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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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推薦產(chǎn)品 / 產(chǎn)品中心
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關(guān)模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點,該方法經(jīng)實驗驗證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應(yīng)用范圍:l 本機臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設(shè)計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動單片式腐蝕清洗機應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化...
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半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

時間: 2016-03-23
點擊次數(shù): 518

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?????? 所謂的半導(dǎo)體,是指在某些情況下,能夠?qū)娏?,而在某些條件下,又具有絕緣體效用的物質(zhì);而至于所謂的IC,則是指在一半導(dǎo)體基板上,利用氧化、蝕刻、擴散等方法,將眾多電子電路組成各式二極管、晶體管等電子組件,作在一微小面積上,以完成某一特定邏輯功能(例如:AND、OR、NAND等),進而達成預(yù)先設(shè)定好的電路功能。自1947年12月23日第一個晶體管在美國的貝爾實驗室(Bell Lab)被發(fā)明出來,結(jié)束了真空管的時代,到1958年TI開發(fā)出全球第一顆IC成功,又意謂宣告晶體管的時代結(jié)束,IC的時代正式開始。從此開始各式IC不斷被開發(fā)出來,集積度也不斷提升。從小型集成電路(SSI),每顆IC包含10顆晶體管的時代;一路發(fā)展MSI、LSI、VLSI、ULSI;再到今天,短短50年時間,包含千萬個以上晶體管的集成電路已經(jīng)被大量生產(chǎn),并應(yīng)用到我們的生活的各領(lǐng)域中來,為我們的生活帶來飛速的發(fā)展。不能想象離開半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)我們的生活將會怎樣,半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r已成為一個國家的技術(shù)狀況的重要指針,電子技術(shù)也成為一個國家提高國防能力的重要途徑。

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半導(dǎo)產(chǎn)品類別
??? 目前的半導(dǎo)體產(chǎn)品可分為集成電路、分離式組件、光電半導(dǎo)體等三種。
????集成電路(IC),是將一電路設(shè)計,包括線路及電子組件,做在一片硅芯片上,使其具有處理信息的功能,有體積小、處理信息功能強的特性。依功能可將IC分為四類產(chǎn)品:內(nèi)存IC、微組件、邏輯IC、模擬IC。
??? 分離式半導(dǎo)體組件,指一般電路設(shè)計中與半導(dǎo)體有關(guān)的組件。常見的分離式半導(dǎo)體組件有晶體管、二極管、閘流體等。

??? 光電式半導(dǎo)體,指利用半導(dǎo)體中電子與光子的轉(zhuǎn)換效應(yīng)所設(shè)計出之材料與組件。主要產(chǎn)品包括發(fā)光組件、受光組件、復(fù)合組件和光伏特組件等。

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IC產(chǎn)品介紹
??? IC產(chǎn)品可分為四個種類,這些產(chǎn)品可細分為許多子產(chǎn)品,分述如下:

??? 內(nèi)存IC:顧名思義,內(nèi)存IC是用來儲存資料的組件,通常用在計算機、電視游樂器、電子詞典上。依照其資料的持久性(電源關(guān)閉后資料是否消失)可再分為揮發(fā)性、非揮發(fā)性內(nèi)存;揮發(fā)性內(nèi)存包括DRAM、SRAM,非揮發(fā)性內(nèi)存則大致分為Mask ROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory四種。

??? 微組件IC:指有特殊的資料運算處理功能的組件;有三種主要產(chǎn)品:微處理器指微電子計算器中的操作數(shù)件,如計算機的CPU;微控制器是計算機中主機與接口中的控制系統(tǒng),如聲卡、影視卡...等的控制組件;數(shù)字訊號處理IC可將模擬訊號轉(zhuǎn)為數(shù)字訊號,通常用于語音及通訊系統(tǒng)。

