道了一個(gè)例子（WA Pliskin，J.Vac.Sci Technol。，第14卷，第1064頁(yè)，1977），表明熱氧化物為120?/ min，濺射氧化物為250-700?/ min。

為了打開(kāi)硅襯底的掩模窗口，優(yōu)選慢蝕刻浴。然而，蝕刻工藝可以?xún)H用于從整個(gè)表面去除氧化膜。在這種情況下，蝕刻速度并不嚴(yán)格，可以使用快速溶液，例如將HF在水中以1:10的比例稀釋。通過(guò)目視檢查表面可以容易地評(píng)估蝕刻時(shí)間。除去氧化膜后，就會(huì)出現(xiàn)硅表面的金屬灰色。

有時(shí)需要非常輕的蝕刻，以去除僅幾個(gè)原子層。這是表面清潔和去污的情況?？梢允褂迷谒幸?/span>1:50稀釋的HF。蝕刻速度將約為70?/ min。例如，可以用45-50秒的光蝕刻去除硅上典型的50?“天然”氧化物。

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請(qǐng)注意，必須僅在聚乙烯或特氟隆容器中處理和使用BHF和稀釋的HF。任何玻璃材料也將被蝕刻。除了對(duì)操作者的潛在危險(xiǎn)之外，這還將是蝕刻的污染源。