批量微加工

主條目：批量微加工

批量微加工是基于硅的MEMS的最古老范例。硅晶片的整個厚度用于構(gòu)建微機械結(jié)構(gòu)。[18]使用各種蝕刻工藝來加工硅。玻璃板或其他硅片的陽極鍵合可用于添加三維尺寸的特征并進行密封。批量微機械加工對于實現(xiàn)高性能的壓力傳感器和加速度計至關(guān)重要，而這種壓力傳感器和加速度計在1980年代和90年代改變了傳感器行業(yè)。

表面微加工

主條目：表面微加工

表面微加工使用沉積在基材表面上的層作為結(jié)構(gòu)材料，而不是使用基材本身。[23]表面微機械加工創(chuàng)建于1980年代后期，旨在使硅的微機械加工與平面集成電路技術(shù)更加兼容，其目標(biāo)是在同一硅晶片上結(jié)合MEMS和集成電路。最初的表面微加工概念基于薄多晶硅層，該多晶硅層被圖案化為可移動的機械結(jié)構(gòu)，并通過犧牲性蝕刻下面的氧化物層來釋放。叉指式梳狀電極用于產(chǎn)生平面內(nèi)力并以電容方式檢測平面內(nèi)運動。這種MEMS范例使制造低成本的加速度計成為可能適用于例如汽車安全氣囊系統(tǒng)和其他性能低和/或高g-范圍就足夠的應(yīng)用。ADI公司是表面微加工工業(yè)化的先驅(qū)，并實現(xiàn)了MEMS與集成電路的集成。

熱氧化

主條目：熱氧化

為了控制微米級和納米級部件的尺寸，經(jīng)常使用所謂的無蝕刻工藝。如Deal-Grove模型所述，這種制造MEMS的方法主要依賴于硅的氧化。熱氧化工藝用于通過高精度尺寸控制生產(chǎn)各種硅結(jié)構(gòu)。包括光頻率梳[24]和硅MEMS壓力傳感器[25]在內(nèi)的設(shè)備已經(jīng)通過使用熱氧化工藝來微調(diào)一維或二維硅結(jié)構(gòu)而生產(chǎn)出來。熱氧化在硅納米線的制造中具有特殊價值，硅納米線被廣泛用作機械和電子組件的MEMS系統(tǒng)。

高深寬比（HAR）硅微加工

體硅和表面硅微加工都用于傳感器，噴墨噴嘴和其他設(shè)備的工業(yè)生產(chǎn)中。但是在許多情況下，這兩者之間的區(qū)別已經(jīng)減少。一種新的刻蝕技術(shù)，即深反應(yīng)離子刻蝕，使結(jié)合體微加工和梳狀結(jié)構(gòu)的典型性能以及表面微加工的典型面內(nèi)操作相結(jié)合成為可能。盡管在表面微機械加工中通常具有在2μm范圍內(nèi)的結(jié)構(gòu)層厚度，但是在HAR硅微機械加工中，厚度可以為10至100μm。盡管還創(chuàng)建了用于批量硅片的工藝（SCREAM），但在HAR硅微加工中常用的材料是厚的多晶硅（稱為Epi-Poly）和鍵合絕緣體上硅（SOI）晶圓。通過玻璃粉結(jié)合，陽極結(jié)合或合金結(jié)合來結(jié)合第二晶片被用于保護MEMS結(jié)構(gòu)。集成電路通常不與HAR硅微加工結(jié)合使用。