??? 模擬IC:低復(fù)雜性、應(yīng)用面積大、整合性低、流通性高是此類產(chǎn)品的特色,通常用來作為語言及音樂IC、電源管理與處理的組件。

??? 邏輯IC:為了特殊信息處理功能(不同于其它IC用在某些固定的范疇)而設(shè)計的IC,目前較常用在電子相機、3D Game、

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IC產(chǎn)業(yè)

  IC的制造可由上游至下游分為三種工業(yè),一是與IC的制造有直接關(guān)系的工業(yè)、包括晶圓制造業(yè)、IC制造業(yè)、IC封裝業(yè);二是輔助IC制造的工業(yè),包括IC設(shè)計、光罩制造、IC測試、化學(xué)品、導(dǎo)線架工業(yè);三是提供IC制造支持的產(chǎn)業(yè),如設(shè)備、儀器、計算機輔助設(shè)計工具工業(yè)...等。

IC(集成電路)制作過程簡介

??? 集成電路的生產(chǎn)過程極其復(fù)雜,習(xí)慣上將其分為前置作業(yè),電路的制作,晶圓及晶粒測試和后段的封裝測試等。因為IC是由很多的電路集合而成的,而這些電路組件和線路是以晶圓為基礎(chǔ)并以層狀分布的,制造過程也是一層層的建造出來的,類似于建樓房的過程。

??? 其中前置作業(yè)類似于樓房的設(shè)計和建造地基,包括電路的設(shè)計、光罩設(shè)計和晶圓的制作,電路設(shè)計即是根據(jù)使用的要求設(shè)計出各層的線路和架夠,光罩設(shè)計則類似于照像底片,依靠其將設(shè)計好的電路印到芯片上,而制作硅晶圓就是將硅晶體通過加熱熔化,再用一定的方法拉成晶棒,并切片、研磨成符合要求的芯片的過程。

??? 電路制作是在硅片的基礎(chǔ)上制成一層層的電路的過程,因為線路極其細微,其制造過程也就有很高的難度,生產(chǎn)上是使用類似照相技術(shù)的報光,顯影,蝕刻,沖洗的方法來實現(xiàn)的(下面將做詳細的介紹)。晶圓及晶粒測試是對各制造流程的結(jié)果的測試,目的是對各流程有很好的控制,并能及時的發(fā)現(xiàn)生產(chǎn)中的不良產(chǎn)品,盡早進行修部或剔除,以減少不良成本,經(jīng)過各道測試并最終生產(chǎn)出來的芯片才能進入到下一道封裝測試的過程。封裝和測試是將功能測試良好的晶粒切割開,并封裝,拉出聯(lián)線再進行全面測試的過程,要經(jīng)過芯片切割,粘晶,焊線,封料,切割/成形,印字,電鍍,及檢驗等過程。直到這里,一個合格的集成電路才算制造完成。

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IC制造業(yè)特性

??? IC制造業(yè)中,有幾個不同于其它制造業(yè)的特性,分列如下:

??? 機器的折舊占成本大部分:制造IC所用的機器設(shè)備價格高,而且汰舊快,通常采二至四年加速折舊(此為實際作法;大多數(shù)股市上市說明書則宣稱四至八年平均折舊),因此機器折舊的費用很高;一般說來,機器的折舊占制造成本的20%以上。

??? 良率影響產(chǎn)品單位成本:晶圓上可劃分為許多方塊,而一個IC的線路就都做在這個方塊上,再送至封裝廠中切割包裝,就可將這些方塊制成一片片的IC;而包裝好經(jīng)測試可使用的IC占晶圓割下IC總數(shù)的比率稱為良率。

??? IC的制造過程非常精密,只要在其中一步驟稍有不慎,就會使IC毀損,而成為不能使用的產(chǎn)品,不像其它制造業(yè)的產(chǎn)品,有制造過程的錯誤,大多只會成為品質(zhì)不良的產(chǎn)品,非不能使用的產(chǎn)品;因此IC制造業(yè)的良率要較傳統(tǒng)的工業(yè)制造良率來的低,而且變異大,不論是在品質(zhì)管制及成本控制上都是一大問題;通常IC的制造中,影響良率的原因有兩種:

