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濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為L(zhǎng)ED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納(江蘇)CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿(mǎn)足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱(chēng)華林科納(江蘇)CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專(zhuān)有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡(jiǎn)便可根據(jù)用戶(hù)要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 regal-bio.cn 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(regal-bio.cn),現(xiàn)在熱線咨詢(xún)400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽(yáng)極和電力線擋板組成的陽(yáng)極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場(chǎng)不均問(wèn)題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來(lái)的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿(mǎn)足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場(chǎng)環(huán)境。通過(guò)進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場(chǎng)。從而通過(guò)改變流場(chǎng)的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 華林科納(江蘇)CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過(guò)技術(shù)定型鑒定和用戶(hù)驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái),可同Run 50片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過(guò)20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無(wú)刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染l 不銹鋼N2過(guò)濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開(kāi)關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶(hù)需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂(lè)故障碼功能: 門(mén)鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng):?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對(duì)應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶(hù)可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問(wèn)題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢(xún)400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱(chēng)華林科納(江蘇)CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱(chēng):CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類(lèi)):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過(guò)濾器:配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類(lèi)采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納(江蘇)CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱(chēng)CSE-單片清洗機(jī)類(lèi)  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時(shí)間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://regal-bio.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱(chēng)華林科納(江蘇)CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱(chēng):CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類(lèi)):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過(guò)濾器:配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類(lèi)采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化...
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硅行業(yè)專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)(下)

時(shí)間: 2016-03-23
點(diǎn)擊次數(shù): 555

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Haze - A mass concentration of surface imperfections, often giving a hazy appearance to the wafer.
霧度?-?晶圓片表面大量的缺陷,常常表現(xiàn)為晶圓片表面呈霧狀。

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Hole - Similar to a positive charge, this is caused by the absence of a valence electron.
空穴?-?和正電荷類(lèi)似,是由缺少價(jià)電子引起的。?

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Ingot - A cylindrical solid made of polycrystalline or single crystal silicon from which wafers are cut.
晶錠?-?由多晶或單晶形成的圓柱體,晶圓片由此切割而成。?

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Laser Light-Scattering Event - A signal pse that locates surface imperfections on a wafer.
激光散射?-?由晶圓片表面缺陷引起的脈沖信號(hào)。?

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Lay - The main direction of surface texture on a wafer.
層?-?晶圓片表面結(jié)構(gòu)的主要方向。?

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Light Point Defect (LPD) (Not preferred; see localized light-scatterer)
光點(diǎn)缺陷(LPD)?(不推薦使用,參見(jiàn)“局部光散射”)?

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Lithography - The process used to transfer patterns onto wafers.
光刻?-?從掩膜到圓片轉(zhuǎn)移的過(guò)程。?

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Localized Light-Scatterer - One feature on the surface of a wafer, such as a pit or a scratch that scatters light. It is also called a light point defect.
局部光散射?-?晶圓片表面特征,例如小坑或擦傷導(dǎo)致光線散射,也稱(chēng)為光點(diǎn)缺陷。?

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Lot - Wafers of similar sizes and characteristics placed together in a shipment.
批次?-?具有相似尺寸和特性的晶圓片一并放置在一個(gè)載片器內(nèi)。?

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Majority Carrier - A carrier, either a hole or an electron that is dominant in a specific region, such as electrons in an N-Type area.
多數(shù)載流子?-?一種載流子,在半導(dǎo)體材料中起支配作用的空穴或電子,例如在N型中是電子。

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Mechanical Test Wafer - A silicon wafer used for testing purposes.
機(jī)械測(cè)試晶圓片?-?用于測(cè)試的晶圓片。?

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Microroughness - Surface roughness with spacing between the impurities with a measurement of less than 100 μm.
微粗糙?-?小于100微米的表面粗糙部分。?

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Miller Indices, of a Crystallographic Plane - A system that utilizes three numbers to identify plan orientation in a crystal.
Miller索指數(shù)?-?三個(gè)整數(shù),用于確定某個(gè)并行面。這些整數(shù)是來(lái)自相同系統(tǒng)的基本向量。?

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Minimal Conditions or Dimensions - The allowable conditions for determining whether or not a wafer is considered acceptable.
最小條件或方向?-?確定晶圓片是否合格的允許條件。

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Minority Carrier - A carrier, either a hole or an electron that is not dominant in a specific region, such as electrons in a P-Type area.
少數(shù)載流子?-?在半導(dǎo)體材料中不起支配作用的移動(dòng)電荷,在P型中是電子,在N型中是空穴。?

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Mound - A raised defect on the surface of a wafer measuring more than 0.25 mm.
堆垛?-?晶圓片表面超過(guò)0.25毫米的缺陷。?

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Notch - An indent on the edge of a wafer used for orientation purposes.
凹槽?-?晶圓片邊緣上用于晶向定位的小凹槽。?

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Orange Peel - A roughened surface that is visible to the unaided eye.
桔皮?-?可以用肉眼看到的粗糙表面?

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Orthogonal Misorientation -
直角定向誤差?-?

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Particle?-?A?small?p*不良詞語(yǔ)

*e of material found on a wafer that is not connected with it.
顆粒?-?晶圓片上的細(xì)小物質(zhì)。?

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Particle Counting - Wafers that are used to test tools for particle contamination.
顆粒計(jì)算?-?用來(lái)測(cè)試晶圓片顆粒污染的測(cè)試工具。?

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Particate Contamination - Particles found on the surface of a wafer. They appear as bright points when a collineated light is shined on the wafer.
顆粒污染?-?晶圓片表面的顆粒。?

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Pit - A non-removable imperfection found on the surface of a wafer.
深坑?-?一種晶圓片表面無(wú)法消除的缺陷。?

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Point Defect - A crystal defect that is an impurity, such as a lattice vacancy or an interstitial atom.
點(diǎn)缺陷?-?不純凈的晶缺陷,例如格子空缺或原子空隙。?

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Preferential Etch -
優(yōu)先蝕刻?-?

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Premium Wafer - A wafer that can be used for particle counting, measuring pattern resolution in the photolithography process, and metal contamination monitoring. This wafer has very strict specifications for a specific usage, but looser specifications than the prime wafer.
測(cè)試晶圓片?-?影印過(guò)程中用于顆粒計(jì)算、測(cè)量溶解度和檢測(cè)金屬污染的晶圓片。對(duì)于具體應(yīng)用該晶圓片有嚴(yán)格的要求,但是要比主晶圓片要求寬松些。?

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Primary Orientation Flat - The longest flat found on the wafer.
主定位邊?-?晶圓片上最長(zhǎng)的定位邊。?

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Process Test Wafer - A wafer that can be used for processes as well as area cleanliness.
加工測(cè)試晶圓片?-?用于區(qū)域清潔過(guò)程中的晶圓片。?

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Profilometer - A tool that is used for measuring surface topography.
表面形貌劑?-?一種用來(lái)測(cè)量晶圓片表面形貌的工具。?

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Resistivity (Electrical) - The amount of difficulty that charged carriers have in moving throughout material.
電阻率(電學(xué)方面)?-?材料反抗或?qū)闺姾稍谄渲型ㄟ^(guò)的一種物理特性。?

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Required - The minimum specifications needed by the customer when ordering wafers.
必需?-?訂購(gòu)晶圓片時(shí)客戶(hù)必須達(dá)到的最小規(guī)格。

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Roughness - The texture found on the surface of the wafer that is spaced very closely together.
粗糙度?-?晶圓片表面間隙很小的紋理。?

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Saw Marks - Surface irregarities
鋸痕?-?表面不規(guī)則。?

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Scan Direction - In the flatness calcation, the direction of the subsites.
掃描方向?-?平整度測(cè)量中,局部平面的方向。?

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Scanner Site Flatness -
局部平整度掃描儀?-?

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Scratch - A mark that is found on the wafer surface.
擦傷?-?晶圓片表面的痕跡。?

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Secondary Flat - A flat that is smaller than the primary orientation flat. The position of this flat determines what type the wafer is, and also the orientation of the wafer.
第二定位邊?-?比主定位邊小的定位邊,它的位置決定了晶圓片的類(lèi)型和晶向。?

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Shape -
形狀?-?

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Site - An area on the front surface of the wafer that has sides parallel and perpendicar to the primary orientation flat. (This area is rectangar in shape)
局部表面?-?晶圓片前面上平行或垂直于主定位邊方向的區(qū)域。?

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Site Array - a neighboring set of sites
局部表面系列?-?一系列的相關(guān)局部表面。?

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Site Flatness -
局部平整?-?

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Slip - A defect pattern of small ridges found on the surface of the wafer.
劃傷?-?晶圓片表面上的小皺造成的缺陷。?

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Smudge - A defect or contamination found on the wafer caused by fingerprints.
污跡?-?晶圓片上指紋造成的缺陷或污染。?

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Sori -
Striation - Defects or contaminations found in the shape of a helix.
條痕?-?螺紋上的缺陷或污染。?

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Subsite, of a Site - An area found within the site, also rectangar. The center of the subsite must be located within the original site.
局部子表面?-?局部表面內(nèi)的區(qū)域,也是矩形的。子站中心必須位于原始站點(diǎn)內(nèi)部。?

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Surface Texture - Variations found on the real surface of the wafer that deviate from the reference surface.
表面紋理?-?晶圓片實(shí)際面與參考面的差異情況。?

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Test Wafer - A silicon wafer that is used in manufacturing for monitoring and testing purposes.
測(cè)試晶圓片?-?用于生產(chǎn)中監(jiān)測(cè)和測(cè)試的晶圓片。?

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Thickness of Top Silicon Film - The distance found between the face of the top silicon film and the surface of the oxide layer.
頂部硅膜厚度?-?頂部硅層表面和氧化層表面間的距離。?

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Top Silicon Film - The layer of silicon on which semiconductor devices are placed. This is located on top of the insating layer.
頂部硅膜?-?生產(chǎn)半導(dǎo)體電路的硅層,位于絕緣層頂部。?

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Total Indicator Reading (TIR) - The smallest distance between planes on the surface of the wafer.
總計(jì)指示劑數(shù)(TIR)?-?晶圓片表面位面間的最短距離。?

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Virgin Test Wafer - A wafer that has not been used in manufacturing or other processes.
原始測(cè)試晶圓片?-?還沒(méi)有用于生產(chǎn)或其他流程中的晶圓片。?

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Void?-?The?lack?of?any?sort?of?bond?(partic*不良詞語(yǔ)*arly?a?chemical?bond)?at?the?site?of?bonding.?
無(wú)效?-?在應(yīng)該綁定的地方?jīng)]有綁定(特別是化學(xué)綁定)。

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Waves - Curves and contours found on the surface of the wafer that can be seen by the naked eye.
波浪?-?晶圓片表面通過(guò)肉眼能發(fā)現(xiàn)的彎曲和曲線。?

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Waviness - Widely spaced imperfections on the surface of a wafer.
波紋?-?晶圓片表面經(jīng)常出現(xiàn)的缺陷。

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