??? (a)晶圓的大?。涸诰A上做IC,通常邊緣的部分都因晶圓的圓弧而無法做出完整的方塊;晶圓的直徑愈大,則其圓弧的曲度愈小,邊緣要舍棄的面積占晶圓的比率也就愈小,良率就愈高;因此IC廠都在努力提升自己的制程能在更大的晶圓上做出產(chǎn)品。

??? (b)線上的管制:集成電路制造是極精密的工業(yè),且制造環(huán)境特殊(無塵室);在制造過程中所犯的一個小過失,影響良率的程度就很大,通??蛇_20%以上,因此線上的管制在集成電路制造中是很重要的。 
??? 制程復(fù)雜影響機器使用率:IC制造廠中,由于制程重復(fù)且步驟多,若制造排程不良,容易造成某些工作站忙線、有些站閑置,而使得機器設(shè)備無法充分利用;機器設(shè)備的折舊又是占了IC制造成本中的大部分,若機器使用率不高,那幺便會耗費大量的折舊成本;充分的利用機器,是IC制造廠管理中重要的一環(huán)。

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晶圓代工

????因為IC的生產(chǎn)過程復(fù)雜,從設(shè)計到生產(chǎn)的生產(chǎn)線長,而且生產(chǎn)過程的主要成本是機臺的成本,固定成本高,且產(chǎn)品多樣化,批量小,更新速度快,因此很少有廠家能從前到后的整條線生產(chǎn)自己的產(chǎn)品,而很多廠商都只是加工整個制程中的一段,再形成供應(yīng)鏈?zhǔn)降慕M合,聯(lián)合制造產(chǎn)品,以實現(xiàn)規(guī)模效應(yīng)。晶圓代工就是基于此而產(chǎn)生的,這種企業(yè)只負責(zé)生產(chǎn)不進行設(shè)計,因此也可以說晶圓代工廠并沒有自己的產(chǎn)品,傳統(tǒng)上講只是指wafer(晶圓)的制作過程,即是在wafer?上做出一層層的電路而現(xiàn)在逐漸延伸出廣義的晶圓代工,其除了原來晶圓制造的功能外,還包括了上游的光罩制作和下游的切割、封裝、測試等過程,因此一個IC設(shè)計企業(yè)只要將自己的設(shè)計交給晶圓代工廠,便可以得到符合自己要求的IC成品。


模塊制程

?? wafer生產(chǎn)的基本原理

????集成電路盡管種類不同,其制程相似;差別在不同的光罩會有不同的電路圖樣;CVD、離子植入時投入的材料不同,會產(chǎn)生不同的組件,而使制造出來的IC有所差異。IC制程中,制造作業(yè)種類通常只有十多種,但由于不斷重復(fù)這些作業(yè),使得一片IC從晶圓投入到可以切割包裝,要經(jīng)過百次以上的制造步驟。

????一個IC產(chǎn)品制作電路后的結(jié)構(gòu),是以芯片為基礎(chǔ)逐層的建造起來的,上面已經(jīng)提到,每一層的生產(chǎn)都是使用類似照相技術(shù)的報光,顯影,蝕刻,沖洗的方法來實現(xiàn)的,因此生產(chǎn)過程中,每一層的制造都是幾個類似的過程,而整個晶圓的制造就是這幾個過程的重復(fù)循環(huán),每個過程的生產(chǎn)都在特定的區(qū)域來完成,這些區(qū)域有:薄膜(thin-film),黃光(?photo),蝕刻(etch),擴散(diffusion).


薄膜(thin-film)

????薄膜區(qū)間是塵積介電質(zhì)或金屬層的地方,介電質(zhì)是用于隔離開各層金屬的多為玻璃層,而金屬層是集成電路中的導(dǎo)線,多采用鋁或銅或鋁銅合金,因此介電質(zhì)和金屬沉積也是集成電路的制程中的重要制程。薄膜技術(shù)有物理氣象沉積(包括蒸鍍既借著對被蒸鍍物體加熱,利用被蒸鍍物在高溫時所具備的飽和蒸氣壓,來進行薄膜的沉積.和濺鍍既利用電漿所產(chǎn)生的離子,借著離子對被濺鍍物體電極的轟擊,使電漿的氣相內(nèi)具有被鍍物的粒子,來產(chǎn)生沈積薄膜的.)和化學(xué)氣象沈積既利用化學(xué)反應(yīng)的方式,在反應(yīng)器內(nèi)將反應(yīng)物(?通常為氣體)生成固態(tài)的生成物,并沉積在芯片表面的一種薄膜沉積技術(shù)。

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黃光(Photo)

????微影技術(shù)是制造集成電路的重要之一,通過暴光和顯影的程序它可以將光罩上設(shè)計的圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面的光阻上,其主要過程包括光阻涂抹,烘拷,對準(zhǔn),暴光及顯影等程序,由于光學(xué)上的需要,此段制程之照明采用偏黃的可見光,因此習(xí)慣上將此區(qū)稱為黃光區(qū)。在黃光區(qū)內(nèi),利用整合型的晶圓軌道機——步進機系統(tǒng)來完成這個過程,其利用紫外光線或深紫外光線來照射光阻,以引起化學(xué)反應(yīng),將設(shè)計的光罩上的圖形印到晶圓或光阻上,這也是集成電路廠中最昂貴的工具,每臺的價格都可達到數(shù)百萬美元,因此也常成為生產(chǎn)中的瓶頸。

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蝕刻(Etch)

??? Etch作為IC制程中的主要環(huán)節(jié)之一,其目的是化學(xué)物質(zhì)的反應(yīng)來去除wafer表面多余的物質(zhì),根據(jù)各stedp的目的不同有多種具體方式,但從其基本的原來可將其分為兩種,既Wet Etching(濕蝕刻)和Dry Etching(干蝕刻),Wet Etching?是用將wafer放入化學(xué)溶液中,通過化學(xué)反應(yīng)將要蝕刻掉的物質(zhì)腐蝕掉,而干蝕刻是將化學(xué)氣體吹到weafer?表面上,與其發(fā)生反應(yīng),以實現(xiàn)蝕刻的目的。兩者相比,后者的過程中的關(guān)鍵參數(shù)容易控制,用物理或化學(xué)的方法均可實現(xiàn),且對圖形的控制能力較強,而前者只能通過化學(xué)的方法實現(xiàn),且對關(guān)鍵參數(shù)的控制能力較差,尤其是當(dāng)線寬越來越細時,濕蝕刻將無法使用,但對于不同的蝕刻對象和環(huán)境,兩者各有各自適合的范圍,兩種方法要根據(jù)工藝的要求不同來選擇。

????在濕蝕刻的過程中還有一個重要的技術(shù)過程是wafer drying ,因為濕的wafer是無法進入到下一道工序的,必須通過一些方法使其干燥,常用的方法有:Down-Flow Spin Dryer?既是利用高速旋轉(zhuǎn)的方法,靠離心力的作用干燥;和IPA Vapor Dryer?,Marangoni Dryer?等,其中Down-Flow Spin Dryer因為力的作用,易形成water mark,且增加wafer?的應(yīng)力,轉(zhuǎn)動過程中還會形成摩擦,而IPA Vapor Dryer?和Marangoni Dryer可防止water mark但時間較長,且化學(xué)用量多。

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擴散(?Diffusion)

????擴散區(qū)間是進行加熱制程的區(qū)域,這些制程可能是用來添加制程或者是用來加熱制程,如在晶圓表面生成氧化層,擴散摻雜等是添加制程,而離子植入后用于恢復(fù)晶體結(jié)構(gòu)的熱處理是加熱制程。高溫爐是這區(qū)域的批量制程工具,它能夠同時處理150片的wafer,可以將這些預(yù)置在硅芯片表面上的摻質(zhì),藉高溫擴散的原理,把他們趨進芯片表面的材質(zhì)內(nèi)。

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